Постановление Правительства РФ от 26.11.2007 № 809 (ред. от 25.02.2009) "О федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008

Закон
Определение
Положение
Постановление
Приказ
Распоряжение
Решение
Указ
Устав

Постановление Правительства РФ от 26.11.2007 № 809
(ред. от 25.02.2009)
"О федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы"

Официальная публикация в СМИ:
В данном виде документ не опубликован.
Первоначальный текст документа опубликован в издании
"Собрание законодательства РФ", 17.12.2007, № 51, ст. 6361.

   ------------------------------------------------------------------

--> примечание.
Начало действия редакции - 10.03.2009.
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Изменения, внесенные Постановлением Правительства РФ от 25.02.2009 № 168, вступили в силу по истечении 7 дней после дня официального опубликования (опубликовано в "Собрании законодательства РФ" - 02.03.2009).

   ------------------------------------------------------------------

ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПОСТАНОВЛЕНИЕ
от 26 ноября 2007 г. № 809

О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

Правительство Российской Федерации постановляет:
1. Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (далее - Программа).
2. Министерству экономического развития Российской Федерации и Министерству финансов Российской Федерации при формировании проекта федерального бюджета на соответствующий год включать Программу в перечень федеральных целевых программ, подлежащих финансированию за счет средств федерального бюджета.
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)
3. Завершить в 2007 году реализацию подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, утвержденной Постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. № 54.
4. Установить, что мероприятия Программы, реализация которых осуществлялась в рамках подпрограммы, указанной в пункте 3 настоящего Постановления, выполняются в соответствии с заключенными в 2007 году контрактами.
5. Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, утвержденную Постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. № 54 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, № 7, ст. 883).

Председатель Правительства
Российской Федерации
В.ЗУБКОВ

Утверждена
Постановлением Правительства
Российской Федерации
от 26 ноября 2007 г. № 809

ФЕДЕРАЛЬНАЯ ЦЕЛЕВАЯ ПРОГРАММА
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

ПАСПОРТ
федеральной целевой программы
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

Наименование - федеральная целевая программа
Программы "Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники" на 2008 -
2015 годы

Дата принятия решения - распоряжение Правительства Российской
о разработке Программы Федерации от 23 июля 2007 г. № 972-р

Государственный - Министерство промышленности и торговли
заказчик - координатор Российской Федерации
Программы
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

   ------------------------------------------------------------------

--> примечание.
В соответствии с Указом Президента РФ от 04.03.2010 № 271
Федеральное агентство по образованию и Федеральное агентство по
науке и инновациям упразднены. Их функции переданы Министерству
образования и науки РФ, которое является правопреемником
Рособразования и Роснауки, в том числе по обязательствам,
возникшим в результате исполнения судебных решений.

   ------------------------------------------------------------------

Государственные - Министерство промышленности и торговли
заказчики Программы Российской Федерации,
Федеральное космическое агентство,
Федеральное агентство по науке и
инновациям,
Федеральное агентство по образованию,
Государственная корпорация по атомной
энергии "Росатом"
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

   ------------------------------------------------------------------

   ------------------------------------------------------------------

Основные разработчики - Министерство промышленности и
Программы энергетики Российской Федерации,
Министерство обороны Российской
Федерации,
Федеральное агентство по
промышленности,
Федеральное агентство по науке и
инновациям,
Федеральное космическое агентство,
Федеральное агентство по атомной
энергии,
Федеральное агентство по образованию

Основная цель - развитие научно-технического и
Программы производственного базиса для
разработки и производства
конкурентоспособной наукоемкой
электронной и радиоэлектронной
продукции для решения приоритетных
задач социально-экономического
развития и обеспечения национальной
безопасности Российской Федерации

Основные задачи - обеспечение радиоэлектронных средств и
Программы систем, в первую очередь средств и
систем, имеющих стратегическое значение
для страны, российской электронной
компонентной базой необходимого
технического уровня;
разработка базовых промышленных
технологий и конструкций
радиоэлектронных компонентов и приборов;
техническое перевооружение организаций
радиоэлектронной отрасли на основе
передовых технологий;
создание научно-технического задела по
перспективным технологиям и конструкциям
электронных компонентов, унифицированных
узлов и блоков радиоэлектронной
аппаратуры для обеспечения российской
продукции и стратегически значимых
систем;
опережающее развитие вертикально
интегрированных систем
автоматизированного проектирования
сложных электронных компонентов,
аппаратуры и систем для достижения
мирового уровня

Важнейшие целевые - целевым индикатором реализации Программы
индикатор и показатели является технический уровень современной
электронной компонентной базы, который
будет оцениваться по освоенному в
производстве технологическому уровню
изделий микроэлектронной техники.
Ожидается, что в 2008 году в
организациях микроэлектроники будет
освоен технологический уровень 0,18
мкм, что обеспечит создание
производственно-технологической базы
для выпуска современной электронной
компонентной базы, соответствующей
потребностям российских производителей
аппаратуры и систем.
В 2011 году планируется достижение
уровня технологии 0,09 мкм с
последующим переходом к 2015 году до
уровня технологии 0,045 мкм, что
существенно сократит отставание
российской электроники и
радиоэлектроники от мировых показателей.
Основным целевым показателем
реализации Программы является увеличение
объема продаж конкурентоспособных
изделий электронной компонентной базы и
радиоэлектронной продукции. Ожидается,
что в 2011 году значение этого
показателя составит около 130 млрд.
рублей, а в 2015 году - 300 млрд.
рублей, темпы роста объемов производства
будут сопоставимы с мировыми
показателями.
Показателем эффективности выполнения
мероприятий Программы также является
количество разработанных базовых
технологий в области электронной
компонентной базы и радиоэлектроники,
обеспечивающих конкурентоспособность
конечной продукции. К 2011 году их
количество будет составлять более 180
технологий, к 2015 году - не менее 270
технологий. В результате реализации
Программы в 64 организациях будут
созданы центры проектирования, в 117
организациях будут осуществлены
реструктуризация и техническое
перевооружение

Срок и этапы - 2008 - 2015 годы:
реализации Программы первый этап - 2008 - 2011 годы;
второй этап - 2012 - 2015 годы

Объемы и источники - всего по Программе в ценах
финансирования соответствующих лет объем финансирования
Программы составит 187000 млн. рублей, в том
числе:
за счет средств федерального бюджета -
110000 млн. рублей, из них на научно-
исследовательские и опытно-
конструкторские работы - 66000 млн.
рублей, на капитальные вложения -
44000 млн. рублей;
за счет средств внебюджетных
источников - 77000 млн. рублей.
Всего по Программе на 2008 год за счет
средств федерального бюджета
предусматривается 5500 млн. рублей, из
них на научно-исследовательские и
опытно-конструкторские работы - 3980
млн. рублей, на капитальные вложения -
1520 млн. рублей

Ожидаемые конечные - увеличение объема продаж российской
результаты реализации электронной продукции, унифицированных
Программы и показатели электронных модулей и радиоэлектронных
социально- изделий на внутреннем и внешнем
экономической рынках;
эффективности значительное сокращение
технологического отставания российской
радиоэлектронной промышленности от
мирового уровня;
обеспечение больших возможностей для
развития всех отраслей промышленности
и осуществление перехода к экономике
"знаний";
создание условий для более эффективной
реализации национальных проектов,
объявленных Президентом Российской
Федерации;
создание рыночно ориентированной
инфраструктуры радиоэлектронной
промышленности с учетом реструктуризации
системы проектирования и производства
радиоэлектронных изделий
(системоориентированные центры
проектирования, дизайн-центры,
"кремниевые фабрики", научно-
технологический центр по
микросистемотехнике, маркетинговые и
торговые центры, дилерские сети и
т.д.);
расширение экспорта
высокотехнологичной продукции
промышленности России;
активизация инновационной деятельности
и ускорение внедрения результатов
научно-технической деятельности в
массовое производство;
обеспечение обновляемости основных
фондов организаций радиоэлектронной
отрасли и стимулирование создания
современного высокотехнологичного
производства;
создание крупных и эффективных
интегрированных структур, способных
конкурировать с лучшими западными
фирмами;
организация производства массовой
интеллектуально насыщенной и
конкурентоспособной высокотехнологичной
радиоэлектронной продукции, реализующей
современные телекоммуникационные
услуги, включая радио и телевидение,
услуги и средства электронных
информационных систем;
повышение качества жизни населения,
отвечающего стандартам высокоразвитых
стран мира по интеллектуализации среды
обитания и возможностям использования
электроники и информационных систем;
увеличение числа рабочих мест в
радиоэлектронной отрасли, снижение
оттока талантливой части научно-
технических кадров, повышение спроса
на квалифицированные научно-
технические кадры, обеспечение
привлечения молодых специалистов и
ученых, а также улучшение возрастной
структуры кадров;
обеспечение налоговых поступлений в
бюджет от исполнителей и пользователей
Программы в размере 198577,2 млн.
рублей, что превысит размер инвестиций
и создаст бюджетный эффект в размере
125045,9 млн. рублей;
обеспечение индекса доходности
(рентабельности) бюджетных ассигнований
2,7 и уровня безубыточности 0,68, что
свидетельствует о высокой
эффективности Программы

I. Характеристика проблемы, на решение которой
направлена Программа

Федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (далее - Программа) разработана в соответствии с распоряжением Правительства Российской Федерации от 23 июля 2007 г. № 972-р.
Программа разработана с учетом Основ политики Российской Федерации в области развития науки и технологий на период до 2010 года и дальнейшую перспективу.
При разработке учтен принцип преемственности по отношению к подпрограмме "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, мероприятия Программы укрупнены и уточнены, содержат все направления указанной подпрограммы и учитывают интересы всех ее заказчиков.
Основной проблемой, на решение которой направлена Программа, является создание современной научно-производственной инфраструктуры разработки и производства радиоэлектронных средств и стратегически значимых систем с использованием российской электронной компонентной базы нового технического уровня на основе коренной модернизации производственно-технологической базы электронной и радиоэлектронной промышленности и сокращения технологического разрыва с мировым уровнем, повышения технико-экономических показателей и расширения объемов производства массовой электронной и радиоэлектронной продукции, опережающего развития вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры.
Программа учитывает, что проблемы экономического развития Российской Федерации в ближайшее десятилетие будут определяться способностью государственного обеспечения ресурсами для ускоренного роста высокотехнологичного сектора экономики.
Привлечение инвестиций в экономику с их точной адресацией и учетом взаимодействия секторов экономики, связанных с развитием высоких технологий, рассматривается Правительством Российской Федерации в качестве важнейшего фактора создания российской конкурентоспособной технологической базы нового производства, формирующей перспективу общего роста экономики Российской Федерации.
Приоритетами государственной инвестиционной политики в этих условиях являются ускоренное инвестиционное развитие секторов "новой экономики", прежде всего становление инновационных и информационных отраслей, формирование нового технологического уровня промышленности и решение на его базе задач социально-экономического развития государства.
Все это позволяет ставить и решать в среднесрочной перспективе задачу сокращения технологического разрыва между Российской Федерацией и развитыми государствами, а в долгосрочной перспективе - задачу упрочения позиции России как одного из лидеров мирового развития.
Ускорение социально-экономического развития общества, его информационное обеспечение и повышение интеллектуального уровня, дальнейший рост эффективности труда и комфортности быта, экономия природных и энергетических ресурсов, коренное улучшение технико-экономических и экологических показателей практически во всех отраслях промышленности и топливно-энергетического комплекса, модернизация базы научных исследований, медицины, образования, развитие космических исследований и разработка систем телекоммуникаций основаны на широком применении современной аппаратуры и систем радиоэлектроники, информационно-коммуникационных технологий.
Одним из основополагающих факторов расширения производства и использования современной радиоэлектронной аппаратуры и информационно-коммуникационных систем является динамичный научно-технический и производственный процесс развития электронных и радиоэлектронных технологий и организация массового выпуска необходимых электронных и радиоэлектронных компонентов.
В настоящее время доля радиоэлектроники в стоимости бытовых, промышленных и оборонных изделий и систем составляет 50 - 80 процентов. Степень совершенства этих изделий и технико-экономические показатели производства определяются в первую очередь техническим уровнем используемой электронной компонентной базы.
Улучшение технических характеристик и повышение функциональной сложности электронной компонентной базы приводит к значительному улучшению технико-экономических показателей и надежности создаваемой радиоэлектронной аппаратуры, уменьшает число сборочных операций и количество используемых компонентов, уменьшает стоимость продукции.
Мировой рынок микроэлектронной техники (основной составляющей электронной промышленности) в 2006 году достиг объема 260 млрд. долларов США с показателем роста в 10,6 процента в год, что почти в 3 раза превышает мировые показатели прироста валового внутреннего продукта, который составил в 2006 году 37,74 трлн. долларов США. Объем мирового производства радиоэлектронной продукции в 2006 году составил 1,32 трлн. долларов США, а радиоэлектроника по величине добавленной стоимости превосходит автомобильную, авиационную и общемашиностроительную отрасли.
Радиоэлектроника используется ведущими мировыми державами как рычаг удержания мирового технического, финансового, политического и военного господства. Развивающиеся страны рассматривают государственную поддержку электронной и радиоэлектронной промышленности как наиболее эффективный способ подъема экономики и вхождения в мировой рынок.
Мировой опыт также показывает, что совершенствование электронной продукции и наращивание объемов ее производства ведется главным образом на основе комплексных целевых научно-технических программ, инициируемых правительствами развитых и развивающихся стран и финансируемых до 50 процентов из средств государственного бюджета. Ежегодно на программы развития только электроники в мире выделяется более 12 млрд. долларов США, а если учесть, что фирмы расходуют до 10 процентов объемов продаж изделий электроники на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, эта сумма вырастает до 30 млрд. долларов США.
Объем капитальных вложений в полупроводниковую отрасль (включая научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы) в 2006 году в мире превысил 53 млрд. долларов США.
Наряду с прямым финансированием программ правительства заинтересованных в развитии электроники государств оказывают косвенную поддержку новых производств путем предоставления налоговых льгот, льготных кредитов на закупку технологий и специального технологического оборудования, государственных гарантий инвесторам, уменьшения срока амортизации специального технологического оборудования и защиты внутреннего рынка от импорта.
В сложившейся ситуации единственным способом решения проблемы развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники в Российской Федерации является программно-целевой метод, обеспечивающий необходимый уровень адресной поддержки развития технологий и новых производств в целях обеспечения повышения конкурентоспособности экономики, инвестиционных программ и проектов в секторах с высокой долей участия государства, прежде всего проектов оборонно-промышленного комплекса.
Таким образом, реализация Программы полностью соответствует приоритетам государственной политики по созданию стратегически важных для страны инфраструктурных объектов, от которых зависит устойчивое функционирование всей экономики страны и ее сфер, способствующих инновационно-технологическому прорыву, решение задач социально-экономической политики государства, развитие и безопасное функционирование технически сложных систем и экологическая безопасность.
Программа разрабатывалась с учетом следующих положений:
развитие технологий в мире является непрерывным, постоянно обновляющимся процессом;
обострение конкурентной борьбы на внешнем, а также на внутреннем рынках в связи с предстоящим присоединением Российской Федерации к Всемирной торговой организации с учетом поставленной руководством страны задачи резкого увеличения темпов роста валового внутреннего продукта требует интенсификации ускорения разработки и передачи в производство передовых технологий мирового уровня и модернизации производств, которые могли бы составить производственно-технологический базис для создания и реализации конкурентоспособной наукоемкой продукции;
развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники позволит решить вопрос создания основы для развития передовых отраслей промышленного производства, обеспечит укрепление экономики, расширит сферы применения средств телекоммуникаций, информатики, улучшит условия труда и быта населения, будет способствовать повышению его образовательного и интеллектуального уровня, уровня медицинского обслуживания и социального обеспечения, улучшит экологию;
электронная компонентная база и новые технологии сборки аппаратуры являются основой для разработки и производства радиоэлектронной аппаратуры, систем связи и телекоммуникаций, систем управления в технике, промышленности, социальной сфере, торговле и на транспорте, связаны с технологиями и материалами двойного назначения, дают возможность применения изделий в экстремальных условиях эксплуатации (космическое пространство, земные недра, мониторинг обстановки вблизи источников излучений ядерных объектов, физические эксперименты, стихийные бедствия) и в специальной технике (системы антитеррора и контроля за перемещением наркотиков, системы экологического мониторинга, системы раннего предупреждения и ликвидации последствий техногенных катастроф);
совершенствование технологий и конструкций обеспечивает не только повышение функциональных и технических характеристик электронной компонентной базы и создаваемой на их основе аппаратуры, но снижает нагрузку в целом на проектирование и выпуск аппаратуры и систем. Это объясняется тем, что этап проектирования систем, выполняющих сложные функции, переносится на этап проектирования специализированных больших интегральных схем, а основной объем сборочных операций при выпуске аппаратуры заменяется на процессы интеграции элементов при изготовлении сложнофункциональной электронной компонентной базы, которая выполняет роль блоков и узлов аппаратуры или полностью реализует функции аппаратуры в составе одной сверхбольшой интегральной схемы "система на кристалле" (однокристальный телевизор, однокристальный телефон). При использовании аппаратуры и систем с высокими техническими показателями достигается значительный эффект в части повышения производительности, точности и надежности выполнения функций, энергосбережения, экономии материалов, улучшения условий труда;
количественно определенный результат будет фиксироваться по каждому инвестиционному проекту в виде достигнутых мощностей производства, показателей технического качества выпускаемой продукции, социально значимых показателей (количество дополнительных рабочих мест, улучшение условий труда, снижение экологической нагрузки), технико-экономических показателей производства (снижение энергопотребления, повышение процента выхода годных изделий), расширения объема экспортных поставок, а также размера поступлений в бюджет в виде налогов;
осуществление мероприятий Программы в два этапа (I этап - 2008 - 2011 годы, II этап - 2012 - 2015 годы) обеспечивает реализацию принципа преемственности в отношении подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007 - 2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы, а также дает возможность оптимизации мероприятий II этапа Программы с учетом результатов I этапа, возникающих новых стратегических задач развития, сложившейся конъюнктуры рынка и развития новых мировых технологических направлений;
системное информационно-аналитическое обеспечение формирования годовых планов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, нацеленных на выполнение мероприятий Программы и определение наиболее перспективных направлений работ с учетом мирового опыта и достигнутых промежуточных результатов;
увязка расходов с возможностями бюджета в течение всего срока реализации Программы путем финансирования Программы по итогам выполнения плана научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ за предыдущий год на основе ежегодного открытого конкурса проектов, который позволит оптимизировать состав участников Программы и обеспечить максимально возможное выполнение мероприятий Программы при заданном объеме финансирования;
расходы на осуществление научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ должны преобладать над расходами капитального характера, включая приобретение оборудования, в структуре бюджетного финансирования Программы (60 процентов расходов - научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и 40 процентов - капитальные вложения), что позволит достигнуть максимально возможный практический эффект от реализации Программы в целом. Каждый инвестиционный проект Программы сопровождается соответствующим мероприятием (комплекс научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке автоматизированных систем проектирования, базовых технологий и базовых конструкций электронной компонентной базы, радиоэлектронных блоков и узлов, технологических и конструкционных материалов);
невозможность решения проблемы межотраслевого, межведомственного характера другими способами требует принятия решений на уровне Правительства Российской Федерации, что обусловлено в первую очередь государственной важностью этой задачи и ее стратегическим значением для подъема производства промышленного комплекса, а также широким кругом использования электронной компонентной базы и радиоэлектроники для решения задач социально-экономического развития страны;
применение комплексного подхода позволит увязать технологическое и производственное развитие элементного базиса и конечную востребованную внутренним рынком радиоэлектронную продукцию.
Важным обстоятельством является то, что в ближайшие годы в Российской Федерации открываются новые сектора рынка, еще не занятые иностранным производителем.

Обеспечение создания и производства средств
радиочастотной идентификации

Одним из важнейших направлений применения радиочастотной идентификации является электронный паспорт. Работы в этом направлении активно ведутся в настоящее время и в Российской Федерации. Для введения электронного паспорта при населении около 150 млн. человек потребуется такое же количество микросхем. Следует также учесть ежегодное пополнение взрослого населения, необходимость замены паспортов по семейным и другим обстоятельствам, а также плановое обновление паспортов один раз в 5 лет.
Таким образом, перевод паспортно-визовых документов на электронную технологию потребует единовременно около 150 млн. микросхем и затем ежегодно по 50 млн. микросхем. Дополнительное количество микросхем потребуется в связи с переводом на эту же технологию водительских удостоверений, смарт-карт платежных систем и SIM-карт мобильной связи.
Для защиты этого сегмента рынка от экспансии микросхем иностранного производства принципиально важным является решение об обязательном выборе в качестве разработчика и изготовителя микросхем для электронного паспорта российской организации.
С использованием подобных технологий можно выпускать менее сложные микросхемы, например электронные метки для товаров и грузов (по экспертным оценкам, потребность в них в 2007 году может достигнуть 250 - 400 млн. штук). Потребность в микросхемах возникнет и при формировании инфраструктуры пользователей, поскольку радиоэлектронная аппаратура пользователей средств радиочастотной идентификации подвижных объектов транспортных средств, грузов, товаров, контроля доступа, в том числе электронных паспортов, строится с широким использованием унифицированных электронных модулей считывателей обработки сигналов, модулей системы опознавания, вторичных источников электропитания и других видов унифицированных блоков и узлов аппаратуры. По экспертным оценкам, объем данного сегмента рынка составляет 15 - 18 млрд. рублей в год, в том числе объем рынка микроэлектронных изделий - 6 - 7 млрд. рублей в год.

Обеспечение создания и производства средств
координатно-временного обеспечения

В настоящее время основными и наиболее точными средствами навигационного обеспечения различных потребителей являются глобальные навигационные спутниковые системы ГЛОНАСС (Российская Федерация) и GPS (США). В Европе разворачивается навигационная система "Галилео". Принятие решения о снятии ограничений на точность координатного определения расширяет возможности гражданского применения специальной спутниковой системы и, соответственно, увеличивает объем рынка.
По экспертным оценкам, объем российского рынка навигационной аппаратуры составляет около 5 процентов общего мирового рынка, что соответствует около 50 млн. навигационных приборов. Необходимо обеспечить сохранение за российским производителем не менее 50 процентов рынка навигационной аппаратуры. Основным массовым потребителем систем и средств координатно-временного обеспечения является транспорт всех видов (автомобильный, морской и речной, железнодорожный и авиационный). Кроме того, большой интерес для производства средств координатно-временного обеспечения представляют телекоммуникационный рынок (в части систем синхронизации передачи данных), рынок геодезических услуг (учет земли, строительство и пр.), рынок систем энергоучета и учета перемещения продуктов по газо- и нефтепроводам, персональная навигация во всех ее применениях, включая мобильные телефоны.
Несмотря на значительную номенклатуру навигационной аппаратуры пользователей, в ее основе лежит широкое использование унифицированных электронных модулей (приемо-измерительные модули, функциональные узлы, контроллеры, вторичные источники питания). По экспертным оценкам, объем данного сектора рынка составляет 3,5 - 4,5 млрд. рублей в год, а объем рынка изделий микроэлектроники - 1,5 - 2,2 млрд. рублей в год.

Обеспечение создания и производства техники
цифрового телевидения

Правительство Российской Федерации в мае 2004 г. приняло решение о внедрении в стране европейской системы цифрового телевизионного вещания. Это решение открывает большие возможности для широкого использования российского высокотехнологичного оборудования при исключении "захвата" российского рынка телевидения иностранными фирмами, как это произошло при внедрении мобильной радиосвязи.
По экспертным оценкам, объем рынка аппаратуры цифрового телевидения до 2015 года составит около 55 млрд. рублей в год, при этом уже сегодня не менее 60 процентов аппаратуры может выпускаться российскими производителями.
Следует учитывать, что дополнительную потребность создает производство приставок к обычным аналоговым телевизорам для возможности приема ими цифрового телевизионного сигнала. С учетом большого количества аналоговых телевизоров, находящихся в пользовании у населения (не менее 80 млн. аппаратов), данный сегмент рынка представляется весьма существенным. Кроме того, следует учитывать систему платного абонентского телевидения, в которой используются специальные схемы, обеспечивающие возможность платного просмотра. Общий объем рынка унифицированных электронных модулей для систем цифрового телевидения - цифровых приставок и цифровых телевизоров (включая сверхбольшие интегральные схемы канальных демодуляторов и декодеров, тюнеров (селекторов каналов), сверхбольшие интегральные схемы цифровых процессоров обработки сигналов изображения и звука, дисплейных модулей, импульсных источников питания и т.д.) оценивается около 20 млрд. рублей в год, а объем рынка электронной компонентной базы для данного направления составит 6 - 8 млрд. рублей в год.
По мере перевода сетей телевизионного вещания на цифровой формат в Российской Федерации будет разворачиваться массовое производство цифровых телевизоров. Ожидается, что объем российского рынка цифровых телевизоров уже к 2010 году может достичь 7 - 10 млн. штук в год. Согласно прогнозу большая часть этих телевизоров будет изготовлена на основе плоских телевизионных панелей, в первую очередь жидкокристаллических. Поэтому программа производства электронной компонентной базы для приемников цифрового телевидения должна предусматривать создание российских плоских телевизионных дисплеев и элементной базы для них (интегральных схем драйверов, цифровых сверхбольших интегральных схем обработки сигналов и т.д.), тем более что плоские дисплеи являются продукцией двойного назначения, так как широко используются в качестве средств отображения в специальной и военной аппаратуре. Поскольку для строительства современного завода по производству плоских телевизионных дисплеев требуются инвестиции в объеме 1 - 2 млрд. долларов США, для решения этой задачи целесообразно привлечение иностранных партнеров и создание совместных производств. Такая практика широко распространена даже среди ведущих мировых производителей плоских дисплеев, которые образуют стратегические альянсы для объединения своих финансовых и технологических ресурсов.

Обеспечение создания военной и специальной
электронной компонентной базы и радиоэлектроники

Сектор рынка, связанный с созданием военной и специальной электронной компонентной базы и радиоэлектроники, способен обеспечить небольшую, но стабильную загрузку российской радиоэлектронной промышленности. Анализ государственной программы вооружения показывает, что к 2015 году ежегодный объем серийных закупок электронной компонентной базы и радиоэлектроники будет составлять более 30 млрд. рублей в год. Особенностями этого сектора являются:
широкая номенклатура электронной компонентной базы и радиоэлектроники (номенклатура только электронной компонентной базы составляет более 25 тыс. типономиналов);
повышенные требования по эксплуатации (температура, влажность, радиационная стойкость, повышенная надежность, устойчивость к механическим воздействиям и т.д.);
относительно небольшие объемы выпуска заказываемой продукции;
длительный жизненный цикл поставляемых изделий, включая необходимость воспроизводства в течение 10 - 15 лет.

Обеспечение создания оборудования широкополосного
беспроводного доступа

Анализ направлений развития технологии телекоммуникаций показал, что в настоящее время разрабатываются средства создания широкополосных беспроводных сетей связи, обеспечивающих обмен 3 видами информации (голос, передача данных, в том числе по сети Интернет, и телевидение).
Указанная технология особенно актуальна и перспективна для Российской Федерации, большая часть территории которой не оснащена кабельными и проводными линиями связи.
Традиционно продукция российских разработчиков и производителей беспроводного оборудования (радиосвязь, спутниковая и радиорелейная связь) являлась и продолжает оставаться конкурентоспособной на рынках телекоммуникационного оборудования, что позволяет рассчитывать на высокую долю (примерно 50 процентов) российского оборудования в этом секторе рынка. Объем внутреннего рынка аппаратуры беспроводного широкополосного доступа в настоящее время составляет около 50 млн. долларов США при высоких темпах роста (50 - 60 процентов в год, что составит к 2010 году 6 - 8 млрд. рублей в год), причем основную часть этого рынка (до 80 процентов) занимают унифицированные приемо-передающие модули, модули сетей доступа, модули защиты, микроконтроллеры и другая продукция.

Авионика

Для обеспечения в рамках Единой системы организации воздушного движения Российской Федерации поставки бортовых радиоэлектронных систем для строительства воздушных судов и наземных радиоэлектронных систем необходимо осуществить разработку значительного объема новой элементной базы и радиоэлектронного оборудования.
В отношении аэронавигационной системы страны осуществляется единая техническая политика, предусматривающая модернизацию средств и систем организации воздушного движения в интересах обеспечения деятельности всех видов авиации в основном российским оборудованием и обеспечивающая соответствие национальным интересам Российской Федерации, российским и международным стандартам.
С учетом новых принципов функционирования аэронавигационной системы, основанных на интеграции перспективных наземных, бортовых и спутниковых средств и систем аэронавигации, необходимо обеспечить их гармонизированное развитие.
Среднегодовой объем потребления продукции радиоэлектронной промышленности может составить 2 - 3 млрд. рублей в год, при этом объем рынка унифицированных электронных модулей - 1 млрд. рублей в год.
В области создания гражданской авиатехники планируется принципиальное изменение стратегической позиции гражданского сектора авиационной промышленности Российской Федерации на мировом авиарынке, включая рынок России и государств - участников СНГ. Фактическое возвращение отрасли на этот глобальный рынок в качестве мирового центра авиастроения и обеспечение к 2015 году не менее 5 процентов мирового рынка продаж гражданской авиационной техники позволят осуществить годовой объем продаж в 2015 году 65 - 85 магистральных и региональных самолетов российского производства. Рыночные доходы российской авиационной промышленности в 2015 году составят 54 млрд. рублей.
По экспертным оценкам, объем рынка бортовой радиоэлектронной аппаратуры в настоящее время составляет 0,5 - 1 млрд. рублей в год, объем рынка систем и средств для обеспечения авиационной деятельности гражданской авиации - 2,5 - 4 млрд. рублей в год.

Автомобильная электроника

Развитие производства изделий и систем автомобильной электроники, электрооборудования и приборов для автомобилей является решающим фактором повышения конкурентоспособности российских автомобилей.
Электронные и микропроцессорные системы управления агрегатами автомобилей являются одними из основных средств, обеспечивающих выполнение современных международных норм и требований по снижению расхода топлива, повышению безопасности, снижению токсичности отработанных газов, повышению комфорта, обеспечению быстрой и надежной диагностики обнаружения отказов и их устранения, обеспечению информационной поддержки и связи пассажиров и водителя с внешним миром.
Выполнение требований по экологии норм ЕВРО-4, ЕВРО-5, а также других требований к автотранспортным средствам возможно только при внедрении электронных систем управления.
На долю автомобильной электроники и автотранспортного электрооборудования приходится значительная часть общих затрат на производство современного автомобиля (до 20 процентов стоимости легкового автомобиля).
Ожидается, что в 2008 - 2015 годах отечественные автомобили будут оснащаться электронными средствами управления двигателями, системами безопасности, навигации и связи, что приведет к повышению доли электроники в общей стоимости автомобиля до 12 - 18 процентов.
Исходя из прогнозируемых объемов производства отечественной автомобильной техники (легковые, грузовые автомобили и автобусы), а также планируемого оснащения их электрическими и электронными системами к 2015 году предполагается осуществить продажу на рынке легковых автомобилей на сумму 77,4 млрд. рублей, грузовых автомобилей - 23,25 млрд. рублей, автобусов - 37,79 млрд. рублей.

Участие в реализации национальных проектов

Обеспечение создания и производства современного
медицинского оборудования, в том числе мобильного типа

При создании и производстве медицинского оборудования широко применяются электронная компонентная база и унифицированные электронные модули (приборы дистанционной диагностики, микропроцессорного управления, сенсоры и датчики, схемы формирования электрических сигналов, генерации лазерного и сверхвысокочастотного излучения и т.д.). Если не принять меры по развитию производства этого оборудования в Российской Федерации, значительная часть рынка будет отдана иностранным компаниям.
В настоящее время объем рынка медицинской техники в России составляет около 40 млрд. рублей, в том числе около 30 млрд. рублей - импортные изделия, причем значительную долю из них составляют изделия с применением современной микроэлектроники (более 42 процентов).
Средняя стоимость изделий медицинской радиоэлектроники мобильного типа с учетом покупательной способности населения страны не должна превышать 1,5 - 2 тыс. рублей, общий объем рынка оборудования этого типа прогнозируется на уровне 5 млн. единиц в год, а доля электронной компонентной базы в стоимости такого оборудования составит не менее 80 процентов. Таким образом, общий объем рынка электронной компонентной базы для медицинского оборудования мобильного типа может составить 8 - 10 млрд. рублей в год.
В связи с высокой стоимостью импортного медицинского оборудования одним из путей снижения стоимости такого оборудования должно стать широкое применение российской электронной компонентной базы и унифицированных электронных модулей. Доля электронной компонентной базы в общей стоимости только стационарного оборудования достигает 20 процентов, поэтому исходя из общего объема рынка такого оборудования (2 млрд. рублей в год) можно рассчитывать на сбыт электронной компонентной базы в объеме 0,3 млрд. рублей и унифицированных электронных модулей в объеме около 1,5 млрд. рублей.
Совокупный объем рынка электронной компонентной базы для медицинского оборудования может достигнуть к 2011 году 25 млрд. рублей в год.

Современные технологии образования

В области образования необходимо в первую очередь обеспечить равный доступ всех обучающихся к источникам информации, в связи с чем необходимо организовать устойчивый высокоскоростной доступ к сетевым ресурсам на всей территории страны.
Беспроводной мультимедийный доступ к ресурсам обучения целесообразно развивать путем существенного снижения стоимости персональных мобильных компьютеров с целью максимального приближения их цены к покупательной способности населения Российской Федерации.
Решить эту задачу можно только в результате организации массового производства комплектующих для выпуска указанных устройств и оборудования на территории Российской Федерации, причем основным подходом к решению данной задачи должно быть резкое сокращение количества комплектующих в персональных и мобильных вычислительных устройствах за счет применения схем "система на кристалле" и организации их массового производства на микроэлектронных производствах высокого технологического уровня. Кроме того, необходимо организовать на территории Российской Федерации массовое производство дешевых жидкокристаллических и других мониторов (например, на базе технологии дешевых гибких рулонных дисплеев).
Общий объем рынка мультимедийных устройств для систем проводной и беспроводной связи может достичь 5 млн. единиц в год, что составляет 3,5 - 7 млрд. рублей в год. Доля электронной компонентной базы в стоимости таких изделий составляет не менее 70 процентов, то есть совокупный объем сбыта электронной компонентной базы в этом сегменте рынка может составить 2,5 - 5 млрд. рублей в год.

Радиоэлектроника и доступное жилье

В ближайшей перспективе планируется значительное сокращение расходов на эксплуатацию и энергообеспечение жилья. Большое значение при этом имеет широкое внедрение приборов, работающих на солнечной энергии, высокоэкономичных твердотельных источников освещения и систем интеллектуального управления объектами в жилых помещениях, оптимизирующих энергопотребление и обеспечивающих постоянный мониторинг всех предметов управления, находящихся в помещении ("интеллектуальный дом").
Кроме того, большое значение имеет решение вопросов, связанных с обеспечением коммунальной инфраструктуры строящегося и модернизируемого жилищного фонда, повышением его качества, оптимизацией использования энергии и совершенствованием учета объема коммунальных услуг (водоснабжение, электроснабжение, теплоснабжение).
Модернизации с применением электронных технологий должны подвергнуться около 20 млн. единиц жилищного фонда страны за 10 лет. При среднем уровне затрат на модернизацию не менее 1,5 - 2 тыс. рублей на единицу жилья общий объем этого сегмента рынка может составить 3 млрд. рублей в год.

Электроника и сельское хозяйство

В области сельского хозяйства электронные технологии должны использоваться для создания производственной основы модернизации сельскохозяйственного машиностроения (в том числе транспортной составляющей, технологического оборудования для животноводства и первичной переработки продукции, новой инженерно-технической базы отрасли), беспроводных сенсорных сетей на основе интеллектуальных датчиков, контролирующих состояние почвы и растительных культур, а также перемещение скота.
Применение указанных технологий в сельском хозяйстве обеспечит резкое снижение затрат за счет рационального использования удобрений, сокращение падежа скота и птицы, а также своевременное предупреждение о распространении среди животных опасных для человека эпидемий.
По экспертным оценкам, объем сегмента рынка унифицированных электронных модулей для сельского хозяйства (модули средств измерений и контроля, датчики и анализаторы физико-технологических параметров пищевых продуктов и режимов их хранения, модули локальной связи и информационно-управляющие модули, модули систем автоматизации и лабораторно-полевого радиоэлектронного оборудования для экспресс-анализа и т.д.) составляет около 20 - 25 млрд. рублей в год, а объем рынка электронной компонентной базы для этих целей - 10 - 16 млрд. рублей в год.
Актуальным сектором рынка является также создание радиоэлектронной инфраструктуры обеспечения безопасности - противопожарных и охранных систем, систем контроля доступа, средств контроля и диагностики, газоанализаторов, систем обнаружения наркотиков, оружия, боеприпасов - расширение и совершенствование информационно-аналитической сети обеспечения безопасности.
Такие сегменты рынка потребителей электронной компонентной базы, как промышленная электроника, энергетическое оборудование, связь, космическая техника, специальная техника, автомобильная электроника, системы безопасности, бытовая техника, торговое оборудование, могут также существенно увеличить загрузку развиваемого микроэлектронного производства.
Следовательно, в России существует реальная, подкрепленная гарантированным рынком государственных закупок возможность создания современного производства изделий радиоэлектронной промышленности с общим объемом сбыта к 2011 году до 250 млрд. рублей в год.
Реализация Программы существенным образом преобразит структуру внутреннего рынка, упрочив позиции отечественных производителей электронной компонентной базы и радиоэлектронной продукции. Выполнение программных мероприятий на основе комплексной модернизации ключевых производств, которая будет осуществляться за счет развития нового технологического уровня (в свою очередь, модернизированные организации будут способны воспринять и освоить новые технологические уровни), обеспечит практическую направленность научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ Программы.
Программа направлена на приоритетное развитие основных базовых электронных технологий, обеспечивающих укрепление научно-производственной базы российской электроники, ускоренное развитие автоматизированных систем проектирования электронной компонентной базы и реализацию основных структурных элементов интегрированной многоуровневой системы разработки сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически важных систем на базе библиотек стандартных элементов, сложнофункциональных блоков, специализированных больших интегральных схем "система на кристалле", прикладного и системного программного обеспечения.
Срок реализации Программы обусловлен необходимостью ее согласования с основными действующими и разрабатываемыми долгосрочными программами социально-экономического развития, а также крупными инвестиционными проектами, реализуемыми в рамках Программы.
Программа подготовлена и будет реализовываться на основе следующих принципов:
комплексность решения наиболее актуальных проблем научно-технического и технологического развития разработки и производства электронной компонентной базы и радиоэлектроники;
сосредоточение основных усилий на развитии критических технологий, разработке и организации выпуска новых серий электронной компонентной базы, унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций, имеющих межотраслевое значение для повышения технологического уровня и конкурентоспособности российской радиоэлектронной продукции;
адресность инвестиций в отношении проектов, реализуемых в рамках Программы, в сочетании с возможностью маневра бюджетными средствами и их концентрацией на приоритетных направлениях для обеспечения наибольшей эффективности реализуемых мероприятий;
обеспечение эффективного управления реализацией Программы и контроля за целевым использованием выделенных средств;
создание условий для продуктивного сотрудничества государства и частных организаций, обеспечивающих сочетание экономических интересов и соблюдение взаимных обязательств.

II. Основные цель и задачи Программы, срок и этапы
ее реализации, а также целевые индикатор и показатели

Основной целью Программы является развитие научно-технического и производственного базиса для разработки и производства конкурентоспособной наукоемкой электронной и радиоэлектронной продукции в целях решения приоритетных задач социально-экономического развития и обеспечения национальной безопасности Российской Федерации.
Задачи Программы:
обеспечение отечественных радиоэлектронных средств и систем, в первую очередь средств и систем, имеющих в основном стратегическое значение для страны, российской электронной компонентной базой необходимого технического уровня;
разработка базовых промышленных технологий и базовых конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов;
техническое перевооружение организаций радиоэлектронной отрасли на основе передовых технологий;
создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов, унифицированных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры для обеспечения российской продукции и стратегически значимых систем;
опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем с целью достижения мирового уровня.
В результате реализации Программы предполагается создание современной технологической базы и модернизация промышленного производства электронной компонентной базы, радиоэлектронных блоков и узлов аппаратуры, необходимых для разработки и производства высокотехнологичной наукоемкой продукции мирового уровня в области важнейших технических систем (воздушный, морской и наземный транспорт, ракетно-космическая техника, машиностроительное и энергетическое оборудование, вычислительная техника, системы управления, связи и информатики, медицинская техника, аппаратура для научных исследований, образования и экологического контроля) и обеспечивающих технологические аспекты национальной безопасности государства, увеличение в 2 раза к 2010 году объема национального валового продукта, расширение возможностей для равноправного международного сотрудничества в сфере высоких технологий.
Реализация Программы позволит:
на макроуровне:
увеличить объем продаж изделий российской электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники на внутреннем и внешнем рынках;
значительно сократить технологическое отставание российской радиоэлектронной промышленности от мирового уровня;
обеспечить большие возможности для развития всех отраслей промышленности;
создать условия для более эффективной реализации национальных проектов;
создать ориентированную на рынок инфраструктуру радиоэлектронной промышленности (системоориентированные центры сквозного проектирования электронной компонентной базы, блоков и узлов аппаратуры, специализированные производства, осуществляющие изготовление изделий электронной техники по заказам проектирующих организаций, научно-технологические центры по разработке новых уровней технологий и базовых конструкций, маркетинговые и торговые центры, дилерские сети и т.д.);
активизировать инновационную деятельность и ускорить внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое производство;
обеспечить возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государства;
на микроуровне:
обеспечить обновляемость основных фондов организаций радиоэлектронной промышленности и стимулировать создание современных высокотехнологичных производств;
создать крупные и эффективные диверсифицированные структуры (холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими иностранными фирмами, работающими в области радиоэлектроники;
организовать производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, реализующей современные телекоммуникационные услуги, включая радио и телевидение.
В результате реализации Программы в социально-экономической сфере:
повысится качество жизни населения благодаря интеллектуализации среды обитания и расширению возможности использования радиоэлектроники и информационных систем;
увеличится число рабочих мест в радиоэлектронной промышленности, снизится отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечится привлечение молодых специалистов и ученых и улучшится возрастная структура кадров;
улучшится экологическая ситуация за счет разработки экологически чистых технологий получения и обработки специальных материалов, развития новых радиоэлектронных производств с повышенными требованиями к нейтрализации и утилизации вредных веществ и отходов, создания новых поколений датчиков, сенсоров и приборов контроля вредных и опасных веществ, введения автоматизированных систем контроля и раннего предупреждения техногенных катастроф и аварий.
В бюджетной сфере будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет значительного повышения объема продаж изделий радиоэлектронной промышленности.
Принимая во внимание мировой опыт определения оптимального срока реализации научно-технических программ (4 - 5 лет), Программу предполагается выполнить в 2 этапа:
I этап - 2008 - 2011 годы;
II этап - 2012 - 2015 годы.

Целевые индикатор и показатели реализации Программы

Технический уровень современной электронной компонентной базы будет оцениваться по освоенному в производстве технологическому уровню изделий микроэлектронной техники, который выполняет роль индикатора.
Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска современной электронной компонентной базы, соответствующей потребностям российских производителей аппаратуры и систем. В 2011 году уровень технологии должен достичь 0,09 мкм, а к 2015 году - 0,045 мкм, что существенно сократит отставание российской электроники и радиоэлектроники от мировых показателей.
Основным показателем реализации Программы является увеличение объема продаж конкурентоспособных изделий электронной компонентной базы и радиоэлектронной продукции. Ожидается, что в 2011 году значение этого показателя составит около 130 млрд. рублей, а в 2015 году - 300 млрд. рублей, темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями.

   ------------------------------------------------------------------

--> примечание.
В соответствии с Указом Президента РФ от 04.03.2010 № 271 Федеральное агентство по образованию упразднено. Его функции переданы Министерству образования и науки РФ, которое является правопреемником Рособразования, в том числе по обязательствам, возникшим в результате исполнения судебных решений.

   ------------------------------------------------------------------

Показателем эффективности выполнения программных мероприятий является количество переданных в производство электронных и радиоэлектронных технологий, обеспечивающих конкурентоспособность конечной продукции. К 2011 году их количество будет составлять более 180 технологий, а к 2015 году - не менее 270 технологий. В результате реализации Программы в 35 организациях электронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут созданы центры проектирования, а в 89 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 29 организациях приборостроения и промышленности средств связи Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", Федерального космического агентства и Федерального агентства по образованию, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 28 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Значения индикатора и показателей реализации мероприятий Программы приведены в приложении № 1.
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

III. Перечень мероприятий Программы

Перечень мероприятий Программы приведен в приложении № 2. Мероприятия структурированы по следующим важнейшим направлениям развития электронной компонентной базы и радиоэлектроники:
сверхвысокочастотная электроника;
радиационно стойкая электронная компонентная база;
микросистемная техника;
микроэлектроника;
электронные материалы и структуры;
группы пассивной электронной компонентной базы;
унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции;
типовые базовые технологические процессы;
развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов;
обеспечивающие работы.
В рамках направления "Сверхвысокочастотная электроника" предусмотрены мероприятия по разработке:
технологии производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы A3B5, приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона;
базовой технологии производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур;
базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий";
базовой технологии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах;
базовой технологии изготовления сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов повышенной надежности, эффективности и долговечности;
базовой технологии изготовления вакуумных сверхвысокочастотных приборов нового поколения;
технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного контроля параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотных диапазонов для массового производства;
базовой технологии изготовления мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей нового поколения с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения;
технологии изготовления сверхбыстродействующих приборов (до 150 ГГц) на наногетероструктурах с квантовыми дефектами;
базовой технологии производства портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных, твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования.
В рамках Программы получат дальнейшее развитие работы по вакуумной сверхвысокочастотной электронике.
Вакуумная сверхвысокочастотная электроника является единственной областью электроники России, которая до настоящего времени сохранила по ряду направлений лидирующие позиции в мире.
Лидирующие позиции российских организаций в 70 - 90 годы XX века сформировались по 3 направлениям:
многолучевые клистроны;
двухрежимные лампы бегущей волны;
гироприборы миллиметрового диапазона.
Преимущество приборов вакуумной сверхвысокочастотной электронной техники по сравнению с твердотельными сверхвысокочастотными изделиями заключается в возможности получения очень больших уровней мощности, высокой линейности характеристик, устойчивости к работе в условиях радиации, более высоком коэффициенте полезного действия и отсутствии проблем с обеспечением теплоотвода от изделий. Требования по увеличению уровня мощности радиоэлектронных систем растут в связи с разработкой новых систем и технологий радиопротиводействия и электронного поражения, увеличением дальности радиолокационного обнаружения, созданием головок самонаведения и других систем высокоточного оружия. Разрешающая способность систем обнаружения и наведения также непрерывно увеличивается.
Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона и разработка соответствующей радиоэлектронной аппаратуры связаны с созданием в стране электронной компонентной базы с рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для создания таких электронных приборов являются широкозонные полупроводники (нитрид галлия и карбид кремния) для мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов и гетероструктуры "кремний - германий" для монолитных интегральных схем.
В рамках направления "Радиационно стойкая электронная компонентная база" предусмотрено выполнение мероприятий Программы в целях создания:
базовой технологии изготовления радиационно стойких специализированных больших интегральных схем уровней 0,5 - 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе";
технологии проектирования и изготовления серий логических и аналоговых радиационно стойких приборов на базе структуры "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 - 0,18 мкм;
базовой технологии изготовления радиационно стойких специализированных больших интегральных схем энергонезависимой памяти;
технологии получения структур "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" для лицензионно-независимых специализированных цифровых сверхбольших интегральных схем, микроконтроллеров и схем интерфейса;
технологии изготовления радиационно стойких силовых приборов.
Предполагается разработать принципиально новую технологию с применением элементов памяти на основе фазовых структурных переходов вещества, нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и обеспечивающих создание универсального типа встроенной памяти для микроконтроллеров и микропроцессоров. При этом резко сократится номенклатура применяемых элементов. Кроме того, будут разработаны качественно новые приборы на основе ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы емкостью до 200 тысяч вентилей, программируемые логические интегральные схемы, функционально ориентированные процессоры, аналоговые, аналого-цифровые и цифроаналоговые специализированные сверхбольшие интегральные схемы).
В рамках направления "Микросистемная техника" предусмотрено выполнение мероприятий в целях:
разработки базовой технологии прецизионного формирования микроэлектромеханических трехмерных структур;
создания системы автоматизированного проектирования микроэлектромеханических интегрированных систем, сенсоров механических и электрических величин, гироскопов, прецизионных акселерометров, включая создание специализированного центра проектирования микроэлектромеханических систем на базе библиотек стандартных элементов;
разработки библиотеки стандартных элементов микроэлектромеханических устройств с использованием пьезоэлектрических материалов и системы автоматизированного проектирования фильтров, резонаторов, пьезоактюаторов, пьезогироскопов, гидроакустических антенн и других приборов;
разработки базовых технологий производства и базовых конструкций микроакустоэлектромеханических, микроаналитических, микрооптоэлектромеханических, радиочастотных микроэлектромеханических систем и микросистем анализа магнитных полей.
Это позволит разработать датчики физических величин, в частности датчики давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, резонаторов и другие. Будут освоены базовые технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды и способных обнаруживать опасные, токсичные, горючие и взрывчатые вещества.
В рамках направления "Микроэлектроника" предусмотрены следующие мероприятия:
разработка базовых технологий изготовления специализированных больших интегральных схем, в том числе технологии изготовления комплементарных полевых транзисторных структур уровней 0,25, 0,18, 0,13, 0,09, 0,065 мкм, с созданием опытного производства;
разработка технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства специализированных сверхбольших интегральных схем и организация межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов;
ускоренное развитие систем проектирования сложных специализированных сверхбольших интегральных схем (включая схемы "система на кристалле"), ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля;
разработка электронной компонентной базы нового поколения, в том числе функционально полной номенклатуры аналоговых и цифровых больших интегральных схем для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;
разработка сложнофункциональных блоков для обработки, сжатия и передачи информации, сигнальных и цифровых процессоров (в том числе программируемых), микроконтроллеров, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей, шин и интерфейсов (драйверов, приемопередатчиков), а также специализированных блоков для телекоммуникации и связи;
разработка комплектов специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" сложностью до 20 - 100 млн. транзисторов для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, широкополосный радиодоступ, космический мониторинг, системы управления и контроля);
разработка приборов силовой электроники, в том числе базовой технологии производства и конструкции тиристоров и мощных транзисторов, силовых ключей на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В, а также базовой технологии производства и конструкции силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей;
создание центров проектирования перспективной электронной компонентной базы, в том числе промышленно ориентированных центров проектирования и испытания электронной компонентной базы в составе отраслевой многоуровневой системы проектирования сложной электронной компонентной базы и аппаратуры (топологического и схемотехнического уровней), системоориентированных базовых центров сквозного проектирования радиоэлектронной аппаратуры на основе функционально сложной электронной компонентной базы и специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", а также развитие системы проектирования сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически значимых систем, учебных центров проектирования электронной компонентной базы и аппаратуры в целях обучения и подготовки высококвалифицированных специалистов.
Работы, которые будут осуществляться в рамках направления "Электронные материалы и структуры", в первую очередь ориентированы на создание технологий для освоения принципиально новых материалов, применяемых в современной электронной компонентной базе (структуры "кремний на изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и гетероструктуры, структуры с квантовыми дефектами, композитные, керамические и ленточные материалы, специальные органические материалы). Среди новых разрабатываемых материалов наиболее перспективными являются нитрид галлия, карбид кремния, алмазоподобные пленки и другие.
Предусмотрена разработка новых материалов и структур для микроэлектроники и сверхвысокочастотной электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и специальных матричных приемников, керамических материалов для многослойных плат, многокристальных сборок и корпусов электронных приборов, материалов для печатных плат и пленочных технологий, ферритовых и сегнетоэлектрических наноструктурированных материалов, композитов, клеев и герметиков в целях выпуска нового класса радиоэлектронных компонентов и приборов, корпусов и носителей, бессвинцовых сложных композиций для экологически чистой сборки электронной компонентной базы и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий, алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов, процессов самоформирования пространственных структур, сложных полупроводниковых материалов нового класса с большой шириной запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные нитридные соединения), полимерных пленочных материалов нового класса, в том числе многослойных и металлизированных, для задач политроники и сборочных процессов массового производства электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры широкого потребления.
В рамках направления "Группы пассивной электронной компонентной базы" (включая приборы оптоэлектроники, квантовой электроники, пьезо- и магнитоэлектроники, отображения информации) предусмотрено выполнение комплекса работ по совершенствованию базовых технологий и конструкций с целью повышения технических характеристик надежности и долговечности.
Приборы светотехники, оптоэлектроники и отображения информации будут совершенствоваться на основе разработки:
технологий производства интегрированных жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением и дисплеев на основе светоизлучающих диодов;
технологии производства высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем индикации и подсветки в приборах нового поколения;
базовой технологии производства и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа;
базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по бесхлоридной технологии и технологии литого кремния прямоугольного сечения;
технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку";
базовых конструкций и технологий производства активных матриц и драйверов плоских экранов на основе полимерных аморфных, поликристаллических, кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках для создания на их основе перспективных видеомодулей, в том числе органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных;
базовой конструкции и технологии производства крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей.
Работы, направленные на создание приборов квантовой электроники, будут в основном осуществляться в области разработки:
технологий производства мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз для создания аппаратуры и систем нового поколения;
технологий производства специализированных лазерных полупроводниковых диодов и лазерных волоконно-оптических модулей;
технологий производства лазерных навигационных приборов, в том числе интегрального оптического модуля лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронных компонентов для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта;
технологий изготовления полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства для определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве.
Работы, направленные на создание приборов инфракрасной техники, в основном будут осуществляться в области разработки:
технологии создания фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для аппаратуры контроля изображений;
технологии создания унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона;
технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов в целях развития системы космического мониторинга и специальных систем наблюдения.
В рамках этого направления предусматривается разработка базовых конструкций и базовой технологии изготовления магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе:
циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения, а также матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования.
Для создания новых классов приборов акустоэлектроники и пьезотехники планируется провести разработку прецизионных температуростабильных высокочастотных (до 2 ГГц) резонаторов на поверхностных акустических волнах, ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, работающих в реальной помеховой обстановке и в условиях множественного доступа, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, промышленной технологии создания акустоэлектронной компонентной базы для систем мониторинга, телекоммуникации и навигации, базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов.
Кроме того, в рамках этого направления Программы для создания нового технического уровня резисторов планируются работы по разработке технологии сверхпрецизионных резисторов, используемых для аппаратуры двойного назначения, технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, технологии интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки, технологии нелинейных резисторов (варисторов, позисторов, термисторов) в чип-исполнении, технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов.
Для создания новых классов конденсаторов будут проведены работы по изготовлению танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, по разработке технологии производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и по организации производства таких конденсаторов.
Для повышения качества коммутаторов и переключателей планируются работы по созданию технологии производства базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения, технологии создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с улучшенными техническими характеристиками, технологии изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа, а также технологии создания серий герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона.
В рамках направления "Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции" предусматривается разработка базовых технологий производства, системотехнических и конструктивных решений создания унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций нового поколения, отличающихся более высокой функциональной интеграцией и являющихся основой формирования современной унифицированной радиоэлектронной аппаратуры и систем. Будет осуществлена гармонизация российских нормативных документов с международными стандартами, используемыми ведущими мировыми производителями, что приведет к снижению типажа унифицированных электронных модулей и базовых несущих конструкций и обеспечит создание универсальных продуктовых рядов, а также повышение качества продукции.
Предусматривается разработка технологий создания следующей номенклатуры унифицированных электронных модулей:
вторичные источники питания;
приемо-передающие модули в широком спектральном диапазоне (от ультрафиолетового оптического диапазона до сверхвысокочастотного радиодиапазона);
блоки цифровой обработки информации, в том числе элементы кодирования и декодирования по заданным алгоритмам;
модули отображения информации (табло и экраны стандартных форматов, в том числе плоские телевизионные дисплеи);
модули позиционирования и ориентирования, отсчета единого времени;
модули ввода и вывода данных, аналого-цифрового и цифроаналогового преобразования данных, контроллеров;
модули управления движением (ориентация, стабилизация) и наведением (в инфракрасном, радиочастотном и телеметрическом режимах);
модули управления бортовыми радиотехническими средствами;
модули охранных систем и блоков управления оптико-электронными и лазерными средствами наблюдения, измерения и предупреждения об опасности;
модули контрольно-измерительной радиоэлектронной аппаратуры.
Кроме того, предусматривается разработка базовых конструкторских решений, обеспечивающих наиболее эффективный способ размещения и соединения блоков и узлов, повышение механической прочности, уменьшение габаритных характеристик и оптимизацию тепловых нагрузочных характеристик радиоаппаратуры. Главными условиями разработки базовых конструкций являются требование соответствия действующим мировым стандартам и аналогам, использование магистрально-модульного принципа при создании аппаратуры двойного и гражданского назначения, учет требований информационных технологий поддержки жизненного цикла, обеспечение возможности экспорта аппаратуры с учетом задач импортозамещения и конкурентоспособности по технико-экономическим показателям, обеспечение технической и радиотехнической совместимости с объектами-носителями, использование современных материалов и технологий формообразования.
В рамках направления "Типовые базовые технологические процессы" предусматриваются:
разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных полосковых плат с рабочими частотами до 40 ГГц, адаптированных к новой электронной компонентной базе сверхвысокочастотного диапазона;
разработка технологии изготовления многослойных высокоплотных печатных плат, в том числе с прямой металлизацией отверстий;
освоение технологий нанесения новых финишных покрытий (никель-золото, иммерсионное олово), обеспечивающих повышение надежности бессвинцовой пайки компонентов, сборку аппаратуры из электронной компонентной базы в малогабаритных корпусах различного типа, в том числе с матричным расположением выводов;
освоение производства прецизионных печатных плат 5-го класса;
разработка технологии изготовления печатных плат со встроенными пассивными интегрированными компонентами, позволяющей сократить на 20 - 30 процентов трудоемкость сборочных работ;
разработка технологии изготовления термонагруженных печатных плат с большой теплопроводностью и высокими диэлектрическими свойствами;
развитие лазерной технологии изготовления печатных плат;
разработка базовой квазимонолитной технологии монтажа сверхвысокочастотных специализированных приборов с рабочими частотами до 5 - 18 ГГц в сочетании с тонкопленочной технологией высокого уровня;
разработка базовых технологий сборки, монтажа и технологического контроля унифицированных электронных модулей на основе новой компонентной базы, новых технологических и конструкционных материалов, в том числе высокоточное дозирование паст на контактных площадках, высокоточная установка компонентов без необходимости визуального контроля и прямого доступа к паяным контактам;
развитие новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев;
освоение методов производственного автоматизированного контроля сборки и пайки элементов различного типа;
разработка новых методов маркировки и нанесения меток идентификации.
В рамках направления "Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов" предполагается провести комплекс исследований и разработок по следующим перспективным направлениям развития радиоэлектроники:
базовые технологии создания информационно-управляющих систем и комплексов;
технологии моделирования информационно-управляющих систем, включая системы реального времени;
технологии обработки информации, адаптации, обучения и самообучения;
технологии обеспечения информационной безопасности.
В рамках направления "Обеспечивающие работы" предусмотрено выполнение мероприятий, включающих в себя:
разработку межведомственной информационно-справочной системы и баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам проектирования;
разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему развитию электронной компонентной базы и радиоэлектроники, подготовку комплектов документов программно-целевого развития радиоэлектронной техники в интересах обеспечения технологической и информационной безопасности России;
создание и внедрение методической и научно-технической документации по проектированию сложной электронной компонентной базы, унификации электронных модулей и радиоэлектронной аппаратуры, обеспечению надежности и качества продукции, экологической безопасности производства, защите интеллектуальной собственности с учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации.

IV. Обоснование ресурсного обеспечения Программы

Расходы на реализацию мероприятий Программы составляют 187000 млн. рублей, в том числе:
за счет средств федерального бюджета - 110000 млн. рублей, из них:
на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 66000 млн. рублей;
на капитальные вложения - 44000 млн. рублей;
за счет средств внебюджетных источников - 77000 млн. рублей.
Ресурсное обеспечение Программы предусматривает привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных источников.
Объем финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по всем направлениям Программы за счет внебюджетных источников составляет не менее 33000 млн. рублей.
Средствами внебюджетных источников являются средства организаций - исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные средства, средства потенциальных потребителей технологий и средства, полученные от эмиссии акций).
Капитальные вложения направляются на создание и освоение перспективных технологических процессов изготовления электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, развитие производств нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства конкурентоспособной продукции. Для реализации проектов, связанных с техническим перевооружением, организации привлекают внебюджетные средства в объеме государственных капитальных вложений. Замещение средств внебюджетных источников, привлекаемых для выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и работ по реконструкции и техническому перевооружению организаций, средствами федерального бюджета не допускается.
Распределение объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам Программы приведено в приложении № 3.
Объемы финансирования Программы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении № 4.

V. Механизм реализации Программы

Абзацы первый - второй исключены. - Постановление Правительства РФ от 25.02.2009 № 168.
Программа имеет межотраслевой характер и отвечает интересам развития большинства отраслей промышленности, производящих и потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию.
Управление реализацией Программы будет осуществляться в соответствии с Порядком разработки и реализации федеральных целевых программ и межгосударственных целевых программ, в осуществлении которых участвует Российская Федерация, утвержденным Постановлением Правительства Российской Федерации от 26 июня 1995 г. № 594, и положением об управлении реализацией программ, утверждаемым Министерством промышленности и торговли Российской Федерации.
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)
Для осуществления контроля за выполнением работ создается научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники, представители государственных заказчиков Программы, а также организаций промышленности, использующих разрабатываемые в рамках Программы изделия электронной техники и технологии для создания и производства радиоэлектронных и радиотехнических систем.
Координационный совет будет вырабатывать рекомендации по планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам, а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов.
Для осуществления текущего контроля и анализа хода выполнения работ в рамках Программы, подготовки материалов и рекомендаций по управлению реализацией Программы создается автоматизированная информационно-аналитическая система.
Головные исполнители (исполнители) мероприятий Программы определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации.
Головные исполнители в соответствии с государственным контрактом обеспечивают выполнение проектов, необходимых для реализации мероприятий Программы, организуют деятельность соисполнителей.

   ------------------------------------------------------------------

--> примечание.
В соответствии с Указом Президента РФ от 04.03.2010 № 271 Федеральное агентство по образованию и Федеральное агентство по науке и инновациям упразднены. Их функции переданы Министерству образования и науки РФ, которое является правопреемником Рособразования, в том числе по обязательствам, возникшим в результате исполнения судебных решений.

   ------------------------------------------------------------------

Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию и Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" ежегодно представляют в Министерство промышленности и торговли Российской Федерации отчеты о результатах выполнения работ за прошедший год и предложения по формированию плана работ на следующий год.
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации в установленном порядке представляет в Министерство экономического развития Российской Федерации и Министерство финансов Российской Федерации отчет о выполнении годовых планов и Программы в целом, подготавливает и согласовывает предложения по финансированию Программы в предстоящем году.
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

VI. Оценка социально-экономической и экологической
эффективности Программы

За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций - 2008 год.
Конечным годом расчетного периода считается год полного освоения в серийном производстве разработанной за время реализации Программы продукции на созданных в этот период мощностях.
С учетом того что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего срока реализации Программы и завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей составляет 1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода принят 2017 год.
Экономическая эффективность реализации Программы характеризуется следующими показателями:
налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 198577,2 млн. рублей;
чистый дисконтированный доход - 64374,4 млн. рублей;
бюджетный эффект - 125045,9 млн. рублей.
Индекс доходности (рентабельность) составит:
для всех инвестиций - 1,52;
для бюджетных ассигнований - 2,7.
Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что свидетельствует об эффективности и устойчивости Программы к возможным изменениям условий ее реализации.
Расчет показателей социально-экономической эффективности реализации Программы приведен в приложении № 5. Методика оценки социально-экономической эффективности реализации Программы приведена в приложении № 6.
Социальная эффективность реализации Программы обусловлена количеством создаваемых рабочих мест (6500 - 7000 мест на дату завершения Программы), а также существенным повышением технологического уровня новой электронной компонентной базы, который обеспечит снижение трудовых затрат на создание радиоэлектронной аппаратуры нового класса и систем и улучшение условий труда. Разработка электронной компонентной базы нового класса и изделий радиоэлектроники обеспечит создание широкой номенклатуры аппаратуры и систем для технического обеспечения решения государственных социальных программ.
Экологическая эффективность реализации Программы выражается:
в разработке и освоении экологически чистых технологий производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники в процессе их производства;
в создании новых видов химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющих исключить использование кислот и органических растворителей, а также экологически чистых технологий нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизации и нейтрализации отходов непосредственно в технологическом цикле;
в применении технологий бессвинцовой сборки и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и специализированных больших интегрированных схем;
в использовании высокоэффективных методов подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, применении систем экологического мониторинга окружающей территории для производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, кластерных технологических систем обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества;
в разработке технологий утилизации электронной компонентной базы, радиоэлектронной аппаратуры в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла.
Новые виды электронной компонентной базы (высокочувствительные датчики, сенсоры) и радиоэлектронной аппаратуры контроля и охранных систем, а также аппаратура, созданная на их основе, будут использованы при создании более эффективных систем экологического контроля и мониторинга, раннего предупреждения аварий и техногенных катастроф.
Радиоэлектронная промышленность является самой экологически чистой отраслью экономики, и положительные результаты, полученные вследствие улучшения экологической обстановки при совершенствовании производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации, технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по замкнутым циклам, получения сверхчистой воды и сверхчистых реактивов, экологически чистые методы утилизации отработанной аппаратуры).

Приложение № 1
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

   ----------------------------------T-------------T----------T-----------T---------T----------T----------T-----------

¦ Единица ¦ 2007 год ¦ 2008 год ¦2009 год ¦ 2010 год ¦ 2011 год ¦ 2015 год
¦ измерения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦

   ----------------------------------+-------------+----------+-----------+---------+----------+----------+-----------

Индикатор

Достигаемый технологический мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,1 - 0,09 0,045
уровень электроники

Показатели

Увеличение объемов продаж млрд. рублей 19 58 70 95 130 300
изделий электронной и
радиоэлектронной техники

Количество разработанных - 3 - 5 16 - 20 80 - 90 125 - 135 179 - 185 260 - 270
базовых технологий в области
электронной компонентной базы и
радиоэлектроники (нарастающим
итогом)

Количество завершенных и - - 6 8 14 27 35
разрабатываемых проектов
базовых центров проектирования
функционально сложной
электронной компонентной базы в
организациях электронной
промышленности, в том числе
сверхбольших интегральных
схем "система на кристалле"
(нарастающим итогом)
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

Количество объектов - - 2 2 2 4 7
реконструкции и технического
перевооружения производств для
создания базовых центров
системного проектирования в
организациях приборостроения и
промышленности средств связи
(нарастающим итогом)
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

Количество объектов - - - - - 1 4
реконструкции и технического
перевооружения производств для
создания базовых центров
системного проектирования в
организациях Госкорпорации
"Росатом", производящих продукцию
в интересах радиоэлектронного
комплекса (нарастающим итогом)
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

Количество объектов - - - - - - 11
реконструкции и технического
перевооружения производств для
создания базовых центров
системного проектирования в
организациях Роскосмоса,
производящих продукцию в
интересах радиоэлектронного
комплекса (нарастающим итогом)

   ------------------------------------------------------------------

--> примечание.
В соответствии с Указом Президента РФ от 04.03.2010 № 271
Федеральное агентство по образованию упразднено. Его функции
переданы Министерству образования и науки РФ, которое является
правопреемником Рособразования, в том числе по обязательствам,
возникшим в результате исполнения судебных решений.

   ------------------------------------------------------------------

Количество объектов - - 1 1 2 2 7
реконструкции и технического
перевооружения производств для
создания базовых центров
системного проектирования в
организациях Рособразования,
производящих продукцию в
интересах радиоэлектронного
комплекса (нарастающим итогом)

Количество объектов - 1 1 5 10 23 89
технологического перевооружения
электронных производств на
основе передовых технологий в
организациях электронной
промышленности (нарастающим
итогом)

Количество объектов - - - - - - 11
реконструкции и технического
перевооружения радиоэлектронных
производств в организациях
приборостроения и
промышленности средств связи
(нарастающим итогом)
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

Количество объектов - - - - - 1 9
реконструкции и технического
перевооружения радиоэлектронных
производств в организациях
Госкорпорации "Росатом",
производящих продукцию в интересах
радиоэлектронного комплекса
(нарастающим итогом)
(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

Количество объектов - - - - - - 8
реконструкции и технического
перевооружения радиоэлектронных
производств в организациях
Роскосмоса, производящих
продукцию в интересах
радиоэлектронного комплекса
(нарастающим итогом)

Количество завершенных - 1 3 9 15 - 17 18 - 21 32 - 37
поисковых технологических
научно-исследовательских работ
(нарастающим итогом)

Количество реализованных - 4 11 - 12 16 - 20 22 - 25 36 - 40 55 - 60
мероприятий по созданию
электронной компонентной базы,
соответствующей мировому уровню
(типов, классов новой
электронной компонентной базы)
(нарастающим итогом)

Количество создаваемых рабочих - 450 1020 - 1800 - 3000 - 3800 - 5000 -
мест (нарастающим итогом) 1050 2200 3800 4100 6000

   -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Приложение № 2
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы

ПЕРЕЧЕНЬ
МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ

(в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

   --------------------------------T-------------T--------------------------------------T------------------------------------------

Мероприятия ¦ 2008 - 2015 ¦ В том числе ¦ Ожидаемые результаты
¦годы - всего +-----T------T------T------T-----------+
¦ ¦2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦2012 - 2015¦
¦ ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ годы ¦

   --------------------------------+-------------+-----+------+------+------+-----------+------------------------------------------

I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1. Разработка технологии 207 147 60 создание базовой технологии производства
производства мощных

   ---       ---   ---                             мощных сверхвысокочастотных транзисторов

         сверхвысокочастотных            138       98     40                             на основе гетероструктур материалов

         транзисторов на основе                                                          группы A B  для бортовой и наземной

         гетероструктур материалов                                                               3 5

         группы A B                                                                      аппаратуры (2009 год), разработка

                 3 5                                                                     комплектов документации в стандартах

                                                                                         единой системы конструкторской,

                                                                                         технологической и производственной

                                                                                         документации, ввод в эксплуатацию

                                                                                         производственной линии

   

      2. Разработка базовой              265              60    120     85               создание базовой технологии производства

         технологии производства         ---              --    ---     --               монолитных сверхвысокочастотных микросхем

         монолитных                      175              40     79     56               и объемных приемо-передающих

         сверхвысокочастотных                                                            сверхвысокочастотных субмодулей X-

         микросхем и объемных                                                            диапазона на основе гетероструктур

         приемо-передающих                                                               материалов группы A B  для бортовой и

         сверхвысокочастотных                                                                               3 5

         субмодулей X-диапазона                                                          наземной аппаратуры радиолокации, средств

                                                                                         связи (2011 год), разработка комплектов

                                                                                         документации в стандартах единой системы

                                                                                         конструкторской, производственной

                                                                                         документации, ввод в эксплуатацию

                                                                                         производственной линии

   

      3. Разработка базовой              314       214   100                             создание технологии производства мощных

         технологии производства         ---       ---   ---                             транзисторов сверхвысокочастотного

         мощных сверх-                   210       143    67                             диапазона на основе нитридных

         высокочастотных                                                                 гетероэпитаксиальных структур для техники

         полупроводниковых приборов                                                      связи, радиолокации (2009 год)

         на основе нитридных

         гетеро-эпитаксиальных

         структур

   

      4. Разработка базовой              770             136    337    297               создание технологии производства на

         технологии и библиотеки         ---             ---    ---    ---               основе нитридных гетероэпитаксиальных

         элементов для                   512              90    225    197               структур мощных сверхвысокочастотных

         проектирования и                                                                монолитных интегральных схем с рабочими

         производства монолитных                                                         частотами до 20 ГГц для техники связи,

         интегральных схем                                                               радиолокации (2011 год), разработка

         сверхвысокочастотного                                                           комплектов документации в стандартах

         диапазона на основе                                                             единой системы конструкторской,

         нитридных                                                                       технологической и производственной

         гетероэпитаксиальных                                                            документации, ввод в эксплуатацию

         структур                                                                        производственной линии

   

      5. Разработка базовой              237       166    71                             создание базовой технологии производства

         технологии производства         ---       ---    --                             компонентов для сверхвысокочастотных

         сверхвысокочастотных            151       111    40                             интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с

         компонентов и                                                                   высокой степенью интеграции для

         сложнофункциональных                                                            аппаратуры радиолокации и связи бортового

         блоков для                                                                      и наземного применения, а также бытовой и

         сверхвысокочастотных                                                            автомобильной электроники (2009 год),

         интегральных схем высокой                                                       разработка комплектов документации в

         степени интеграции на                                                           стандартах единой системы

         основе гетероструктур                                                           конструкторской, технологической и

         "кремний - германий"                                                            производственной документации, ввод в

                                                                                         эксплуатацию производственной линии

   

      6. Разработка базовой              532             100    246    186               создание базовой технологии производства

         технологии производства         ---             ---    ---    ---               сверхвысокочастотных интегральных схем

         сверхвысокочастотных            352              64    164    124               диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью

         интегральных схем высокой                                                       интеграции для аппаратуры радиолокации и

         степени интеграции на                                                           связи бортового и наземного применения, а

         основе гетероструктур                                                           также бытовой и автомобильной электроники

         "кремний - германий"                                                            (2011 год), разработка комплектов

                                                                                         документации в стандартах единой системы

                                                                                         конструкторской, технологической и

                                                                                         производственной документации, ввод в

                                                                                         эксплуатацию производственной линии

   

      7. Разработка аттестованных        111       76     35                             разработка аттестованных библиотек

         библиотек                       ---       ---    --                             сложнофункциональных блоков для

         сложнофункциональных            81        51     30                             проектирования широкого спектра

         блоков для проектирования                                                       сверхвысокочастотных интегральных схем на

         сверхвысокочастотных и                                                          SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц,

         радиочастотных                                                                  разработка комплектов документации в

         интегральных                                                                    стандартах единой системы

         схем на основе                                                                  конструкторской, технологической и

         гетероструктур "кремний -                                                       производственной документации,

         германий"                                                                       ввод в эксплуатацию производственной

                                                                                         линии

   

      8. Разработка базовых              207              40    100     67               создание базовых технологий

         технологий проектирования       ---              --    ---     --               проектирования на основе библиотеки

         кремний-германиевых             142              30     67     45               сложнофункциональных блоков широкого

         сверхвысокочастотных и                                                          спектра сверхвысокочастотных интегральных

         радиочастотных                                                                  схем на SiGe с рабочими частотами до 150

         интегральных схем на                                                            ГГц (2011 год), разработка комплектов

         основе аттестованной                                                            документации в стандартах единой системы

         библиотеки                                                                      конструкторской, технологической и

         сложнофункциональных                                                            производственной документации, ввод в

         блоков                                                                          эксплуатацию производственной линии

   

      9. Разработка базовых              120       60     60                             создание базовых технологий производства

         технологий производства         ---       --     --                             элементной базы для высокоплотных

         элементной базы для ряда        80        40     40                             источников вторичного электропитания

         силовых герметичных                                                             сверхвысокочастотных приборов и узлов

         модулей высокоплотных                                                           аппаратуры (2009 год), разработка

         источников вторичного                                                           комплектов документации в стандартах

         электропитания вакуумных и                                                      единой системы конструкторской,

         твердотельных                                                                   технологической и производственной

         сверхвысокочастотных                                                            документации, ввод в эксплуатацию

         приборов и узлов                                                                производственной линии

         аппаратуры

   

     10. Разработка базовых              153                     89     64               создание базовых конструкций и

         технологий производства         ---                     --     --               технологии производства

         ряда силовых герметичных        102                     60     42               высокоэффективных, высокоплотных

         модулей высокоплотных                                                           источников вторичного электропитания

         источников вторичного                                                           сверхвысокочастотных приборов и узлов

         электропитания вакуумных                                                        аппаратуры на основе гибридно-пленочной

         и твердотельных                                                                 технологии с применением бескорпусной

         сверхвысокочастотных                                                            элементной базы (2011 год), разработка

         приборов и узлов                                                                комплектов документации в стандартах

         аппаратуры                                                                      единой системы конструкторской,

                                                                                         технологической и производственной

                                                                                         документации, ввод в эксплуатацию

                                                                                         производственной линии

   

     11. Разработка базовых              124       74     50                             создание технологии массового

         конструкций и технологии        ---       --     --                             производства ряда корпусов мощных

         производства корпусов           85        52     33                             сверхвысокочастотных приборов для

         мощных                                                                          "бессвинцовой" сборки (2009 год),

         сверхвысокочастотных                                                            разработка комплектов документации в

         транзисторов X-, C-, S-,                                                        стандартах единой системы

         L- и P-диапазонов из                                                            конструкторской, технологической и

         малотоксичных материалов с                                                      производственной документации, ввод в

         высокой теплопроводностью                                                       эксплуатацию производственной линии

   

     12. Разработка базовых              150              45     60     45               создание базовых конструктивных рядов

         конструкций                     ---              --     --     --               элементов систем охлаждения аппаратуры

         теплоотводящих элементов        97               30     40     27               X- и C-диапазонов наземных, корабельных

         систем охлаждения                                                               и воздушно-космических комплексов

         сверхвысокочастотных

         приборов X- и C-

         диапазонов на основе

         новых материалов

   

     13. Разработка базовой              93                      60     33               создание технологии массового

         технологии производства         --                      --     --               производства конструктивного ряда

         теплоотводящих элементов        62                      32     30               элементов систем охлаждения аппаратуры

         систем охлаждения                                                               X- и C-диапазонов наземных, корабельных

         сверхвысокочастотных                                                            и воздушно-космических комплексов (2011

         приборов X- и C-                                                                год), разработка комплектов документации

         диапазонов на основе                                                            в стандартах единой системы

         новых материалов                                                                конструкторской, технологической и

                                                                                         производственной документации, ввод в

                                                                                         эксплуатацию производственной линии

   

     14. Разработка базовых              96        53     43                             создание технологии массового

         технологий производства         --        --     --                             производства конструктивного ряда

         суперлинейных кремниевых        62        35     27                             сверхвысокочастотных транзисторов S- и

         сверхвысокочастотных                                                            L-диапазонов для техники связи, локации

         транзисторов S- и L-                                                            и контрольной аппаратуры (2009 год),

         диапазонов                                                                      разработка комплектов документации в

                                                                                         стандартах единой системы

                                                                                         конструкторской, технологической и

                                                                                         производственной документации, ввод в

                                                                                         эксплуатацию производственной линии

   

     15. Разработка конструктивно-       170                     95     75               создание конструктивно-параметрического

         параметрического ряда           ---                     --     --               ряда сверхвысокочастотных транзисторов

         суперлинейных                   116                     70     46               S- и L-диапазонов для техники связи,

         кремниевых                                                                      локации и контрольной аппаратуры,

         сверхвысокочастотных                                                            разработка комплектов документации в

         транзисторов S- и L-                                                            стандартах единой системы

         диапазонов                                                                      конструкторской, технологической и

                                                                                         производственной документации, ввод в

                                                                                         эксплуатацию производственной линии

   

     16. Разработка технологии           87        45     42                             разработка метрологической аппаратуры

         измерений и базовых             --        --     --                             нового поколения для исследования и

         конструкций установок           57        27     30                             контроля параметров полупроводниковых

         автоматизированного                                                             структур, активных элементов и

         измерения параметров                                                            сверхвысокочастотных монолитных

         нелинейных моделей                                                              интегральных схем в производстве и при

         сверхвысокочастотных                                                            их использовании

         полупроводниковых

         структур, мощных

         транзисторов и

         сверхвысокочастотных

         монолитных интегральных

         схем X-, C-, S-, L- и

         P-диапазонов для их

         массового производства

   

     17. Исследование и разработка       104       54     50                             создание технологии унифицированных

         базовых технологий для          ---       --     --                             сверхширокополосных приборов среднего и

         создания нового поколения       69        36     33                             большого уровня мощности сантиметрового

         мощных вакуумно-                                                                диапазона длин волн и

         твердотельных                                                                   сверхвысокочастотных

         сверхвысокочастотных                                                            магнитоэлектрических приборов для

         приборов и гибридных                                                            перспективных радиоэлектронных систем и

         малогабаритных                                                                  аппаратуры связи космического

         сверхвысокочастотных                                                            базирования (2009 год), разработка

         модулей с улучшенными                                                           комплектов документации в стандартах

         массогабаритными                                                                единой системы конструкторской,

         характеристиками,                                                               технологической и производственной

         магнитоэлектрических                                                            документации, ввод в эксплуатацию

         приборов                                                                        производственной линии

         сверхвысокочастотного

         диапазона, в том числе

         циркуляторов и

         фазовращателей, вентилей,

         высокодобротных

         резонаторов,

         перестраиваемых фильтров,

         микроволновых приборов со

         спиновым управлением для

         перспективных

         радиоэлектронных систем

         двойного назначения

   

     18. Разработка базовых              141                     89     52               разработка конструктивных рядов и

         конструкций и технологии        ---                     --     --               базовых технологий производства

         производства нового             95                      60     35               сверхширокополосных приборов среднего и

         поколения мощных                                                                большого уровня мощности сантиметрового

         вакуумно-твердотельных                                                          диапазона длин волн и

         сверхвысокочастотных                                                            сверхвысокочастотных

         приборов и гибридных                                                            магнитоэлектрических приборов для

         малогабаритных                                                                  перспективных радиоэлектронных систем и

         сверхвысокочастотных                                                            аппаратуры связи космического

         модулей с улучшенными                                                           базирования (2011 год), разработка

         массогабаритными                                                                комплектов документации в стандартах

         характеристиками,                                                               единой системы конструкторской,

         магнитоэлектрических                                                            технологической и производственной

         приборов                                                                        документации, ввод в эксплуатацию

         сверхвысокочастотного                                                           производственной линии

         диапазона, в том числе

         циркуляторов и

         фазовращателей, вентилей,

         высокодобротных

         резонаторов,

         перестраиваемых фильтров,

         микроволновых приборов со

         спиновым управлением для

         перспективных

         радиоэлектронных систем

         двойного назначения

   

     19. Исследование и разработка       85        45     40                             создание технологических процессов

         процессов и базовых             --        --     --                             производства нанопленочных

         технологий нанопленочных        57        30     27                             малогабаритных сверхвысокочастотных

         малогабаритных                                                                  резисторно-индуктивно-емкостных матриц

         сверхвысокочастотных                                                            многофункционального назначения для

         резисторно-индуктивно-                                                          печатного монтажа (2008 год), создание

         емкостных матриц                                                                базовой технологии получения

         многофункционального                                                            сверхбыстродействующих (до 150 ГГц)

         назначения для печатного                                                        приборов на наногетероструктурах с

         монтажа и                                                                       квантовыми эффектами (2009 год),

         сверхбыстродействующих                                                          разработка комплектов документации в

         (до 150 ГГц) приборов на                                                        стандартах единой системы

         наногетероструктурах с                                                          конструкторской, технологической и

         квантовыми дефектами                                                            производственной документации,

                                                                                         ввод в эксплуатацию производственной

                                                                                         линии

   

     20. Разработка базовых              85                      45     40               создание конструктивных рядов и базовых

         конструкций и технологии        --                      --     --               технологий производства нанопленочных

         производства                    57                      30     27               малогабаритных сверхвысокочастотных

         нанопленочных                                                                   резисторно-индуктивно-емкостных матриц

         малогабаритных                                                                  многофункционального назначения для

         сверхвысокочастотных                                                            печатного монтажа (2011 год), разработка

         резисторно-индуктивно-                                                          комплектов документации в стандартах

         емкостных матриц                                                                единой системы конструкторской,

         многофункционального                                                            технологической и производственной

         назначения для печатного                                                        документации, ввод в эксплуатацию

         монтажа                                                                         производственной линии

   

     21. Разработка базовой              156       86     70                             создание базовой технологии производства

         технологии                      ---       --     --                             элементов и специальных элементов и

         сверхвысокочастотных p-i-       104       57     47                             блоков портативной аппаратуры

         n диодов, матриц, узлов                                                         миллиметрового диапазона длин волн для

         управления и портативных                                                        нового поколения средств связи,

         фазированных блоков                                                             радиолокационных станций,

         аппаратуры миллиметрового                                                       радионавигации, измерительной техники,

         диапазона длин волн на                                                          автомобильных радаров, охранных и

         основе магнитоэлектронных                                                       сигнальных устройств (2009 год),

         твердотельных и                                                                 разработка комплектов документации в

         высокоскоростных цифровых                                                       стандартах единой системы

         приборов и устройств с                                                          конструкторской, технологической и

         функциями адаптации и                                                           производственной документации, ввод в

         цифрового                                                                       эксплуатацию производственной линии

         диаграммообразования

   

     22. Разработка базовых             2670       375   420    450    525       900     создание конструктивных рядов и базовых

         технологий создания            ----       ---   ---    ---    ---       ---     технологий проектирования и производства

         мощных вакуумных               1780       250   280    300    350       600     мощных и сверхмощных вакуумных

         сверхвысокочастотных                                                            сверхвысокочастотных приборов для

         устройств                                                                       аппаратуры широкого назначения нового

                                                                                         поколения (2009 год, 2011 год), включая

                                                                                         разработку:

                                                                                              конструкций многолучевых

                                                                                         электронно-оптических систем, включая

                                                                                         автоэмиссионные катоды повышенной

                                                                                         мощности и долговечности (2012 год);

                                                                                              мощных широкополосных ламп бегущей

                                                                                         волны импульсного и непрерывного

                                                                                         действия, магнетронов, тетродов

                                                                                         миллиметрового диапазона (2013 год);

                                                                                              малогабаритных ускорителей

                                                                                         электронов с энергией до 10 МЭВ для

                                                                                         терапевтических и технических приложений

                                                                                         (2014 год)

   

     23. Разработка базовых             1785       150   300    300    135       900     создание базовых конструкций и

         технологий создания            ----       ---   ---    ---    ---       ---     технологий изготовления

         мощных твердотельных           1190       100   200    200    90        600     сверхвысокочастотных мощных приборов на

         сверхвысокочастотных                                                            структурах с использованием нитрида

         устройств на базе нитрида                                                       галлия (2008 год, 2010 год), включая:

         галлия                                                                                создание гетеропереходных полевых

                                                                                         транзисторов с диодом Шоттки с удельной

                                                                                         мощностью до 30 - 40 Вт/мм и рабочими

                                                                                         напряжениями до 100 В;

                                                                                               исследования и разработку

                                                                                         технологий получения гетероструктур на

                                                                                         основе слоев нитрида галлия на изоляторе

                                                                                         и высокоомных подложках (2013 год);

                                                                                               разработка технологии получения

                                                                                         интегральных схем, работающих в

                                                                                         экстремальных условиях (2015 год)

   

     24. Исследование                   1080                                    1080     исследование технологических принципов

         перспективных типов            ----                                    ----     формирования перспективных

         сверхвысокочастотных            720                                     720     сверхвысокочастотных приборов и

         приборов и структур,                                                            структур, включая создание

         разработка                                                                      наногетероструктур, использование

         технологических принципов                                                       комбинированных (электронных и

         их изготовления                                                                 оптических методов передачи и

                                                                                         преобразования сигналов), определение

                                                                                         перспективных методов формирования

                                                                                         приборных структур, работающих в

                                                                                         частотных диапазонах до 200 ГГц

   

     25. Разработка перспективных       1050                                    1050     создание полного состава прикладных

         методов проектирования и       ----                                    ----     программ проектирования и оптимизации

         моделирования                   700                                     700     сверхвысокочастотной электронной

         сложнофункциональной                                                            компонентной базы, включая

         сверхвысокочастотной                                                            проектирование активных приборов,

         электронной компонентной                                                        полосковых линий передачи, согласующих

         базы                                                                            компонентов, формируемых в едином

                                                                                         технологическом процессе

   

         Всего по направлению 1         10791     1545   1722  1930,5 1603,5    3930

                                        ----      ----   ----  ------ ------    ----

                                        7194      1030   1148   1327   1069     2620

   

                                  Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

   

     26. Разработка базовой              151       71     80                             создание технологии изготовления

         технологии радиационно         -----     ----   ----                            микросхем с размерами элементов 0,5 мкм

         стойких сверхбольших           100,8     47,4   53,4                            на структурах "кремний на сапфире"

         интегральных схем уровня                                                        диаметром 150 мм (2009 год), разработка

         0,5 мкм на структурах                                                           правил проектирования базовых библиотек

         "кремний на сапфире"                                                            элементов и блоков цифровых и аналоговых

         диаметром 150 мм                                                                сверхбольших интегральных схем

                                                                                         расширенной номенклатуры для организации

                                                                                         производства радиационно стойкой

                                                                                         элементной базы, обеспечивающей выпуск

                                                                                         специальной аппаратуры и систем,

                                                                                         работающих в экстремальных условиях

                                                                                         (атомная энергетика, космос, военная

                                                                                         техника)

   

     27. Разработка базовой             315,4                   59,4    256              создание технологии изготовления

         технологии радиационно         -----                   ----   -----             микросхем с размерами элементов

         стойких сверхбольших           210,3                   39,6   170,7             0,35 мкм на структурах "кремний на

         интегральных схем уровня                                                        сапфире" диаметром 150 мм (2011 год),

         0,35 мкм на структурах                                                          разработка правил проектирования базовых

         "кремний на сапфире"                                                            библиотек элементов и блоков цифровых и

         диаметром 150 мм                                                                аналоговых сверхбольших интегральных

                                                                                         схем, обеспечивающих создание расширенной

                                                                                         номенклатуры быстродействующей и

                                                                                         высокоинтегрированной радиационно стойкой

                                                                                         элементной базы

   

     28. Разработка технологии           155       71     84                             создание технологического базиса

         проектирования и               -----     ----    --                             (технология проектирования, базовые

         конструктивно-                 103,4     47,4    56                             технологии), позволяющего разрабатывать

         технологических решений                                                         радиационно стойкие сверхбольшие

         библиотеки логических и                                                         интегральные схемы на структурах

         аналоговых элементов,                                                           "кремний на изоляторе" с проектной

         оперативных запоминающих                                                        нормой до 0,25 мкм (2009 год)

         устройств, постоянных

         запоминающих устройств,

         сложнофункциональных

         радиационно стойких

         блоков контроллеров по

         технологии "кремний на

         изоляторе" с проектными

         нормами до 0,25 мкм

   

     29. Разработка технологии          360,1                  81,5    278,6             создание технологического базиса

         проектирования и               -----                  ----    -----             (технология проектирования, базовые

         конструктивно-                  240                   54,3    185,7             технологии), позволяющего разрабатывать

         технологических решений                                                         радиационно стойкие сверхбольшие

         библиотеки логических и                                                         интегральные схемы на структурах

         аналоговых элементов,                                                           "кремний на изоляторе" с проектной

         оперативных запоминающих                                                        нормой до 0,18 мкм

         устройств, постоянных

         запоминающих устройств,

         сложнофункциональных

         радиационно стойких

         блоков контроллеров по

         технологии "кремний на

         изоляторе" с проектными

         нормами до 0,18 мкм

   

     30. Разработка базовых              174       98     76                             создание технологического процесса

         технологических процессов       ---      ----   ----                            изготовления сверхбольших интегральных

         изготовления радиационно        116      65,3   50,7                            схем энергонезависимой, радиационно

         стойкой элементной базы                                                         стойкой сегнетоэлектрической памяти

         для сверхбольших                                                                уровня 0,35 мкм и базовой технологии

         интегральных схем                                                               создания, изготовления и аттестации

         энергозависимой                                                                 радиационно стойкой пассивной

         пьезоэлектрической и                                                            электронной компонентной базы (2009 год)

         магниторезистивной памяти

         с проектными нормами 0,35

         мкм и пассивной

         радиационно стойкой

         элементной базы

   

     31. Разработка базовых              261                    56      205              создание технологического процесса

         технологических процессов      -----                  ----    -----             изготовления сверхбольших интегральных

         изготовления радиационно       174,2                  37,3    136,9             схем энергонезависимой радиационно

         стойкой элементной базы                                                         стойкой сегнетоэлектрической памяти

         для сверхбольших                                                                уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания,

         интегральных схем                                                               изготовления и аттестации радиационно

         энергозависимой                                                                 стойкой пассивной электронной

         пьезоэлектрической и                                                            компонентной базы (2011 год)

         магниторезистивной памяти

         с проектными нормами 0,18

         мкм и пассивной

         радиационно стойкой

         элементной базы

   

     32. Разработка технологии          140,8     83,2   57,6                            разработка расширенного ряда цифровых

         "кремний на сапфире"           -----     ----   ----                            процессоров, микроконтроллеров,

         изготовления ряда              93,9      55,4   38,5                            оперативных запоминающих программируемых

         лицензионно-независимых                                                         и перепрограммируемых устройств,

         радиационно стойких                                                             аналого-цифровых преобразователей в

         комплементарных полевых                                                         радиационно стойком исполнении для

         полупроводниковых                                                               создания специальной аппаратуры нового

         сверхбольших интегральных                                                       поколения

         схем цифровых процессоров

         обработки сигналов,

         микроконтроллеров и схем

         интерфейса

   

     33. Разработка технологии           374                   74,5    299,5             создание технологии проектирования и

         структур с ультратонким        -----                  ----    -----             изготовления микросхем и

         слоем кремния на сапфире       249,5                  49,8    199,7             сложнофункциональных блоков на основе

                                                                                         ультратонких слоев на структуре "кремний

                                                                                         на сапфире", позволяющей разрабатывать

                                                                                         радиационно стойкие сверхбольшие

                                                                                         интегральные схемы с высоким уровнем

                                                                                         радиационной стойкости (2011 год)

   

     34. Разработка базовой             152,6     80,6    72                             разработка конструкции и модели

         технологии и приборно-         -----     ----    --                             интегральных элементов и

         технологического базиса        98,4      50,4    48                             технологического маршрута изготовления

         производства радиационно                                                        радиационно стойких сверхбольших

         стойких сверхбольших                                                            интегральных схем типа "система на

         интегральных схем                                                               кристалле" с расширенным температурным

         "система на кристалле",                                                         диапазоном, силовых транзисторов и

         радиационно стойкой                                                             модулей для бортовых и промышленных

         силовой электроники для                                                         систем управления с пробивными

         аппаратуры питания и                                                            напряжениями до 75 В и рабочими токами

         управления                                                                      коммутации до 10 А (2009 год)

   

     35. Разработка элементной          81,2      33,2    48                             создание ряда микронанотриодов и

         базы радиационно стойких       ----      ----    --                             микронанодиодов с наивысшей радиационной

         интегральных схем на           57,5      25,5    32                             стойкостью для долговечной аппаратуры

         основе полевых                                                                  космического базирования

         эмиссионных

         микронанотриодов

   

     36. Создание информационной         251                   61,1    189,9             разработка комплекса моделей расчета

         базы радиационно стойкой       -----                  ----    -----             радиационной стойкости электронной

         электронной компонентной       167,3                  40,7    126,6             компонентной базы для определения

         базы, содержащей модели                                                         технически обоснованных норм испытаний

         интегральных компонентов,

         функционирующих в

         условиях радиационных

         воздействий, создание

         математических моделей

         стойкости электронной

         компонентной базы,

         создание методик

         испытаний и аттестации

         электронной компонентной

         базы

   

     37. Разработка библиотек            975                                     975     создание технологии проектирования и

         стандартных элементов и         ---                                     ---     изготовления микросхем и

         сложнофункциональных            650                                     650     сложнофункциональных блоков на основе

         блоков для создания                                                             ультратонких слоев на структуре "кремний

         радиационно стойких                                                             на сапфире", позволяющей разрабатывать

         сверхбольших интегральных                                                       радиационно стойкие сверхбольшие

         схем                                                                            интегральные схемы с высоким уровнем

                                                                                         радиационной стойкости (2012 год, 2015

                                                                                         год)

   

     38. Разработка расширенного         975                                     975     разработка расширенного ряда цифровых

         ряда радиационно стойких        ---                                     ---     процессоров, микроконтроллеров,

         сверхбольших интегральных       600                                     600     оперативных запоминающих программируемых

         схем для специальной                                                            и перепрограммируемых устройств,

         аппаратуры связи,                                                               аналого-цифровых преобразователей в

         обработки и передачи                                                            радиационно стойком исполнении для

         информации, систем                                                              создания специальной аппаратуры нового

         управления                                                                      поколения, разработка конструкции и

                                                                                         модели интегральных элементов и

                                                                                         технологического маршрута изготовления

                                                                                         радиационно стойких сверхбольших

                                                                                         интегральных схем типа "система на

                                                                                         кристалле" с расширенным температурным

                                                                                         диапазоном, силовых транзисторов и

                                                                                         модулей для бортовых и промышленных

                                                                                         систем управления с пробивными

                                                                                         напряжениями до 75 В и рабочими токами

                                                                                         коммутации до 10 А, создание ряда

                                                                                         микронанотриодов и микронанотриодов с

                                                                                         наивысшей радиационной стойкостью для

                                                                                         долговечной аппаратуры космического

                                                                                         базирования

   

     39. Разработка и                    951                                     951     разработка комплекса моделей расчета

         совершенствование методов       ---                                     ---     радиационной стойкости электронной

         моделирования и                 634                                     634     компонентной базы для определения

         проектирования                                                                  технически обоснованных норм испытаний

         радиационно стойкой

         элементной базы

   

     40. Разработка и                    975                                     975     создание технологического базиса

         совершенствование базовых       ---                                     ---     (технология проектирования, базовые

         технологий и конструкций        650                                     650     технологии), позволяющего разрабатывать

         радиационно стойких                                                             радиационно стойкие сверхбольшие

         сверхбольших интегральных                                                       интегральные схемы на структурах "кремний

         схем на структурах                                                              на изоляторе" с проектной нормой не менее

         "кремний на сапфире" и                                                          0,18 мкм (2014 год), создание

         "кремний на изоляторе" с                                                        технологического базиса (технология

         топологическими нормами                                                         проектирования, базовые технологии),

         не менее 0,18 мкм                                                               позволяющего разрабатывать радиационно

                                                                                         стойкие сверхбольшие интегральные схемы

                                                                                         на структурах "кремний на изоляторе" с

                                                                                         проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015

                                                                                         год)

   

         Всего                          6293      437,1 417,6  332,5  1229,4    3876

         по направлению 2              ------     ----- -----  -----  ------    ----

                                       4195,3     291,4 278,6  221,7   819,6    2584

   

                                                  Направление 3. Микросистемная техника

   

     41. Разработка базовых              209       112    97                             создание базовых технологий (2009 год) и

         технологий микро-               ---       ---    --                             комплектов технологической документации

         электромеханических             105       75     30                             на изготовление микроэлектромеханических

         систем                                                                          систем контроля давления,

                                                                                         микроакселерометров с чувствительностью

                                                                                         по двум и трем осям, микромеханических

                                                                                         датчиков угловых скоростей,

                                                                                         микроактюаторов

   

     42. Разработка базовых              424              75    228    121               разработка базовых конструкций и

         конструкций                     ---              --    ---    ---               комплектов необходимой конструкторской

         микроэлектромеханических        277              60    141    76                документации на изготовление

         систем                                                                          чувствительных элементов и микросистем

                                                                                         контроля давления, микроакселерометров,

                                                                                         микромеханических датчиков угловых

                                                                                         скоростей, микроактюаторов с напряжением

                                                                                         управления, предназначенных для

                                                                                         использования в транспортных средствах,

                                                                                         оборудовании

                                                                                         топливно-энергетического комплекса,

                                                                                         машиностроении, медицинской технике,

                                                                                         робототехнике, бытовой технике

   

     43. Разработка базовых              155       110    45                             создание базовых технологий

         технологий микроакусто-         ---       ---    --                             (2009 год) и комплектов необходимой

         электромеханических систем      100       70     30                             технологической документации на

                                                                                         изготовление

                                                                                         микроакустоэлектромеханических систем,

                                                                                         основанных на использовании поверхностных

                                                                                         акустических волн (диапазон частот до 2

                                                                                         ГГц) и объемно-акустических волн

                                                                                         (диапазон частот до 8 ГГц),

                                                                                         пьезокерамических элементов, совместимых

                                                                                         с интегральной технологией

                                                                                         микроэлектроники

   

     44. Разработка базовых              418              71    225    122               разработка базовых конструкций и

         конструкций                     ---              --    --     --                комплектов необходимой конструкторской

         микроакустоэлектро-             280              60    143    77                документации на изготовление пассивных

         механических систем                                                             датчиков физических величин -

                                                                                         микроакселерометров, микрогироскопов на

                                                                                         поверхностных акустических волнах,

                                                                                         датчиков давления и температуры, датчиков

                                                                                         деформации, крутящего момента и

                                                                                         микроперемещений, резонаторов

   

     45. Разработка базовых              55        55                                    создание базовых технологий изготовления

         технологий                      --        --                                    элементов микроаналитических систем,

         микроаналитических систем       38        38                                    чувствительных к газовым, химическим и

                                                                                         биологическим компонентам внешней среды,

                                                                                         предназначенных для использования в

                                                                                         аппаратуре жилищно-коммунального

                                                                                         хозяйства, в медицинской и биомедицинской

                                                                                         технике для обнаружения токсичных,

                                                                                         горючих и взрывчатых материалов

   

     46. Разработка базовых              224              64    102     58               создание базовых конструкций

         конструкций                     ---              --    ---     --               микроаналитических систем,

         микроаналитических систем       164              30    86      48               предназначенных для аппаратуры жилищно-

                                                                                         коммунального хозяйства, медицинской и

                                                                                         биомедицинской техники;

                                                                                         разработка датчиков и аналитических

                                                                                         систем миниатюрных размеров с высокой

                                                                                         чувствительностью к сверхмалым

                                                                                         концентрациям химических веществ для

                                                                                         осуществления мониторинга окружающей

                                                                                         среды, контроля качества пищевых

                                                                                         продуктов и контроля утечек опасных и

                                                                                         вредных веществ в технологических

                                                                                         процессах

   

     47. Разработка базовых              94        59     35                             создание базовых технологий выпуска

         технологий микро-               --        --     --                             трехмерных оптических и акустооптических

         оптоэлектромеханических         71        41     30                             функциональных элементов,

         систем                                                                          микрооптоэлектромеханических систем для

                                                                                         коммутации и модуляции оптического

                                                                                         излучения, акустооптических

                                                                                         перестраиваемых фильтров, двухмерных

                                                                                         управляемых матриц микрозеркал

                                                                                         микропереключателей и фазовращателей

                                                                                         (2009 год)

   

     48. Разработка базовых              208              35    112     61               разработка базовых конструкций и

         конструкций микро-              ---              --    ---     --               комплектов, конструкторской документации

         оптоэлектромеханических         145              30    75      40               на изготовление

         систем                                                                          микрооптоэлектромеханических систем

                                                                                         коммутации и модуляции оптического

                                                                                         излучения

   

     49. Разработка базовых              55        55                                    создание базовых технологий изготовления

         технологий микросистем          --        --                                    микросистем анализа магнитных полей на

         анализа магнитных полей         38        38                                    основе анизотропного и гигантского

                                                                                         магниторезистивного эффектов,

                                                                                         квазимонолитных и монолитных

                                                                                         гетеромагнитных пленочных структур (2008

                                                                                         год)

   

     50. Разработка базовых              214              54    104     56               разработка базовых конструкций и

         конструкций микросистем         ---              --    ---     --               комплектов конструкторской документации

         анализа магнитных полей         137              30    69      38               на магниточувствительные микросистемы для

                                                                                         применения в электронных системах

                                                                                         управления приводами, в датчиках

                                                                                         положения и потребления, бесконтактных

                                                                                         переключателях

   

     51. Разработка базовых              77        45     32                             разработка и освоение в производстве

         технологий радиочастотных       --        --     --                             базовых технологий изготовления

         микроэлектромеханических        61        31     30                             радиочастотных микроэлектромеханических

         систем                                                                          систем и компонентов, включающих

                                                                                         микрореле, коммутаторы,

                                                                                         микропереключатели (2009 год)

   

     52. Разработка базовых              166              32    87      47               разработка базовых конструкций и

         конструкций радиочастотных      ---              --    --      --               комплектов конструкторской документации

         микроэлектромеханических        119              30    58      31               на изготовление радиочастотных

         систем                                                                          микроэлектромеханических систем -

                                                                                         компонентов, позволяющих получить резкое

                                                                                         улучшение массогабаритных характеристик,

                                                                                         повышение технологичности и снижение

                                                                                         стоимости изделий

   

     53. Разработка методов и            40        40                                    создание методов и средств контроля и

         средств обеспечения             --        --                                    измерения параметров и характеристик

         создания и производства         24        24                                    изделий микросистемотехники, разработка

         изделий микросистемной                                                          комплектов стандартов и нормативных

         техники                                                                         документов по безопасности и

                                                                                         экологии

   

     54. Разработка перспективных       1155                                     1155    создание базовых технологий выпуска

         технологий и конструкций       ----                                     ----    трехмерных оптических и акустооптических

         микрооптоэлектромехани-         770                                      770    функциональных элементов,

         ческих систем для                                                               микрооптоэлектромеханических систем для

         оптической аппаратуры,                                                          коммутации и модуляции оптического

         систем отображения                                                              излучения (2012 год),

         изображений, научных                                                            акустооптических перестраиваемых фильтров

         исследований и специальной                                                      (2012 год), двухмерных управляемых матриц

         техники                                                                         микрозеркал микропереключателей и

                                                                                         фазовращателей (2013 год), разработка

                                                                                         базовых технологий, конструкций и

                                                                                         комплектов, конструкторской документации

                                                                                         на изготовление

                                                                                         микрооптоэлектромеханических

                                                                                         систем коммутации и модуляции оптического

                                                                                         излучения (2015 год)

   

     55. Разработка и                   1155                                     1155    создание методов и средств контроля и

         совершенствование методов      ----                                     ----    измерения параметров и характеристик

         и средств контроля,             770                                      770    изделий микросистемотехники, разработка

         испытаний и аттестации                                                          комплектов стандартов и нормативных

         изделий                                                                         документов по безопасности и экологии

         микросистемотехники

   

     56. Разработка перспективных       1170                                     1170    создание перспективных технологий

         технологий и конструкций       ----                                     ----    изготовления элементов микроаналитических

         микроаналитических систем       780                                      780    систем, чувствительных к газовым,

         для аппаратуры контроля и                                                       химическим и биологическим компонентам

         обнаружения токсичных,                                                          внешней среды, предназначенных для

         горючих, взрывчатых и                                                           использования в аппаратуре жилищно-

         наркотических веществ                                                           коммунального хозяйства (2012 год, 2013

                                                                                         год, 2014 год)

   

         Всего по направлению 3        5818,5     475,5  540    858    465      3480

                                       ------     -----  ---    ---    ---      ----

                                        3879       317   360    572    310      2320

   

                                                      Направление 4. Микроэлектроника

   

     57. Разработка технологии и         270      148,9 121,1                            разработка комплекта нормативно-

         развитие методологии           -----     ----- -----                            технической документации по

         проектирования изделий         125,6     76,6    49                             проектированию изделий микроэлектроники,

         микроэлектроники:                                                               создание отраслевой базы данных с

         разработка и освоение                                                           каталогами библиотечных элементов и

         современной технологии                                                          сложнофункциональных блоков с

         проектирования                                                                  каталогизированными результатами

         универсальных                                                                   аттестации на физическом уровне,

         микропроцессоров,                                                               разработка комплекта нормативно-

         процессоров обработки                                                           технической и технологической

         сигналов, микро-                                                                документации по взаимодействию центров

         контроллеров и "системы на                                                      проектирования в сетевом режиме

         кристалле" на основе

         каталогизированных

         сложнофункциональных

         блоков и библиотечных

         элементов, в том числе

         создание отраслевой базы

         данных и технологических

         файлов для

         автоматизированных систем

         проектирования;

         освоение и развитие

         технологии проектирования

         для обеспечения

         технологичности

         производства и стабильного

         выхода годных с целью

         размещения заказов на

         современной базе

         контрактного производства

         с технологическим уровнем

         до 0,13 мкм

   

     58. Разработка и освоение           34        22     12                             разработка комплекта технологической

         базовой технологии             ----      ----    --                             документации и организационно-

         производства фотошаблонов      22,7      14,7    8                              распорядительной документации по

         с технологическим уровнем                                                       взаимодействию центров проектирования и

         до 0,13 мкм с целью                                                             центра изготовления фотошаблонов

         обеспечения информационной

         защиты проектов изделий

         микроэлектроники при

         использовании контрактного

         производства

         (отечественного и

         зарубежного)

   

     59. Разработка семейств и          766,9     336,7 430,2                            разработка комплектов документации в

         серий изделий                  -----     ----- -----                            стандартах единой системы

         микроэлектроники:              466,8      180  286,8                            конструкторской, технологической и

         универсальных                                                                   производственной документации,

         микропроцессоров для                                                            изготовление опытных образцов изделий и

         встроенных применений;                                                          организация серийного производства

         универсальных

         микропроцессоров для

         серверов и рабочих

         станций;

         цифровых процессоров

         обработки сигналов;

         сверхбольших интегральных

         схем, программируемых

         логических интегральных

         схем;

         сверхбольших интегральных

         схем быстродействующей

         динамической и статической

         памяти;

         микроконтроллеров со

         встроенной

         энергонезависимой

         электрически

         программируемой памятью;

         схем интерфейса

         дискретного ввода/вывода;

         схем аналогового

         интерфейса;

         цифроаналоговых и аналого-

         цифровых преобразователей

         на частотах

         выше 100 МГц с

         разрядностью более 8 - 12

         бит;

         схем приемопередатчиков

         шинных интерфейсов;

         изделий интеллектуальной

         силовой микроэлектроники

         для применения в

         аппаратуре промышленного и

         бытового назначения;

         встроенных интегральных

         источников питания

   

     60. Разработка базовых            1801,6                  799,8  1001,8             разработка комплектов документации в

         серийных технологий           ------                  -----  ------             стандартах единой системы

         изделий микроэлектроники:     1200,9                  533,1   667,8             конструкторской, технологической и

         цифроаналоговых и аналого-                                                      производственной документации,

         цифровых преобразователей                                                       изготовление опытных образцов изделий и

         на частотах выше 100 МГц с                                                      организация серийного производства

         разрядностью более 14 - 16

         бит;

         микроэлектронных устройств

         различных типов, включая

         сенсоры с применением

         наноструктур и

         биосенсоров;

         сенсоров на основе

         магнито-электрических и

         пьезоматериалов;

         встроенных интегральных

         антенных элементов для

         диапазонов частот 5 ГГц,

         10 - 12 ГГц;

         систем на кристалле, в том

         числе в гетероинтеграции

         сенсорных и исполнительных

         элементов методом

         беспроводной сборки с

         применением технологии

         матричных жестких

         выводов

   

     61. Разработка технологии и        462,4     252,4  210                             разработка комплектов документации в

         освоение производства          -----     -----  ---                             стандартах единой системы

         изделий микроэлектроники с     308,3     168,3  140                             конструкторской, технологической

         технологическим уровнем                                                         документации и ввод в эксплуатацию

         0,13 мкм                                                                        производственной линии

   

     62. Разработка базовой             894,8                  146,3  748,5              разработка комплектов документации в

         технологии формирования        -----                  -----  -----              стандартах единой системы

         многослойной разводки          596,2                   97,3  498,9              конструкторской, технологической и

         (7 - 8 уровней)                                                                 производственной документации,

         сверхбольших интегральных                                                       ввод в эксплуатацию производственной

         схем на основе Al и Cu                                                          линии

   

     63. Разработка технологии и        494,2           211,1  166,4  116,7              разработка комплектов документации в

         организация производства       -----           -----  -----  -----              стандартах единой системы

         многокристальных               294,2           105,6  110,9  77,7               конструкторской, технологической и

         микроэлектронных модулей                                                        производственной документации,

         для мобильных применений с                                                      ввод в эксплуатацию производственной

         использованием полимерных                                                       линии

         и металлополимерных

         микроплат и носителей

   

     64. Разработка новых методов        173       68    105                             разработка технологической и

         технологических испытаний       ---       --    ---                             производственной документации, ввод в

         изделий микроэлектроники,       173       68    105                             эксплуатацию специализированных участков

         гарантирующих их

         повышенную надежность в

         процессе долговременной

         (более 100 000 часов)

         эксплуатации, на основе

         использования типовых

         оценочных схем и тестовых

         кристаллов

   

     65. Разработка современных          227       132    95                             разработка комплектов документации,

         методов анализа отказов         ---       ---    --                             включая утвержденные отраслевые методики,

         изделий микроэлектроники с      227       132    95                             ввод в эксплуатацию модернизированных

         применением                                                                     участков и лабораторий анализа отказов

         ультраразрешающих методов

         (ультразвуковая

         гигагерцовая микроскопия,

         сканирование синхротронным

         излучением, атомная

         и туннельная силовая

         микроскопия, электронно- и

         ионно-лучевое зондирование

         и другие)

   

     66. Разработка базовых             1200                                    1200     разработка и освоение базовой технологии

         субмикронных технологий        ----                                    ----     производства фотошаблонов с

         уровней 0,065 - 0,045 мкм       800                                     800     технологическим уровнем до 0,045 мкм с

                                                                                         целью обеспечения информационной защиты

                                                                                         проектов изделий микроэлектроники при

                                                                                         использовании контрактного производства

                                                                                         (отечественного и зарубежного) (2014

                                                                                         год). Создание отраслевой базы данных и

                                                                                         технологических файлов для

                                                                                         автоматизированных систем проектирования

                                                                                         сверхбольших интегральных схем;

                                                                                         создание базовой технологии формирования

                                                                                         многослойной разводки (7 - 8 уровней)

                                                                                         сверхбольших интегральных схем на основе

                                                                                         Al и Cu (2015 год), освоение и развитие

                                                                                         технологии проектирования и изготовления

                                                                                         для обеспечения технологичности

                                                                                         производства и стабильного выхода годных

                                                                                         изделий, а также с целью размещения

                                                                                         заказов на современной базе контрактного

                                                                                         производства с технологическим уровнем до

                                                                                         0,045 мкм, разработка комплекта

                                                                                         технологической документации и

                                                                                         организационно-распорядительной

                                                                                         документации по взаимодействию центров

   

     67. Исследование                   1425                                    1425     создание технологии сверхбольших

         технологических процессов      ----                                    ----     интегральных схем технологических уровней

         и структур для                  950                                     950     65 - 32 нм, организация опытного

         субмикронных технологий                                                         производства (2015 год)

         уровней 0,032 мкм

   

     68. Разработка перспективных       1425                                    1425     создание технологий и конструкций

         технологий и конструкций       ----                                    ----     перспективных изделий интеллектуальной

         изделий интеллектуальной        950                                     950     силовой микроэлектроники для применения в

         силовой электроники для                                                         аппаратуре промышленного и бытового

         применения в аппаратуре                                                         назначения;

         бытового и промышленного                                                        создание встроенных интегральных

         применения, на транспорте,                                                      источников питания (2013 - 2015 годы)

         в топливно-энергетическом

         комплексе и в специальных

         системах

   

     69. Разработка перспективных       1650                                    1650     разработка перспективной технологии

         технологий сборки              ----                                    ----     многокристальных микроэлектронных модулей

         сверхбольших интегральных      1100                                    1100     для мобильных применений с использованием

         схем в многовыводные                                                            полимерных и металлополимерных микроплат

         корпуса, в том числе                                                            и носителей (2015 год)

         корпуса с матричным

         расположением выводов и

         технологий

         многокристальной сборки,

         включая создание "систем

         в корпусе"

   

         Всего по направлению 4         11222     993,4 1236,4 1151   1913,6    5927,5

                                       ------     ----- ------ -----  ------    ------

                                       7214,7     639,6 789,4  741,3  1244,4     3800

   

                                           Направление 5. Электронные материалы и структуры

   

     70. Разработка технологии           78        51     27                             внедрение новых диэлектрических

         производства новых              --        --     --                             материалов на основе ромбоэдрической

         диэлектрических материалов      49        32     17                             модификации нитрида бора и подложек из

         на основе ромбоэдрической                                                       поликристаллического алмаза с повышенной

         модификации нитрида бора и                                                      теплопроводностью и электропроводностью

         подложек из                                                                     для создания нового поколения

         поликристаллического                                                            высокоэффективных и надежных

         алмаза                                                                          сверхвысокочастотных приборов

   

     71. Разработка технологии           131                     77     54               создание технологии производства

         производства                    ---                     --     --               гетероэпитаксиальных структур и структур

         гетероэпитаксиальных             87                     51     36               гетеробиполярных транзисторов на основе

         структур и структур                                                             нитридных соединений A B  для обеспечения

         гетеробиполярных                                                                                      3 5

         транзисторов на основе                                                          разработок и изготовления

         нитридных соединений A B                                                        сверхвысокочастотных монолитных

                               3 5                                                       интегральных схем и мощных транзисторов

         для мощных                                                                      (2011 год)

         полупроводниковых приборов

         и сверхвысокочастотных

         монолитных интегральных

         схем

   

     72. Разработка базовой              77        50     27                             создание базовой технологии производства

         технологии производства         --        --     --                             гетероструктур и псевдоморфных структур

         метаморфных структур на         50        32     18                             на подложках InP для перспективных

         основе GaAs и                                                                   полупроводниковых приборов и

         псевдоморфных структур на                                                       сверхвысокочастотных монолитных

         подложках InP для приборов                                                      интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц

         сверхвысокочастотной                                                            (2009 год)

         электроники диапазона 60 -

         90 ГГц

   

     73. Разработка технологии           133                     79     54               создание спинэлектронных магнитных

         производства                    ---                     --     --               материалов и микроволновых структур со

         спинэлектронных магнитных        88                     52     36               спиновым управлением для создания

         материалов,                                                                     перспективных микроволновых

         радиопоглощающих и                                                              сверхвысокочастотных приборов повышенного

         мелкодисперсных ферритовых                                                      быстродействия и низкого

         материалов для                                                                  энергопотребления

         сверхвысокочастотных

         приборов

   

     74. Разработка технологии           77        50     27                             создание технологии массового

         производства высокочистых       --        --     --                             производства высокочистых химических

         химических материалов           49        31     18                             материалов (аммиака, арсина, фосфина,

         (аммиака, арсина, фосфина,                                                      тетрахлорида кремния) для выпуска

         тетрахлорида кремния) для                                                       полупроводниковых подложек нитрида

         обеспечения производства                                                        галлия, арсенида галлия, фосфида индия,

         полупроводниковых подложек                                                      кремния и гетероэпитаксиальных структур

         нитрида галлия, арсенида                                                        на их основе (2009 год)

         галлия, фосфида индия,

         кремния и

         гетероэпитаксиальных

         структур на их основе

   

     75. Разработка технологии           134                     79     55               создание технологии производства

         производства                    ---                     --     --               поликристаллических алмазов и его пленок

         поликристаллических              88                     52     36               для мощных сверхвысокочастотных приборов

         алмазов и их пленок для                                                         (2011 год)

         теплопроводных конструкций

         мощных выходных

         транзисторов и

         сверхвысокочастотных

         приборов

   

     76. Исследование путей и            57        36     21                             создание технологии изготовления новых

         разработка технологии           --        --     --                             микроволокон на основе двухмерных

         изготовления новых              38        24     14                             диэлектрических и металлодиэлектрических

         микроволокон на основе                                                          микро- и наноструктур для новых классов

         двухмерных диэлектрических                                                      микроструктурных приборов,

         и металлодиэлектрических                                                        магниторезисторов, осцилляторов,

         микро- и наноструктур, а                                                        устройств оптоэлектроники

         также полупроводниковых                                                         (2009 год)

         нитей с наноразмерами при

         вытяжке стеклянного

         капилляра, заполненного

         жидкой фазой

         полупроводника

   

     77. Разработка технологии           106              25     44     37               создание базовой пленочной технологии

         выращивания слоев               ---              --     --     --               пьезокерамических элементов, совместимой

         пьезокерамики на                 69              17     28     24               с комплементарной металло-оксидной

         кремниевых подложках для                                                        полупроводниковой технологией для

         формирования                                                                    разработки нового класса активных

         комплексированных                                                               пьезокерамических устройств,

         устройств микросистемной                                                        интегрированных с микросистемами (2011

         техники                                                                         год)

   

     78. Разработка методологии и        57        36     21                             создание технологии травления и

         базовых технологий              --        --     --                             изготовления кремниевых трехмерных

         создания многослойных           38        24     14                             базовых элементов

         кремниевых структур с                                                           микроэлектромеханических систем с

         использованием                                                                  использованием "жертвенных" и "стопорных"

         "жертвенных" и "стопорных"                                                      слоев для серийного производства

         диффузионных и                                                                  элементов микроэлектромеханических систем

         диэлектрических слоев для                                                       (2009 год) кремниевых структур

         производства силовых                                                            с использованием силикатных стекол, моно-,

         приборов и элементов                                                            поликристаллического и пористого кремния

         микроэлектромеханических                                                        и диоксида кремния

         систем

   

     79. Разработка базовых              105                     61     44               создание технологии получения алмазных

         технологий получения            ---                     --     --               полупроводниковых наноструктур и

         алмазных полупроводниковых       70                     41     29               наноразмерных органических покрытий,

         наноструктур и                                                                  алмазных полупроводящих пленок для

         наноразмерных органических                                                      конкурентоспособных высокотемпературных и

         покрытий с широким                                                              радиационно стойких устройств и приборов

         диапазоном функциональных                                                       двойного назначения (2011 год)

         свойств

   

     80. Исследование и разработка       141       57     84                             создание технологии изготовления

         технологии роста                ---       --     --                             гетероструктур и эпитаксиальных структур

         эпитаксиальных слоев             93       38     55                             на основе нитридов для создания

         карбида кремния, структур                                                       радиационно стойких сверхвысокочастотных

         на основе нитридов, а                                                           и силовых приборов нового поколения

         также формирования                                                              (2009 год)

         изолирующих и

         коммутирующих слоев в

         приборах экстремальной

         электроники

   

     81. Разработка технологии           160       52    108                             создание технологии производства структур

         производства радиационно        ---       --    ---                             "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм

         стойких сверхбольших             90       35     55                             с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и

         интегральных схем на                                                            топологическими нормами до 0,18 мкм для

         ультратонких                                                                    производства электронной компонентной

         гетероэпитаксиальных                                                            базы специального и двойного назначения

         структурах кремния на                                                           (2009 год)

         сапфировой подложке для

         производства электронной

         компонентной базы

         специального и двойного

         назначения

   

     82. Разработка технологии           146       54     92                             создание технологии производства

         производства высокоомного       ---       --     --                             радиационно облученного кремния и пластин

         радиационно облученного         96        36     60                             кремния до 150 мм для выпуска мощных

         кремния, слитков и пластин                                                      транзисторов и сильноточных тиристоров

         кремния диаметром до 150                                                        нового поколения (2009 год)

         мм для производства

         силовых полупроводниковых

         приборов

   

     83. Разработка технологии           92        36     56                             разработка и промышленное освоение

         производства кремниевых         --        --     --                             получения высококачественных подложек и

         подложек и структур для         63        24     39                             структур для использования в производстве

         силовых полупроводниковых                                                       силовых полупроводниковых приборов, с

         приборов с глубокими                                                            глубокими высоколегированными слоями и

         высоколегированными слоями                                                      скрытыми слоями носителей с повышенной

         p- и n-типов проводимости                                                       рекомбинацией (2009 год)

         и скрытыми слоями

         носителей с повышенной

         рекомбинацией

   

     84. Разработка технологии           216       72    144                             создание технологии производства пластин

         производства электронного       ---       --    ---                             кремния диаметром до 200 мм и

         кремния, кремниевых             162       48    114                             эпитаксиальных структур уровня 0,25 -

         пластин диаметром                                                               0,18 мкм (2009 год)

         до 200 мм и кремниевых

         эпитаксиальных структур

         уровня технологии

         0,25 - 0,18 мкм

   

     85. Разработка методологии,         232                    109    123               разработка технологии корпусирования

         конструктивно-технических       ---                    ---    ---               интегральных схем и полупроводниковых

         решений и перспективной         161                     78     83               приборов на основе использования

         базовой технологии                                                              многослойных кремниевых структур со

         корпусирования                                                                  сквозными токопроводящими каналами,

         интегральных схем и                                                             обеспечивающей сокращение состава

         полупроводниковых приборов                                                      сборочных операций и формирование

         на основе использования                                                         трехмерных структур (2010 год, 2011 год)

         многослойных кремниевых

         структур со сквозными

         токопроводящими каналами

   

     86. Разработка технологии           220                     85     135              создание базовой технологии производства

         производства                    ---                     --     ---              гетероструктур SiGe для выпуска

         гетероструктур SiGe для         143                     53      90              быстродействующих сверхбольших

         разработки сверхбольших                                                         интегральных схем с топологическими

         интегральных схем с                                                             нормами 0,25 - 0,18 мкм (2010 год, 2011

         топологическими нормами                                                         год)

         0,25 - 0,18 мкм

   

     87. Разработка технологии           46        28     18                             создание технологии выращивания и

         выращивания и обработки, в      --        --     --                             обработки пьезоэлектрических материалов

         том числе                       34        22     12                             акустоэлектроники и акустооптики для

         плазмохимической, новых                                                         обеспечения производства широкой

         пьезоэлектрических                                                              номенклатуры акустоэлектронных устройств

         материалов для                                                                  нового поколения (2009 год)

         акустоэлектроники и

         акустооптики

   

     88. Разработка технологий           87                      32     55               создание технологии массового

         производства                    --                      --     --               производства исходных материалов и

         соединений A B  и тройных       58                      22     36               структур для перспективных приборов

                     3 5                                                                 лазерной и оптоэлектронной техники, в том

         структур для:                                                                   числе:

         производства сверхмощных                                                        производства сверхмощных лазерных диодов

         лазерных диодов;                                                                (2010 год);

         высокоэффективных                                                               высокоэффективных светодиодов белого,

         светодиодов белого,                                                             зеленого, синего и ультрафиолетового

         зеленого, синего и                                                              диапазонов (2011 год);

         ультрафиолетового                                                               фотоприемников среднего инфракрасного

         диапазонов;                                                                     диапазона (2011 год)

         фотоприемников среднего

         инфракрасного диапазона

   

     89. Исследование и разработка       48        30     18                             создание технологии производства

         технологии получения            --        --     --                             принципиально новых материалов

         гетероструктур с                33        22     11                             полупроводниковой электроники на основе

         вертикальными оптическими                                                       сложных композиций для перспективных

         резонаторами на основе                                                          приборов лазерной и оптоэлектронной

         квантовых ям и квантовых                                                        техники (2009 год)

         точек для производства

         вертикально излучающих

         лазеров для устройств

         передачи информации и

         матриц для оптоэлектронных

         переключателей нового

         поколения

   

     90. Разработка технологии           86                      32     54               создание технологии производства

         производства современных        --                      --     --               компонентов для специализированных

         компонентов для                 57                      22     35               электронно-лучевых (2010 год),

         специализированных                                                              электронно-оптических и отклоняющих

         фотоэлектронных приборов,                                                       систем (2010 год),

         в том числе:                                                                    стеклооболочек и деталей из

           катодов и                                                                     электровакуумного стекла различных марок

         газопоглотителей;                                                               (2011 год)

           электронно-оптических и

         отклоняющих систем;

           стеклооболочек и деталей

         из электровакуумного

         стекла различных марок

   

     91. Разработка технологии           47        30     17                             создание технологии производства особо

         производства особо тонких       --        --     --                             тонких гетерированных нанопримесями

         гетерированных                  32        20     12                             полупроводниковых структур для

         нанопримесями                                                                   изготовления высокоэффективных

         полупроводниковых структур                                                      фотокатодов электронно-оптических

         для высокоэффективных                                                           преобразователей и фотоэлектронных

         фотокатодов, электронно-                                                        умножителей, приемников инфракрасного

         оптических                                                                      диапазона, солнечных элементов и других

         преобразователей и                                                              приложений (2009 год)

         фотоэлектронных

         умножителей, приемников

         инфракрасного диапазона и

         солнечных элементов с

         высокими значениями

         коэффициента полезного

         действия

   

     92. Разработка базовой              85                      32     53               создание технологии монокристаллов AlN

         технологии производства         --                      --     --               для изготовления изолирующих и проводящих

         монокристаллов Al№ для          58                      22     36               подложек для создания полупроводниковых

         изготовления изолирующих и                                                      высокотемпературных и мощных

         проводящих подложек для                                                         сверхвысокочастотных приборов нового

         гетероструктур                                                                  поколения (2011 год)

   

     93. Разработка базовой              47        30     17                             создание базовой технологии вакуумно-

         технологии производства         --        --     --                             плотной спецстойкой керамики из

         наноструктурированных           32        20     12                             нанокристаллических порошков и нитридов

         оксидов металлов (корунда                                                       металлов для промышленного освоения

         и т.п.) для производства                                                        спецстойких приборов нового поколения

         вакуумно-плотной                                                                (2009 год), в том числе микрочипов,

         нанокерамики, в том числе                                                       сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-

         с заданными оптическими                                                         матриц, а также особо прочной электронной

         свойствами                                                                      компонентной базы оптоэлектроники и

                                                                                         фотоники

   

     94. Разработка базовой              86                      33     53               создание технологии производства

         технологии производства         --                      --     --               полимерных и композиционных материалов с

         полимерных и гибридных          58                      21     37               использованием поверхностной и объемной

         органо-неорганических                                                           модификации полимеров

         наноструктурированных                                                           наноструктурированными наполнителями для

         защитных материалов для                                                         создания изделий с высокой механической,

         электронных компонентов                                                         термической и радиационной стойкостью при

         нового поколения                                                                работе в условиях длительной эксплуатации

         прецизионных и                                                                  и воздействии комплекса специальных

         сверхвысокочастотных                                                            внешних факторов (2011 год)

         резисторов, терминаторов,

         аттенюаторов и резисторно-

         индукционно-емкостных

         матриц, стойких к

         воздействию комплекса

         специальных внешних

         факторов

   

     95. Исследование и разработка      1395                                     1395    создание базовой технологии производства

         перспективных                  ----                                     ----    гетероструктур, структур и псевдоморфных

         гетероструктурных и             930                                      930    структур на подложках InP для

         наноструктурированных                                                           перспективных полупроводниковых приборов

         материалов с                                                                    и сверхвысокочастотных монолитных

         экстремальными                                                                  интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц

         характеристиками для                                                            (2012 год), создание технологии получения

         перспективных электронных                                                       алмазных полупроводниковых наноструктур и

         приборов и                                                                      наноразмерных органических покрытий (2013

         радиоэлектронной                                                                год), алмазных полупроводящих пленок для

         аппаратуры специального                                                         конкурентоспособных высокотемпературных и

         назначения                                                                      радиационно стойких устройств и приборов

                                                                                         двойного назначения, создание технологии

                                                                                         изготовления гетероструктур и

                                                                                         эпитаксиальных структур на основе

                                                                                         нитридов (2015 год)

   

     96. Исследование и разработка      1395                                     1395    создание нового класса конструкционных и

         экологически чистых            ----                                     ----    технологических материалов для уровней

         материалов и методов их         930                                      930    технологии 0,065 - 0,032 мкм и

         использования в                                                                 обеспечения высокого процента выхода

         производстве электронной                                                        годных изделий, экологических требований

         компонентной базы и                                                             по международным стандартам (2012 год,

         радиоаппаратуры, включая                                                        2015 год)

         бессвинцовые композиции

         для сборки

   

     97. Разработка перспективных       1380                                     1380    создание перспективных технологий

         технологий получения           ----                                     ----    производства компонентов для

         ленточных материалов            920                                      920    специализированных электронно-лучевых,

         (полимерные,                                                                    электронно-оптических и отклоняющих

         металлические,                                                                  систем, стеклооболочек и деталей из

         плакированные и другие)                                                         электровакуумного стекла различных марок

         для радиоэлектронной                                                            (2013 год), создание технологии

         аппаратуры и сборочных                                                          производства полимерных и композиционных

         операций электронной                                                            материалов с использованием поверхностной

         компонентной базы                                                               и объемной модификации полимеров

                                                                                         наноструктурированными наполнителями

                                                                                         (2015 год)

   

         Всего по направлению 5         6864       612   702    663    717      4170

                                        ----       ---   ---    ---    ---      ----

                                        4576       408   468    442    478      2780

   

                                    Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы

   

     98. Разработка технологии           33        18     15                             разработка расширенного ряда резонаторов

         выпуска прецизионных            --        --     --                             с повышенной кратковременной и

         температуростабильных           22        12     10                             долговременной стабильностью для создания

         высокочастотных                                                                 контрольной аппаратуры и техники связи

         до 1,5 - 2 ГГц резонаторов                                                      двойного назначения

         на поверхностно

         акустических волнах до 1,5

         ГГц с полосой до 70

         процентов и длительностью

         сжатого сигнала до 2 - 5

         нс

   

     99. Разработка в лицензируемых      120              21     48     51               создание технологии и конструкции

         и нелицензируемых               ---              --     --     --               акустоэлектронных пассивных и активных

         международных частотных          80              14     32     34               меток-транспондеров для применения в

         диапазонах 860 МГц и 2,45                                                       логистических приложениях на транспорте,

         ГГц ряда радиочастотных                                                         в торговле и промышленности (2010 год,

         пассивных и активных                                                            2011 год)

         акустоэлектронных меток-

         транспондеров, в том числе

         работающих в реальной

         помеховой обстановке, для

         систем радиочастотной

         идентификации и систем

         управления доступом

   

    100. Разработка базовой              32        17     15                             создание технологии проектирования и

         конструкции и промышленной      --        --     --                             базовых конструкций пьезоэлектрических

         технологии производства         21        11     10                             фильтров в малогабаритных корпусах для

         пьезокерамических фильтров                                                      поверхностного монтажа при изготовлении

         в корпусах для                                                                  техники связи массового применения (2009

         поверхностного монтажа                                                          год)

   

    101. Разработка технологии           39        39                                    создание базовой технологии

         проектирования, базовой         --        --                                    акустоэлектронных приборов для

         технологии производства и       26        26                                    перспективных систем связи, измерительной

         конструирования                                                                 и навигационной аппаратуры нового

         акустоэлектронных                                                               поколения - подвижных, спутниковых,

         устройств нового поколения                                                      тропосферных и радиорелейных линий связи,

         и фильтров промежуточной                                                        цифрового интерактивного телевидения,

         частоты с высокими                                                              радиоизмерительной аппаратуры,

         характеристиками для                                                            радиолокационных станций, спутниковых

         современных систем связи,                                                       навигационных систем (2008 год)

         включая

         высокоизбирательные

         высокочастотные устройства

         частотной селекции на

         поверхностных и

         приповерхностных волнах и

         волнах Гуляева-Блюштейна с

         предельно низким уровнем

         вносимого затухания для

         частотного диапазона до 5

         ГГц

   

    102. Разработка технологии           96               33     63                      создание технологии производства

         проектирования и базовой        --               --     --                      высокоинтегрированной электронной

         технологии производства         64               22     42                      компонентной базы типа "система в

         функциональных законченных                                                      корпусе" для вновь разрабатываемых и

         устройств стабилизации,                                                         модернизируемых сложных радиоэлектронных

         селекции частоты и                                                              систем и комплексов (2010 год)

         обработки сигналов типа

         "система в корпусе"

   

    103. Разработка базовой              69                      48     21               создание базовой технологии (2010 год) и

         конструкции и технологии        --                      --     --               базовой конструкции микроминиатюрных

         изготовления                    46                      32     14               высокодобротных фильтров для

         высокочастотных                                                                 малогабаритной и носимой аппаратуры

         резонаторов и фильтров на                                                       навигации и связи

         объемных акустических

         волнах для

         телекоммуникационных и

         навигационных систем

   

    104. Разработка технологии и         30        30                                    создание нового поколения оптоэлектронных

         базовой конструкции             --        --                                    приборов для обеспечения задач

         фоточувствительных              20        20                                    предотвращения аварий и контроля

         приборов с матричными

         приемниками высокого

         разрешения для видимого и

         ближнего инфракрасного

         диапазона для аппаратуры

         контроля изображений

   

    105. Разработка базовой              37        16     21                             создание базовой технологии нового

         технологии унифицированных      --        --     --                             поколения приборов контроля тепловых

         электронно-оптических           24        10     14                             полей для задач теплоэнергетики,

         преобразователей,                                                               медицины, поисковой и контрольной

         микроканальных пластин,                                                         аппаратуры на транспорте,

         пироэлектрических матриц и                                                      продуктопроводах и в охранных системах

         камер на их основе с                                                            (2009 год)

         чувствительностью до 0,1 К

         и широкого инфракрасного

         диапазона

   

    106. Разработка базовой              84        45     39                             создание базовой технологии (2008 год) и

         технологии создания             --        --     --                             конструкции новых типов приборов,

         интегрированных гибридных       55        30     25                             сочетающих фотоэлектронные и

         фотоэлектронных                                                                 твердотельные технологии, с целью

         высокочувствительных и                                                          получения экстремально достижимых

         высокоразрешающих приборов                                                      характеристик для задач контроля и

         и усилителей для задач                                                          наблюдения в системах двойного назначения

         космического мониторинга и

         специальных систем

         наблюдения, научной и

         метрологической аппаратуры

   

    107. Разработка базовых              96        45     51                             создание базовой технологии (2008 год) и

         технологий мощных               --        --     --                             конструкций принципиально новых мощных

         полупроводниковых лазерных      64        30     34                             диодных лазеров, предназначенных для

         диодов (непрерывного и                                                          широкого применения в изделиях двойного

         импульсного излучения),                                                         назначения, медицины, полиграфического

         специализированных                                                              оборудования и системах открытой

         лазерных полупроводниковых                                                      оптической связи

         диодов, фотодиодов и

         лазерных волоконно-

         оптических модулей для

         создания аппаратуры и

         систем нового поколения

   

    108. Разработка и освоение           98               15     60     23               разработка базового комплекта основных

         базовых технологий для          --               --     --     --               оптоэлектронных компонентов для лазерных

         лазерных навигационных          65               10     40     15               гироскопов широкого применения (2010

         приборов, включая                                                               год), создание комплекса технологий

         интегральный оптический                                                         обработки и формирования структурных и

         модуль лазерного гироскопа                                                      приборных элементов, оборудования

         на базе                                                                         контроля и аттестации, обеспечивающих

         сверхмалогабаритных                                                             новый уровень технико-экономических

         кольцевых                                                                       показателей производства

         полупроводниковых лазеров

         инфракрасного диапазона,

         оптоэлектронные компоненты

         для широкого класса

         инерциальных лазерных

         систем управления

         движением гражданских и

         специальных средств

         транспорта

   

    109. Разработка базовых              47        22     25                             создание базовой технологии твердотельных

         конструкций и технологий        --        --     --                             чип-лазеров для лазерных дальномеров,

         создания квантово-              32        15     17                             твердотельных лазеров с пикосекундными

         электронных приемо-                                                             длительностями импульсов для установок по

         передающих модулей для                                                          прецизионной обработке композитных

         малогабаритных лазерных                                                         материалов, для создания элементов и

         дальномеров нового                                                              изделий микромашиностроения и в

         поколения на основе                                                             производстве электронной компонентной

         твердотельных чип-лазеров                                                       базы нового поколения, мощных лазеров для

         с полупроводниковой                                                             применения в машиностроении,

         накачкой, технологических                                                       авиастроении, автомобилестроении,

         лазерных установок                                                              судостроении, в составе промышленных

         широкого спектрального                                                          технологических установок обработки и

         диапазона                                                                       сборки, систем экологического мониторинга

                                                                                         окружающей среды, контроля выбросов

                                                                                         патогенных веществ, контроля утечек в

                                                                                         продуктопроводах (2008 год, 2009 год)

   

    110. Разработка базовых              67        55     12                             создание технологии получения

         технологий формирования         --        --     --                             широкоапертурных элементов на основе

         конструктивных узлов и          45        37      8                             алюмоиттриевой легированной керамики

         блоков для лазеров нового                                                       композитных составов для лазеров с

         поколения и технологии                                                          диодной накачкой (2008 год),

         создания полного комплекта                                                      высокоэффективных преобразователей

         электронной компонентной                                                        частоты лазерного излучения, организация

         базы для производства                                                           промышленного выпуска оптических изделий

         лазерного устройства                                                            и лазерных элементов широкой номенклатуры

         определения наличия

         опасных, взрывчатых,

         отравляющих и

         наркотических веществ в

         контролируемом

         пространстве

   

    111. Разработка базовых              52        25     27                             разработка расширенной серии

         технологий, базовой             --        --     --                             низковольтных катодолюминесцентных и

         конструкции и организация       35        17     18                             других дисплеев с широким диапазоном

         производства                                                                    эргономических характеристик и свойств по

         интегрированных                                                                 условиям применения для информационных и

         катодолюминесцентных и                                                          контрольных систем

         других дисплеев двойного

         назначения со встроенным

         микроэлектронным

         управлением

   

    112. Разработка технологии и         45        24     21                             создание ряда принципиально новых

         базовых конструкций             --        --     --                             светоизлучающих приборов с минимальными

         высокояркостных                 30        16     14                             геометрическими размерами, высокой

         светодиодов и индикаторов                                                       надежностью и устойчивостью к

         основных цветов свечения                                                        механическим и климатическим

         для систем подсветки в                                                          воздействиям, обеспечивающих

         приборах нового поколения                                                       энергосбережение за счет замены ламп

                                                                                         накаливания в системах подсветки

                                                                                         аппаратуры и освещения

   

    113. Разработка базовой              90               15     57     18               создание базовой технологии производства

         технологии и конструкции        --               --     --     --               нового поколения оптоэлектронной

         оптоэлектронных приборов        60               10     38     12               высокоэффективной и надежной электронной

         (оптроны, оптореле,                                                             компонентной базы для промышленного

         светодиоды) в миниатюрных                                                       оборудования и систем связи (2010 год,

         корпусах для                                                                    2011 год)

         поверхностного монтажа

   

    114. Разработка                      51        24     27                             создание технологии новых классов носимой

         схемотехнических решений и      --        --     --                             и стационарной аппаратуры, экранов

         унифицированных базовых         34        16     18                             отображения информации коллективного

         конструкций и технологий                                                        пользования повышенных емкости и формата

         формирования твердотельных                                                      (2009 год)

         видеомодулей на

         полупроводниковых

         светоизлучающих структурах

         для носимой аппаратуры,

         экранов индивидуального и

         коллективного пользования

         с бесшовной стыковкой

   

    115. Разработка базовой              60        30     30                             создание технологии массового

         технологии изготовления         --        --     --                             производства солнечных элементов для

         высокоэффективных               40        20     20                             индивидуального и коллективного

         солнечных элементов на                                                          использования в труднодоступных районах,

         базе использования                                                              развития солнечной энергетики в жилищно-

         кремния, полученного по                                                         коммунальном хозяйстве для обеспечения

         "бесхлоридной" технологии                                                       задач энергосбережения (2009 год)

         и технологии "литого"

         кремния прямоугольного

         сечения

   

    116. Разработка базовой              38        18     20                             создание технологии массового

         технологии и освоение           --        --     --                             производства нового класса

         производства                    25        12     13                             оптоэлектронных приборов для широкого

         оптоэлектронных реле с                                                          применения в радиоэлектронной аппаратуре

         повышенными техническими                                                        (2009 год)

         характеристиками для

         поверхностного монтажа

   

    117. Комплексное исследование и      162              33     99     30               создание базовой технологии массового

         разработка технологий           ---              --     --     --               производства экранов с предельно низкой

         получения новых классов         108              22     66     20               удельной стоимостью для информационных и

         органических (полимерных)                                                       обучающих систем (2010 год, 2011 год)

         люминофоров, пленочных

         транзисторов на основе

         "прозрачных" материалов,

         полимерной пленочной

         основы и технологий

         изготовления

         крупноформатных гибких и

         особо плоских экранов, в

         том числе на базе

         высокоразрешающих

         процессов струйной печати

         и непрерывного процесса

         изготовления типа "с

         катушки на катушку"

   

    118. Разработка базовых              183       45     33    105                      создание технологии и конструкции

         конструкций и технологии        ---       --     --    ---                      активно-матричных органических

         активных матриц и               122       30     22     70                      электролюминесцентных,

         драйверов плоских экранов                                                       жидкокристаллических и

         на основе аморфных,                                                             катодолюминесцентных дисплеев, стойких к

         поликристаллических и                                                           внешним специальным и климатическим

         кристаллических кремниевых                                                      воздействиям (2010 год)

         интегральных структур на

         различных подложках и

         создание на их основе

         перспективных

         видеомодулей, включая

         органические

         электролюминесцентные,

         жидкокристаллические и

         катодолюминесцентные,

         создание базовой

         технологии серийного

         производства монолитных

         модулей двойного

         назначения

   

    119. Разработка базовой              162              33     99     30               создание технологии и базовых конструкций

         конструкции и технологии        ---              --     --     --               полноцветных газоразрядных видеомодулей

         крупноформатных полно-          108              22     66     20               специального и двойного назначения для

         цветных газоразрядных                                                           наборных экранов коллективного

         видеомодулей                                                                    пользования (2010 год)

   

    120. Разработка технологии           72        24     18     30                      разработка расширенного ряда

         сверхпрецизионных               --        --     --     --                      сверхпрецизионных резисторов, гибридных

         резисторов и гибридных          48        16     12     20                      интегральных схем цифроаналоговых и

         интегральных схем цифро-                                                        аналого-цифровых преобразователей с

         аналоговых и аналого-                                                           параметрами, превышающими уровень

         цифровых преобразователей                                                       существующих отечественных и зарубежных

         на их основе в                                                                  изделий, для аппаратуры связи,

         металлокерамических                                                             диагностического контроля, медицинского

         корпусах для аппаратуры                                                         оборудования, авиастроения,

         двойного назначения                                                             станкостроения, измерительной техники

                                                                                         (2010 год)

   

    121. Разработка базовой              105                     45     60               разработка расширенного ряда

         технологии особо                ---                     --     --               сверхпрецизионных резисторов с повышенной

         стабильных и особо точных        70                     30     40               удельной мощностью рассеяния,

         резисторов широкого                                                             высоковольтных высокоомных резисторов для

         диапазона сопротивления,                                                        измерительной техники, приборов ночного

         прецизионных датчиков тока                                                      видения и аппаратуры контроля (2011 год)

         для измерительной и

         контрольной аппаратуры и

         освоение их производства

   

    122. Разработка технологии и         192              24     78     90               создание базовой технологии и конструкции

         базовых конструкций             ---              --     --     --               резисторов с повышенными значениями

         резисторов и резистивных        128              16     52     60               стабильности, удельной мощности в чип-

         структур нового поколения                                                       исполнении на основе многослойных

         для поверхностного                                                              монолитных структур (2010 год, 2011 год)

         монтажа, в том числе

         резисторов с повышенными

         характеристиками,

         ультранизкоомных

         резисторов, малогабаритных

         подстроечных резисторов,

         интегральных сборок серии

         нелинейных

         полупроводниковых

         резисторов в многослойном

         исполнении чип-конструкции

   

    123. Разработка технологий           48        36     12                             создание базовой технологии производства

         формирования                    --        --     --                             датчиков на резистивной основе с высокими

         интегрированных                 32        24     8                              техническими характеристиками и

         резистивных структур с                                                          надежностью (2009 год)

         повышенными технико-

         эксплуатационными

         характеристиками на основе

         микроструктурированных

         материалов и методов

         групповой сборки

   

    124. Создание групповой              60        30     30                             создание технологии автоматизированного

         технологии                      --        --     --                             производства чип- и микрочип-резисторов

         автоматизированного             40        20     20                             (в габаритах 0402, 0201 и менее) для

         производства                                                                    применения в массовой аппаратуре (2009

         толстопленочных чип- и                                                          год)

         микрочип-резисторов

   

    125. Разработка новых базовых        129       24     30     75                      создание базовой технологии производства

         технологий и                    ---       --     --     --                      конденсаторов с качественно улучшенными

         конструктивных решений           86       16     20     50                      характеристиками с электродами из

         изготовления танталовых                                                         неблагородных металлов при сохранении

         оксидно-полупроводниковых                                                       высокого уровня надежности (2010 год)

         и оксидно-

         электролитических

         конденсаторов и чип-

         конденсаторов и

         организация производства

         конденсаторов с повышенным

         удельным зарядом,

         сверхнизким значением

         внутреннего сопротивления

         и улучшенными

         потребительскими

         характеристиками

   

    126. Разработка комплексной          41        20     21                             создание базовых технологий конденсаторов

         базовой технологии и            --        --     --                             и ионисторов на основе полимерных

         организация производства        27        13     14                             материалов с повышенным удельным зарядом

         конденсаторов с                                                                 и энергоемких накопительных конденсаторов

         органическим диэлектриком                                                       с повышенной удельной энергией (2009 год)

         и повышенными удельными

         характеристиками и

         ионисторов с повышенным

         током разряда

   

    127. Разработка технологии,          115              25     60     30               создание технологии и базовых конструкций

         базовых конструкций             ---              --     --     --               нового поколения выключателей для

         высоковольтных                   77              17     40     20               радиоэлектронной аппаратуры с повышенными

         (быстродействующих,                                                             тактико-техническими характеристиками и

         мощных) вакуумных                                                               надежностью (2011 год)

         выключателей нового

         поколения с предельными

         характеристиками для

         радиотехнической

         аппаратуры с высокими

         сроками службы

   

    128. Разработка технологий           49        24     25                             создание технологии изготовления

         создания газонаполненных        --        --     --                             коммутирующих устройств для токовой

         высоковольтных                  33        16     17                             коммутации цепей в широком диапазоне

         высокочастотных                                                                 напряжений и токов для радиоэлектронных и

         коммутирующих устройств                                                         электротехнических систем (2009 год)

         для токовой коммутации

         цепей с повышенными

         техническими

         характеристиками

   

    129. Разработка полного              27        27                                    создание технологии выпуска устройств

         комплекта электронной           --        --                                    грозозащиты в индивидуальном,

         компонентной базы для           18        18                                    промышленном и гражданском строительстве,

         создания модульного                                                             строительстве пожароопасных объектов

         устройства грозозащиты                                                          (2008 год)

         зданий и сооружений с

         обеспечением требований по

         международным стандартам

   

    130. Разработка базовых              97        46     51                             создание базовой технологии формирования

         конструкций и технологий        --        --     --                             высококачественных гальванических

         изготовления                    65        31     34                             покрытий, технологии прецизионного

         малогабаритных                                                                  формирования изделий для

         переключателей с                                                                автоматизированных систем изготовления

         повышенными сроками службы                                                      коммутационных устройств широкого

         для печатного монтажа                                                           назначения (2009 год)

   

    131. Комплексное исследование и      825                                     825     комплексное исследование и разработка

         разработка пленочных            ---                                     ---     технологий получения новых классов

         технологий изготовления         550                                     550     органических (полимерных) люминофоров,

         высокоэкономичных                                                               пленочных транзисторов на основе

         крупноформатных гибких и                                                        "прозрачных" материалов, полимерной

         особо плоских экранов                                                           пленочной основы и технологий

                                                                                         изготовления крупноформатных гибких и

                                                                                         особо плоских экранов в том числе на базе

                                                                                         высокоразрешающих процессов струйной

                                                                                         печати и непрерывного процесса

                                                                                         изготовления типа "с катушки на катушку"

                                                                                         (2012 год), создание базовой технологии

                                                                                         массового производства экранов с

                                                                                         предельно низкой удельной стоимостью для

                                                                                         информационных и обучающих систем (2014

                                                                                         год)

   

    132. Исследование перспективных      825                                     825     создание технологии формирования нового

         конструкций и                   ---                                     ---     поколения оптоэлектронных

         технологических принципов       550                                     550     комплексированных приборов,

         формирования                                                                    обеспечивающих создание "системы на

         оптоэлектронных и                                                               кристалле" с оптическими входами-выходами

         квантовых структур и                                                            (2014 год, 2015 год)

         приборов нового поколения

   

    133. Разработка   перспективных     811,5                                   811,5    создание перспективной технологии

         технологий   промышленного     -----                                   -----    массового производства солнечных

         изготовления     солнечных      541                                     541     элементов для индивидуального и

         высокоэффективных                                                               коллективного использования (2015 год)

         элементов

   

         Всего по направлению 6        5086,5      684  721,5   867   352,5    2461,5

                                       ------      ---  -----   ---   -----    ------

                                        3391       456   481    578    235      1641

   

                           Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

   

    134. Разработка базовых             4395       90    135    135    735      3300     создание на основе современной и

         технологий создания рядов      ----       --    ---    ---    ---      ----     перспективной отечественной электронной

         приемо-передающих              2930       60     90     90    490      2200     компонентной элементной базы и последних

         унифицированных                                                                 достижений в разработке алгоритмов сжатия

         электронных модулей для                                                         видеоизображений приемо-передающих

         аппаратуры связи,                                                               унифицированных электронных модулей

         радиолокации,                                                                   аппаратуры связи, телекоммуникаций,

         телекоммуникаций, бортовых                                                      цифрового телевидения, бортовых

         радиотехнических средств                                                        радиотехнических средств, активных

                                                                                         фазированных антенных решеток с

                                                                                         параметрами:

                                                                                           диапазон частот до 100 ГГц;

                                                                                           скорость передачи информации до 100

                                                                                           Гбит/с;

                                                                                         создание базовых технологий и конструкции

                                                                                         для создания унифицированных рядов

                                                                                         приемо-передающих унифицированных

                                                                                         электронных модулей аппаратуры волоконно-

                                                                                         оптических линий связи когерентных,

                                                                                         высокоскоростных каналов со спектральным

                                                                                         уплотнением, телекоммуникаций, цифрового

                                                                                         телевидения, обеспечивающих

                                                                                         импортозамещение в этой области;

                                                                                         разработка новых технологий

   

    135. Разработка базовых             2820       60    105     90    465      2100     создание на основе базовых технологий и

         технологий создания нового     ----       --    ---     --    ---      ----     современной отечественной твердотельной

         класса унифицированных         1880       40     70     60    310      1400     компонентной электронной базы

         электронных модулей для                                                         унифицированных электронных модулей

         обработки аналоговых и                                                          нового поколения для обработки аналоговых

         цифровых сигналов на                                                            и цифровых сигналов РЛС и других

         основе устройств                                                                радиотехнических систем в

         функциональной                                                                  высокочастотных, ПЧ и

         электроники, приборов                                                           сверхвысокочастотных диапазонах, освоение

         обработки сигналов                                                              производства нового класса

         аналого-цифровых и                                                              многофункциональных радиоэлектронных

         цифроаналоговых                                                                 устройств, разработка унифицированных

         преобразователей, сенсоров                                                      электронных модулей преобразователей

         и преобразователей                                                              физических и химических величин для

                                                                                         измерения и контроля широкой номенклатуры

                                                                                         параметров микромеханических систем

   

    136. Разработка базовых             1725       45     60     60    285      1275     создание рядов унифицированных

         технологий создания рядов      ----       --     --     --    ---      ----     электронных модулей для систем

         унифицированных                1150       30     40     40    190       850     телеметрии, управления, радиолокационных,

         электронных модулей для                                                         робототехнических, телекоммуникационных

         систем телеметрии,                                                              систем и навигации (ориентации,

         управления, навигации                                                           стабилизации, позиционирования,

         (угловых и линейных                                                             наведения, радиопеленгации, единого

         перемещений, ориентации,                                                        времени), позволяющих резко снизить

         стабилизации,                                                                   стоимость и организовать крупносерийное

         позиционирования,                                                               производство радиоэлектронных средств

         наведения,                                                                      широкого применения

         радиопеленгации, единого

         времени)

   

    137. Разработка базовых             3285       60    105    105    540      2475     создание на основе современной и

         технологий создания рядов      ----       --    ---    ---    ---      ----     перспективной отечественной электронной

         унифицированных                2190       40     70     70    360      1650     компонентной базы унифицированных

         электронных модулей                                                             электронных модулей широкой номенклатуры

         процессоров, скоростного и                                                      для применения в различных информационных

         сверхскоростного ввода-                                                         системах, в том числе унифицированных

         вывода данных, шифрования                                                       электронных модулей шифрования и

         и дешифрования данных,                                                          дешифрования данных;

         интерфейсов обмена, систем                                                      разработка базовых технологий и

         сбора и хранения                                                                конструкций унифицированных электронных

         информации, периферийных                                                        модулей на поверхностных акустических

         устройств, систем                                                               волнах систем радиочастотной и

         идентификации и управления                                                      биометрической идентификации, систем

         доступом, конверторов,                                                          идентификации личности, транспортных

         информационно-                                                                  средств, электронных паспортов,

         вычислительных систем                                                           логистики, контроля доступа на объекты

                                                                                         повышенной безопасности, объектов атомной

                                                                                         энергетики.

                                                                                         В создаваемых унифицированных электронных

                                                                                         модулях будет обеспечена скорость обмена

                                                                                         и передачи информации до 30 Гб/сек

   

    138. Разработка базовых             1680       45     60     60    270      1245     разработка на основе перспективных

         технологий создания рядов      ----       --     --     --    ---      ----     отечественных сверхбольших интегральных

         унифицированных                1120       30     40     40    180       830     схем типа "система на кристалле" базового

         электронных цифровых                                                            ряда электронных модулей для создания

         модулей для перспективных                                                       перспективных магистрально-модульных

         магистрально-модульных                                                          архитектур, обеспечивающих создание

         архитектур                                                                      защищенных средств вычислительной техники

                                                                                         нового поколения (автоматизированные

                                                                                         рабочие места, серверы, средства

                                                                                         высокоскоростных линий волоконной связи),

                                                                                         функционирующих с использованием

                                                                                         современных высокоскоростных

                                                                                         последовательных и параллельных системных

                                                                                         интерфейсов

   

    139. Разработка базовых             1980       45     75     60    330      1470     создание на основе современной и

         технологий создания ряда       ----       --     --     --    ---      ----     перспективной отечественной электронной

         унифицированных                1320       30     50     40    220       980     компонентной базы рядов унифицированных

         электронных модулей для                                                         электронных модулей, обеспечивающих

         контрольно-измерительной,                                                       возможность создания по модульному

         метрологической и                                                               принципу контрольно-измерительной,

         поверочной аппаратуры,                                                          метрологической и поверочной аппаратуры,

         аппаратуры тестового                                                            аппаратуры тестового контроля и

         контроля, диагностики                                                           диагностики на основе базовых несущих

         блоков радиоэлектронной                                                         конструкций;

         аппаратуры, для                                                                 создание комплекта сложнофункциональных

         стандартных и встроенных                                                        блоков, определяющих ядро измерительных

         систем контроля и                                                               приборов, систем и комплексов, разработка

         измерений                                                                       законченных функциональных модулей,

                                                                                         предназначенных для поверки и диагностики

                                                                                         выполнения процессорных и интерфейсных

                                                                                         функций сверхбольших интегральных схем

                                                                                         типа "система на кристалле" для систем

                                                                                         управления, а также систем проектирования

                                                                                         и изготовления модулей систем управления

                                                                                         и бортовых электронно-вычислительных

                                                                                         машин, систем обработки информации и

                                                                                         вычислений

   

    140. Разработка базовых             2865       60     90     90    480      2145     разработка базовых технологий создания

         технологий создания нового     ----       --     --     --    ---      ----     системообразующих унифицированных рядов

         поколения унифицированных      1910       40     60     60    320      1430     средств (систем, источников, сервисных

         рядов средств                                                                   устройств) и преобразователей

         электропитания и                                                                электроэнергии нового поколения

         преобразователей                                                                межвидового и межведомственного

         электроэнергии для                                                              применения, в том числе средств

         радиоэлектронных систем и                                                       электропитания с высокой плотностью

         аппаратуры гражданского и                                                       упаковки элементов с применением

         двойного назначения                                                             бескорпусных изделий, плоских моточных

                                                                                         изделий пленочной технологии, новых

                                                                                         методов экранирования, отвода и рассеяния

                                                                                         тепла, основанных на применении

                                                                                         наноразмерных материалов с высокой

                                                                                         анизотропной теплопроводностью.

                                                                                         Будут разработаны базовые технологии

                                                                                         создания:

                                                                                               унифицированных рядов источников

                                                                                         электропитания;

                                                                                               преобразователей электрической

                                                                                         энергии;

                                                                                               источников и систем бесперебойного

                                                                                         электропитания;

                                                                                               фильтров сетевых модулей

                                                                                         автоматического переключения каналов;

                                                                                               модулей защиты от сетевых помех;

                                                                                               адаптеров

   

    141. Разработка                     3195       60    105    105    525      2400     разработка системы базовых несущих

         оптимизированной системы       ----       --    ---    ---    ---      ----     конструкций, изготавливаемых на основе

         базовых несущих                2130       40     70     70    350      1600     прогрессивных технологий и обеспечивающих

         конструкций первого,                                                            техническую совместимость со всеми видами

         второго и третьего уровней                                                      современных объектов с использованием

         для наземной, морской,                                                          новых полимерных материалов. Применение

         авиационной и космической                                                       оптимизированных базовых несущих

         радиоэлектронной                                                                конструкций позволит сократить сроки

         аппаратуры специального и                                                       разработки радиоэлектронной аппаратуры в

         двойного назначения,                                                            1,2 раза, снизить трудоемкость

         предназначенной для                                                             изготовления базовых несущих конструкций

         жестких условий                                                                 в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить

         эксплуатации, в том числе                                                       материалоемкость и сократить затраты на

         работающей в                                                                    производство радиоэлектронной аппаратуры

         негерметизированном отсеке                                                      в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное

         с использованием                                                                импортозамещение

         прогрессивных технологий

   

    142. Разработка базовых             1695       30     45     60    285      1275     разработка базовых несущих конструкций с

         технологий комплексно          ----       --     --     --    ---      ----     функциями контроля, в том числе контроля

         интегрированных базовых        1130       20     30     40    190       850     температуры, влажности, задымления в

         несущих конструкций с                                                           корпусах радиоэлектронной аппаратуры,

         функциями контроля,                                                             уровня вибрации, контроля параметров

         диагностики, индикации                                                          составных частей радиоэлектронной

         функционирования                                                                аппаратуры - унифицированных электронных

                                                                                         модулей, индикации рабочих режимов и

                                                                                         аварийных сигналов для идентификации

                                                                                         контролируемых параметров, разработка

                                                                                         герметичных и перфорированных базовых

                                                                                         несущих конструкций, обеспечивающих

                                                                                         нормальный тепловой режим

                                                                                         радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих

                                                                                         функции измерения и регулирования в

                                                                                         требуемом диапазоне температуры и

                                                                                         влажности воздуха внутри герметичных и

                                                                                         перфорированных базовых несущих

                                                                                         конструкций. Это позволит в

                                                                                         1,5 - 2 раза повысить надежность

                                                                                         радиоэлектронной аппаратуры

   

    143. Разработка базовых             1320       45     45     45    210       975     обеспечение улучшения массогабаритных

         технологий создания            ----       --     --     --    ---       ---     характеристик бортовой аппаратуры на 30

         облегченных паяных базовых      880       30     30     30    140       650     процентов и повышение прочности при

         несущих конструкций для                                                         внешних воздействиях в 1,5 - 2 раза

         радиоэлектронной

         аппаратуры авиационного и

         космического базирования

         на основе существующих и

         перспективных алюминиевых

         сплавов повышенной

         прочности, обеспечивающих

         отвод тепла по элементам

         конструкции

   

    144. Разработка контейнерных        1080       30     45     45    180       780     повышение уровня системной интеграции и

         базовых несущих                ----       --     --     --    ---       ---     комплексирования средств и систем,

         конструкций с                   720       20     30     30    120       520     повышение конкурентоспособности не менее

         унифицированными                                                                чем в 2 раза, обеспечение

         интерфейсными средствами                                                        функционирования аппаратуры в условиях

         для комплексирования                                                            внешних жестких воздействий

         бортовых и наземных систем

         и комплексов различного

         назначения

   

         Всего по направлению 7         26040      570   870    855   4305      19440

                                        -----      ---   ---    ---   ----      -----

                                        17360      380   580    570   2870      54518

   

                                       Направление 8. Типовые базовые технологические процессы

   

    145. Разработка технологии          3225       60    105    105    555      2400     обеспечение разработки технологий:

         изготовления высокоплотных     ----       --    ---    ---    ---      ----           производства печатных плат 5-го и

         теплонагруженных и             2150       40     70    70     370      1600     выше классов точности, включая платы со

         сильноточных печатных плат                                                      встроенными пассивными элементами;

                                                                                               создания межслойных соединений с

                                                                                         переходными сопротивлениями до 1 мОм для

                                                                                         силовых цепей электропитания;

                                                                                               формирования слоев меди (в том

                                                                                         числе с толщиной до 200 - 400 мкм),

                                                                                         серебра, никеля с высокими показателями

                                                                                         проводимости;

                                                                                               формирования финишных покрытий для

                                                                                         бессвинцовой технологии производства

                                                                                         изделий;

                                                                                               производства многослойных печатных

                                                                                         плат под высокие температуры пайки;

                                                                                               лазерных процессов изготовления

                                                                                         печатных плат;

                                                                                               прямой металлизации сквозных и

                                                                                         глухих отверстий

   

    146. Разработка технологии          2040       45     60     60    360      1515     обеспечение разработки технологий:

         изготовления прецизионных      ----       --     --     --    ---      ----           изготовления коммутационных плат

         коммутационных плат на         1360       30     40     40    240      1010     для жестких условий эксплуатации и

         основе керамики (в том                                                          широкого диапазона частот;

         числе низкотемпературной),                                                            получения коммутационных плат с

         металла, углепластика и                                                         температурным коэффициентом расширения,

         других функциональных                                                           соответствующим тепловым характеристикам

         материалов                                                                      многовыводных корпусов (в том числе

                                                                                         керамических) современных приборов;

                                                                                               обеспечения предельно минимального

                                                                                         газовыделения в замкнутом пространстве

                                                                                         герметичных модулей;

                                                                                               снижения энергоемкости

                                                                                         технологических процессов за счет

                                                                                         применения прогрессивных материалов и

                                                                                         методов обработки, в том числе

                                                                                         низкотемпературной керамики;

                                                                                               интеграции в коммутационную плату

                                                                                         теплостоков и низкоомных проводников,

                                                                                         пассивных элементов;

                                                                                               прогрессивных методов

                                                                                         формообразования элементов коммутационных

                                                                                         плат;

                                                                                               обеспечения совмещенного монтажа

                                                                                         компонентов методами пайки и сварки на

                                                                                         одной плате

   

    147. Разработка технологий          3780       90    120    105    615      2850     обеспечение разработки технологий:

         сборки, монтажа                ----       --    ---    ---    ---      ----           новых методов присоединения,

         электронных модулей,           2520       60     80     70    410      1900     сварки, пайки, в том числе с применением

         многокристальных модулей и                                                      бессвинцовых припоев;

         микросборок на основе                                                                 высокоточного дозирования

         новой компонентной базы,                                                        материалов, применяемых при сборке

         перспективных                                                                   (флюсы, припои и припойные пасты, клеи,

         технологических и                                                               лаки, компаунды и т.п.);

         конструкционных материалов                                                            новых методов сборки и пайки

                                                                                         корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и

                                                                                         других на различные коммутационные платы;

                                                                                               монтажа новой электронной

                                                                                         компонентной базы, в том числе

                                                                                         бескорпусных кристаллов силовых ключей на

                                                                                         токовые шины;

                                                                                               сборки и монтажа низкопрофильных

                                                                                         магнитных компонентов;

                                                                                               настройки и ремонта сложных

                                                                                         модулей, в том числе демонтажа и

                                                                                         повторного монтажа многовыводных

                                                                                         компонентов с восстановлением влагозащиты

   

    148. Разработка технологии          1455       45     60     60    225      1065     обеспечение разработки технологий:

         создания межблочных            ----       --     --     --    ---      ----           изготовления антенно-фидерных

         соединений для коммутации      970        30     40     40    150       710     устройств, в том числе гибких волноводов,

         сигналов в широком                                                              вращающихся сочленений с различными

         диапазоне частот и                                                              видами охлаждения;

         мощностей                                                                             оптоволоконной коммутации,

                                                                                         устойчивой к воздействию жестких условий

                                                                                         эксплуатации для различных условий

                                                                                         применения, в том числе для систем

                                                                                         дистанционного управления и мониторинга;

                                                                                               изготовления устройств коммутации

                                                                                         (разъемов, переключателей и т.п.)

                                                                                         различного назначения, в том числе

                                                                                         многовыводных, герметичных, врубных,

                                                                                         сильноточных и других

   

    149. Разработка методов,            1485       45     75     75    225      1065     повышение процента выхода годных изделий,

         средств и технологии           ----       --     --     --    ---      ----     снижение потерь на 15 - 30 процентов;

         автоматизированного            990        30     50     50    150       710     обеспечение разработки:

         контроля коммутационных                                                               неразрушающих методов контроля

         плат, узлов, электронных                                                        качества монтажных соединений и

         модулей и приборов                                                              многослойных структур за счет

         специального и общего                                                           использования различного излучения и

         применения на этапах                                                            цифровой обработки информации;

         разработки и производства                                                             методов выявления напряженных

                                                                                         состояний элементов конструкции и

                                                                                         потенциальных неисправностей изделий;

                                                                                               унифицированных методов и средств

                                                                                         тестового и функционального контроля

                                                                                         изделий различного назначения

   

    150. Разработка технологии          3645       60    105    105    600      2775     импортозамещение специальных

         производства специальных       ----       --    ---    ---    ---      ----     конструкционных и технологических

         технологических и              2430       40     70     70    400      1850     материалов, обеспечивающих процессы

         конструкционных материалов                                                      бессвинцовой и комбинированной пайки,

         и базовой технологии                                                            изготовления коммутационных плат;

         защиты электронных модулей                                                      разработка влагозащитных

         от воздействия в жестких                                                        электроизоляционных покрытий с

         условиях эксплуатации                                                           минимальным газовыделением со сроком

                                                                                         эксплуатации 25 и более лет;

                                                                                         разработка быстроотверждающихся,

                                                                                         эластичных, с низким газовыделением в

                                                                                         вакууме клеев, компаундов;

                                                                                         разработка материалов и технологии их

                                                                                         применения для формирования теплостоков в

                                                                                         высокоплотной аппаратуре;

                                                                                         разработка высокоэффективных ферритов для

                                                                                         планарных трансформаторов повышенной

                                                                                         мощности;

                                                                                         обеспечение разработки технологий:

                                                                                               локальной защиты чувствительных

                                                                                         компонентов, общей защиты модулей

                                                                                         органическими материалами, в том числе

                                                                                         наноструктурированными;

                                                                                               вакуумно-плотной герметизации узлов

                                                                                         и блоков со свободным внутренним объемом

                                                                                         до 5 - 10 л методами пайки и сварки;

                                                                                               изготовления вакуумно-плотных

                                                                                         корпусов многокристальных модулей и

                                                                                         микросборок под поверхностный монтаж на

                                                                                         платы;

                                                                                               формирования покрытий,

                                                                                         обеспечивающих длительную защиту от

                                                                                         дестабилизирующих факторов внешней среды,

                                                                                         включая ионизирующие излучения;

                                                                                               нанесения локальных покрытий с

                                                                                         заданными свойствами на элементы

                                                                                         конструкции модулей

   

         Итого по направлению 8        15630      345    525    510   2580     11670

                                       -----      ---    ---    ---   ----     -----

                                       10420      230    350    340   1720      7780

   

                          Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

   

    151. Разработка технологий          2640       60     90     90    435      1965     создание технологий отечественного

         создания систем и              ----       --     --     --    ---      ----     программно-аппаратного обеспечения и

         оборудования автоматизации     1760       40     60     60    290      1310     средств разработки для

         проектирования                                                                  автоматизированного проектирования

         радиоэлектронных систем и                                                       радиоэлектронного оборудования с

         комплексов                                                                      использованием различных

                                                                                         технологических процессов;

                                                                                         повышение качества и сокращение сроков

                                                                                         разработки радиоэлектронной продукции;

                                                                                         создание технологий обеспечения

                                                                                         информационной безопасности

                                                                                         функционирования информационно-

                                                                                         управляющих систем;

                                                                                         существенное повышение уровней защиты

                                                                                         информации в информационно-управляющих

                                                                                         системах, создание базовых универсальных

                                                                                         функциональных модулей защиты информации

                                                                                         от несанкционированного доступа, вирусных

                                                                                         атак, средств разведки и считывания

                                                                                         информации, криптозащиты каналов систем;

                                                                                         реализация полного технологического цикла

                                                                                         проектирования, испытаний и производства

                                                                                         унифицированной высокоэффективной,

                                                                                         импортозамещающей, конкурентоспособной

                                                                                         аппаратуры

   

    152. Разработка технологий          3120       90    120    105    525      2280     создание новых способов моделирования:

         моделирования сложных          ----       --    ---    ---    ---      ----           комбинированного способа

         информационно-управляющих      2080       60     80     70    350      1520     моделирования, позволяющего существенным

         систем, в том числе систем                                                      образом повысить быстродействие

         реального времени                                                               вычислений при сохранении точности

                                                                                         расчета выходных показателей

                                                                                         эффективности;

                                                                                               способа операционно-динамического

                                                                                         моделирования;

                                                                                               снижение сроков разработки и

                                                                                         испытаний радиоэлектронной продукции;

                                                                                               повышение достоверности

                                                                                               математического и имитационного

                                                                                               моделирования радиоэлектронных

                                                                                               систем и комплексов, обеспечение

                                                                                               максимальной сходимости результатов

                                                                                               с результатами натурных испытаний и

                                                                                               экспериментов

   

    153. Разработка технологий          2430       45     75     75    405      1830     создание метрологически аттестованной

         полунатурных и стендовых       ----       --     --     --    ---      ----     унифицированной стендовой испытательной

         испытаний сложных              1620       30     50     50    270      1220     базы для проведения научно-

         информационно-управляющих                                                       исследовательских и опытно-

         систем                                                                          конструкторских работ;

                                                                                         снижение сроков разработки и стоимости

                                                                                         испытаний радиоэлектронной продукции;

                                                                                         существенное повышение достоверности

                                                                                         полунатурного моделирования

                                                                                         радиоэлектронных систем и комплексов,

                                                                                         обеспечение максимальной сходимости

                                                                                         результатов с результатами натурных

                                                                                         испытаний

   

    154. Разработка технологии          2265       45     75     75    375      1695     разработка базовых технологий, элементов

         конструирования и              ----       --     --     --    ---      ----     и конструкций для создания парка

         производства, а также          1510       30     50     50    250      1130     измерительных систем и приборов,

         аппаратно-программного                                                          необходимых для разработки и испытаний

         обеспечения                                                                     радиотехнических информационно-

         метрологических систем                                                          управляющих систем, систем связи и

         различного назначения для                                                       телекоммуникаций

         создания нового поколения

         отечественного парка

         измерительной аппаратуры

   

         Итого по направлению 9        10455      240    360    345   1740      7770

                                       -----      ---    ---    ---   ----      ----

                                        6970      160    240    230   1160      5180

   

                                                Направление 10. Обеспечивающие работы

   

    155. Разработка организационных      93        6      10      7     10        60     разработка комплекта методической и

         принципов и научно-             --        -      --      -     --        --     научно-технической документации для

         технической базы                93        6      10      7     10        60     обеспечения функционирования систем

         обеспечения проектирования                                                      проектирования и производства электронной

         и производства электронной                                                      компонентной базы в соответствии с

         компонентной базы в                                                             требованиями Всемирной торговой

         соответствии с                                                                  организации

         требованиями Всемирной

         торговой организации

   

    156. Создание и обеспечение         128        13     20     15     19        60     разработка новых и совершенствование

         функционирования системы       ---        --     --     --     --        --     существующих методов испытаний

         испытаний электронной          128        13     20     15     19        60     электронной компонентной базы, разработка

         компонентной базы,                                                              методов отбраковочных испытаний

         обеспечивающей поставку                                                         перспективной электронной компонентной

         изделий с гарантированной                                                       базы, обеспечение поставки изделий с

         надежностью для                                                                 гарантированной надежностью для

         комплектации систем                                                             комплектации систем специального

         специального и двойного                                                         назначения (атомная энергетика,

         назначения                                                                      космические программы, транспорт, системы

                                                                                         двойного назначения)

   

    157. Разработка и                    99         7     12     9      11        60     разработка и систематизация методов

         совершенствование методов,      --         -     --     -      --        --     расчетно-экспериментальной оценки

         обеспечивающих качество и       99         7     12     9      11        60     показателей надежности электронной

         надежность                                                                      компонентной базы, разрешенной для

         сложнофункциональной                                                            применения в аппаратуре, функционирующей

         электронной компонентной                                                        в специальных условиях и с длительными

         базы на этапах опытно-                                                          сроками активного существования

         конструкторских работ,

         освоения и производства

   

    158. Создание и внедрение            94         7     10     7      10        60     разработка системы технологий обеспечения

         основополагающих                --         -     --     -      --        --     жизненного цикла изделия при создании

         документов по обеспечению       94         7     10     7      10        60     широкой номенклатуры электронной

         жизненного цикла изделия                                                        компонентной базы

         на этапах проектирования,

         производства, применения и

         утилизации электронной

         компонентной базы

   

    159. Научное сопровождение          127         13    20    15      19        60     оптимизация состава выполняемых

         Программы, в том числе         ---         --    --    --      --        --     комплексов научно-исследовательских и

         определение                    127         13    20    15      19        60     опытно-конструкторских работ по развитию

         технологического и                                                              электронной компонентной базы в рамках

         технического уровней                                                            Программы и определение перспективных

         развития отечественной и                                                        направлений создания новых классов

         импортной электронной                                                           электронной компонентной базы с

         компонентной базы на                                                            установлением системы технико-

         основе их рубежных                                                              экономических и рубежных технологических

         технико-экономических                                                           показателей, разработка "маршрутных карт"

         показателей, разработка                                                         развития по направлениям электронной

         "маршрутных карт" развития                                                      компонентной базы

         групп электронной

         компонентной базы

   

    160. Создание интегрированной        98         7     12     9      10        60     проведение технико-экономической

         информационно-                  --         -     --    --      --        --     оптимизации выполнения комплексных

         аналитической                   98         7     12     9      10        60     годовых мероприятий подпрограммы,

         автоматизированной системы                                                      создание системы действенного финансового

         по развитию электронной                                                         и технического контроля выполнения

         компонентной базы,                                                              Программы

         охватывающей деятельность

         заказчика-координатора,

         заказчика и организаций,

         участвующих в выполнении

         комплекса программных

         мероприятий, с целью

         оптимизации состава

         участников, финансовых

         средств, перечисляемой

         государству прибыли и

         достижения заданных

         технико-экономических

         показателей

         разрабатываемой

         электронной компонентной

         базы

   

    161. Определение перспектив          93         7     10     8      8         60     формирование системно-ориентированных

         развития российской             --         -     --     -      -         --     материалов по экономике, технологиям

         электронной компонентной        93         7     10     8      8         60     проектирования и производству электронной

         базы на основе анализа                                                          компонентной базы, обобщение и анализ

         динамики сегментов                                                              мирового опыта для выработки технически и

         мирового и отечественного                                                       экономически обоснованных решений

         рынков радиоэлектронной                                                         развития электронной компонентной базы

         продукции и действующей

         производственно-

         технологической базы

   

    162. Системный анализ                68         8     11     8      7         35     создание отраслевой системы учета и

         результатов выполнения          --         -     --     -      -         --     планирования развития разработки,

         комплекса мероприятий           68         8     11     8      7         35     производства и применения электронной

         Программы на основе                                                             компонентной базы

         создания отраслевой

         системы планирования и

         учета развития разработки,

         производства и применения

         электронной компонентной

         базы по основным технико-

         экономическим показателям

   

         Всего по направлению 10        800         68   105    78      94       455

                                        ---         --   ---    --      --       ---

                                        800         68   105    78      94       455

   

         Итого по разделу I            99000       5970  7200  7650   15000     63180

                                       -----       ----  ----  ----   -----     -----

                                       66000       3980  4800  5100   10000     42120

   

                                                       II. Капитальные вложения

   

                                         МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНПРОМТОРГ)

                                               (в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

   

                       1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

   

    163. Реконструкция и                1393       630   383    380                      создание производственно-технологического

         техническое перевооружение     -----      ---  -----   ---                      комплекса по выпуску твердотельных

         производства                   696,5      315  191,5   190                      сверхвысокочастотных субмодулей мощностью

         сверхвысокочастотной                                                            100 тыс. штук в год

         техники федерального

         государственного

         унитарного предприятия

         "Научно-производственное

         предприятие "Исток", г.

         Фрязино

   

    164. Реконструкция и                1161       220   341    180    420               создание производственной технологической

         техническое перевооружение     -----      ---  -----   ---    ---               линии по выпуску сверхвысокочастотных

         федерального                   580,5      110  170,5   90     210               приборов и модулей на широкозонных

         государственного                                                                полупроводниках

         унитарного предприятия

         "Научно-производственное

         предприятие "Пульсар", г.

         Москва

   

    165. Реконструкция и                 280                    100    180               расширение мощностей по производству

         техническое перевооружение    -------                  ---    ---               активных элементов и сверхвысокочастотных

         федерального                  140 <*>                  50      90               монолитных интегральных схем с повышенной

         государственного                                                                радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс.

         унитарного предприятия                                                          штук в год <**>

         "Научно-производственное

         предприятие "Салют", г.

         Нижний Новгород

   

    166. Реконструкция и                 280                    100    180               ввод новых мощностей по производству

         техническое перевооружение    -------                  ---    ---               новейших образцов ламп бегущей волны и

         федерального                  140 <*>                  50      90               других сверхвысокочастотных приборов, в

         государственного                                                                том числе в миллиметровом

         унитарного предприятия                                                          диапазоне <**>

         "Научно-производственное

         предприятие "Алмаз", г.

         Саратов

   

    167. Реконструкция и                 400                    210    190               реконструкция производственной линии по

         техническое перевооружение    -------                  ---    ---               выпуску новых сверхмощных

         федерального                  200 <*>                  105     95               сверхвысокочастотных приборов с

         государственного                                                                повышенным уровнем технических

         унитарного предприятия                                                          параметров, надежности и

         "Научно-производственное                                                        долговечности <**>

         предприятие "Торий", г.

         Москва

   

    168. Техническое перевооружение      120                    60      60               реконструкция производственной линии для

         федерального                  ------                   --      --               выпуска новых изделий радиационно стойкой

         государственного              60 <*>                   30      30               электронной компонентной базы,

         унитарного предприятия                                                          необходимой для организаций Росатома

         "Новосибирский завод                                                            и Роскосмоса <**>

         полупроводниковых приборов

         с ОКБ", г. Новосибирск

   

    169. Техническое перевооружение      180                    100     80               создание производственных мощностей по

         федерального                  ------                   ---     --               выпуску радиационно стойкой электронной

         государственного              90 <*>                    50     40               компонентной базы в количестве 80 - 100

         унитарного предприятия                                                          тыс. штук в год для комплектования

         "Научно-производственное                                                        важнейших специальных систем <**>

         предприятие "Восток",

         г. Новосибирск

   

    170. Техническое перевооружение     1520                                    1520     техническое перевооружение завода для

         открытого акционерного        -------                                  ----     выпуска сверхбольших интегральных схем с

         общества "НИИ молекулярной    760 <*>                                   760     топологическими нормами 0,18 мкм <**>

         электроники и завод

         "Микрон", г. Москва

   

    171. Техническое перевооружение      240             120    120                      организация участка прецизионной

         федерального                  -------           ---    ---                      оптической и механической обработки

         государственного              120 <*>            60     60                      деталей для лазерных излучателей,

         унитарного предприятия                                                          твердотельных лазеров и бескарданных

         "Научно-исследовательский                                                       лазерных гироскопов нового поколения <**>

         институт "Полюс" им.

         М.Ф. Стельмаха", г. Москва

   

    172. Техническое перевооружение      420                                     420     создание новых производственных мощностей

         открытого акционерного        -------                                   ---     для выпуска микроэлектронных датчиков

         общества "Светлана",          210 <*>                                   210     физических величин и электронных датчиков

         г. Санкт-Петербург                                                              для экспресс-контроля параметров крови и

                                                                                         жизнедеятельности человека <**>

   

    173. Реконструкция и                 300             300                             Обеспечение потребности в базовых несущих

         техническое                   -------           ---                             конструкциях, в том числе

         перевооружение                150 <*>           150                             импортозамещающих, предприятий

         централизованного                                                               приборостроения, машиностроения,

         производства базовых                                                            судостроения и других отраслей

         несущих конструкций на                                                          промышленности <**>

         федеральном

         государственном

         унитарном предприятии

         "Производственное

         объединение "Квант", г.

         Великий Новгород

   

    174. Техническое перевооружение      120             120                             техническое перевооружение действующего

         федерального                  ------            ---                             производства электронной компонентной

         государственного              60 <*>             60                             базы и микросистемотехники для создания

         унитарного предприятия                                                          новых рядов конкурентоспособных изделий

         "Научно-исследовательский                                                       электронной техники <**>

         институт электронно-

         механических приборов", г.

         Пенза

   

    175. Техническое перевооружение      60        60                                    техническое перевооружение действующих

         федерального                  ------      --                                    производственных мощностей по выпуску

         государственного              30 <*>      30                                    сверхбольших интегральных схем и мощных

         унитарного предприятия                                                          сверхвысокочастотных транзисторов с

         "Научно-исследовательский                                                       объемом выпуска сверхбольших интегральных

         институт электронной                                                            схем 50 тыс. штук в год, мощных

         техники", г. Воронеж                                                            сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс.

                                                                                         штук в год <**>

   

    176. Техническое перевооружение      100                    50      50               техническое перевооружение производства

         федерального                  ------                   --      --               новых электронных материалов, используемых

         государственного              50 <*>                   25      25               в микросистемотехнике,

         унитарного предприятия                                                          микроэлектронике и квантовой электронике

         "Научно-исследовательский                                                       <**>

         институт электронных

         материалов",

         г. Владикавказ

   

    177. Техническое перевооружение      200                    60     140               создание новых производственных мощностей

         федерального                  -------                  --     ---               по выпуску оптоволоконных соединителей

         государственного              100 <*>                  30      70               изделий микромеханики <**>

         унитарного предприятия

         "Производственное

         объединение "Октябрь",

         г. Каменск-Уральский,

         Свердловская область

   

    178. Техническое перевооружение      200             100    100                      создание спецтехнологической линии,

         открытого акционерного        -------           ---    ---                      включающей чистые производственные

         общества "Авангард", г.       100 <*>            50     50                      помещения и технологическое оборудование

         Санкт-Петербург                                                                 для выпуска современных

                                                                                         микроэлектромеханических и

                                                                                         микроакустоэлектромеханических систем

                                                                                         мирового класса <**>

   

    179. Техническое перевооружение      160                                     160     организация серийного производства

         федерального                  ------                                  ------    параметрических рядов мембранных датчиков

         государственного              80 <*>                                  80 <*>    (10 млн. штук в год ) и чувствительных

         унитарного предприятия                                                          элементов для сканирующей зондовой

         "Научно-исследовательский                                                       микроскопии (0,3 млн. штук в год) <**>

         институт физических

         проблем имени Ф.В. Лукина",

         г. Москва

   

    180. Реконструкция и                 840                    120     60       660     расширение производства перспективных

         техническое перевооружение    -------                  ---     --       ---     тонкостенных антенно-фидерных устройств и

         производства перспективных    420 <*>                   60     30       330     волноводных трактов сверхвысокочастотного

         тонкостенных антенно-                                                           диапазона, увеличение выпуска в 1,5 раза

         фидерных устройств и                                                            <**>

         волноводных трактов

         сверхвысокочастотного

         диапазона в открытом

         акционерном обществе

         "Рыбинский завод

         приборостроения",

         г. Рыбинск, Ярославская

         область

   

    181. Техническое перевооружение     1000                                    1000     увеличение объемов производства модулей

         и реконструкция               -------                                  ----     для обработки и передачи сигналов

         технологической и             500 <*>                                   500     радиолокационных, навигационных и

         лабораторной базы                                                               посадочных систем до 250 штук в год, рост

         производства и контроля                                                         объемов производства на 500 - 750 млн.

         перспективных                                                                   рублей <**>

         радиоэлектронных модулей в

         открытом акционерном

         обществе "Челябинский

         радиозавод "Полет", г.

         Челябинск

   

    182. Техническое перевооружение     1800                                    1800     повышение эффективности, надежности и

         и реконструкция               -------                                  ----     конкурентоспособности отечественных

         производства и                900 <*>                                   900     радиоэлектронных модулей, изделий,

         лабораторной базы для                                                           комплексов и систем открытого

         разработки и производства                                                       акционерного общества "Концерн

         перспективных                                                                   радиостроения "Вега" <**>

         радиоэлектронных модулей,

         изделий в открытом

         акционерном обществе

         "Концерн радиостроения

         "Вега", г. Москва

   

    183. Техническое перевооружение     1200                                    1200     повышение надежности и качества конечной

         и реконструкция               -------                                  ----     продукции открытого акционерного общества

         производственно-              600 <*>                                   600     "Концерн радиостроения "Вега", создание

         технологической,                                                                конкурентоспособных изделий мирового

         контрольно-испытательной                                                        уровня, увеличение годового объема

         базы нового поколения                                                           производства до 6 систем в год <**>

         антенных систем

         дистанционного

         зондирования Земли в

         открытом акционерном

         обществе "Научно-

         исследовательский институт

         "Кулон",

         г. Москва

   

    184. Техническое перевооружение      350             100    110    140               создание комплексного испытательного

         для создания производства     -------           ---    ---    ---               стенда для исследования образцов техники

         нового поколения              175 <*>            50     55     70               <**>

         радиоэлектронных модулей в

         открытом акционерном

         обществе "Научно-

         производственное

         предприятие "Рубин", г.

         Пенза

   

    185. Техническое перевооружение      400                    60      60       280     производство систем радиочастотной

         и реконструкция               -------                  --      --       ---     идентификации до 10 тыс. штук в год <**>

         производственно-              200 <*>                  30      30       140

         технологической,

         контрольно-испытательной

         базы в открытом

         акционерном обществе

         "Инженерно-маркетинговый

         центр Концерна

         радиостроения "Вега",

         г. Москва

   

    186. Техническое перевооружение     1000                                    1000     обеспечение производства

         и реконструкция мощностей     -------                                  ----     микропроцессорных систем управления и

         для производства              500 <*>                                   500     контроля гибридных двигательных установок

         микропроцессорных систем                                                        различного класса в объеме до 1000 штук

         управления и контроля                                                           в месяц <**>

         гибридных двигательных

         установок различного

         класса в открытом

         акционерном обществе

         "Конструкторское бюро

         "Луч", г. Рыбинск,

         Ярославская область

   

    187. Реконструкция и                1720                                    1720     изготовление прецизионных лазерных и

         техническое перевооружение    -------                                  ----     пьезокерамических гироскопов для

         в целях создания              860 <*>                                   860     перспективных летательных аппаратов <**>

         специализированного

         производства прецизионных

         лазерных и пьезо-

         керамических гироскопов в

         открытом акционерном

         обществе "Ижевский

         электромеханический завод

         "Купол", г. Ижевск,

         Удмуртская Республика

   

    188. Техническое перевооружение     1220                                    1220     изготовление унифицированных твердотельных

         и реконструкция               -------                                  ----     низкочастотных типовых

         специализированного           610 <*>                                   610     элементов замены для информационных

         производства                                                                    средств и модулей активных фазированных

         унифицированных                                                                 антенных решеток для локационных систем

         низкочастотных типовых                                                          различного применения, перспективных

         элементов замены и модулей                                                      средств связи и управления

         активных фазированных                                                           воздушным движением <**>

         антенных решеток в

         открытом акционерном

         обществе "Марийский

         машиностроительный завод",

         г. Йошкар-Ола

   

    189. Реконструкция и                 720                                     720     организация производства и внедрение

         техническое перевооружение    -------                                   ---     современной технологии с соответствующим

         производства                  360 <*>                                   360     переоснащением высокопроизводительным

         унифицированных                                                                 оборудованием, увеличение объема

         электронных модулей                                                             ежегодного производства продукции с 2370

         межвидового применения на                                                       млн. рублей в 2007 году до 5028 млн.

         федеральном                                                                     рублей в 2015 году <**>

         государственном унитарном

         предприятии "Нижегородский

         научно-исследовательский

         институт радиотехники", г.

         Нижний Новгород

   

    190. Техническое перевооружение      970             110    60      70       730     увеличение объемов производства,

         и реконструкция               -------           ---    --      --       ---     повышение качества и надежности

         специализированного           485 <*>            55    30      35       365     твердотельных передающих и приемных

         производства твердотельных                                                      систем, приемо-передающих модулей

         передающих и приемных                                                           активных фазированных антенных решеток

         систем, приемо-передающих                                                       L-диапазона для перспективных средств

         модулей активных                                                                связи и управления воздушным движением

         фазированных антенных                                                           <**>

         решеток в открытом

         акционерном обществе

         "Научно-производственное

         объединение "Правдинский

         радиозавод", г. Балахна,

         Нижегородская область

   

    191. Техническое перевооружение     1230                                    1230     увеличение объемов производства,

         и реконструкция               -------                                  ----     повышение качества и надежности

         специализированного           615 <*>                                   615     твердотельных передающих и приемных

         производства твердотельных                                                      систем, приемо-передающих модулей

         передающих и приемных                                                           активных фазированных антенных решеток

         систем, приемо-передающих                                                       C- и S-диапазонов волн

         модулей активных                                                                для перспективных средств связи и

         фазированных антенных                                                           управления воздушным движением <**>

         решеток в открытом

         акционерном обществе

         "Научно-производственное

         объединение "Лианозовский

         электромеханический

         завод", г. Москва

   

    192. Техническое перевооружение      450             100    160    190               изготовление приемо-передающих модулей

         и реконструкция               -------           ---    ---    ---               активных фазированных антенных решеток C-

         специализированного           225 <*>            50     80     95               и сверхвысокочастотного диапазона волн

         производства приемо-                                                            для информационных средств и

         передающих модулей                                                              информационно-управляющих систем,

         активных фазированных                                                           увеличение объема производства в 1,8 раза

         антенных решеток в                                                              <**>

         открытом акционерном

         обществе "Новосибирский

         завод им. Коминтерна", г.

         Новосибирск

   

    193. Техническое перевооружение      800                                     800     изготовление унифицированных

         и реконструкция               -------                                   ---     твердотельных высокочастотных типовых

         специализированного           400 <*>                                   400     элементов замены для локализации систем

         производства                                                                    различного применения, перспективных

         унифицированных                                                                 средств связи и управления воздушным

         высокочастотных типовых                                                         движением, увеличение объема

         элементов замены в                                                              производства типовых элементов

         открытом акционерном                                                            замены в 1,5 раза <**>

         обществе "Рязанский завод

         "Красное Знамя", г. Рязань

   

    194. Техническое перевооружение      960                                     960     увеличение выпуска унифицированных

         и реконструкция               -------                                   ---     автоматизированных рабочих мест

         специализированного           480 <*>                                   480     операторов информационных и

         производства                                                                    специального назначения управляющих

         унифицированных рабочих                                                         систем в 1,7 раза <**>

         мест операторов

         информационных систем в

         открытом акционерном

         обществе "Уральское

         производственное

         предприятие "Вектор", г.

         Екатеринбург

   

    195. Реконструкция и                 960                                     960     внедрение современных технологий с

         техническое перевооружение    -------                                   ---     соответствующим переоснащением

         для создания регионального    480 <*>                                   480     высокопроизводительным оборудованием для

         контрактного производства                                                       организации контрактного производства

         унифицированных                                                                 <**>

         электронных модулей в

         открытом акционерном

         обществе "Концерн

         "Созвездие", г. Воронеж

   

    196. Создание лабораторной,         2060                                    2060     создание конкурентоспособной продукции

         технологической и            --------                                  ----     мирового уровня, освоение технологий

         производственной базы для    1030 <*>                                  1030     двойного назначения, увеличение объема

         обеспечения разработки,                                                         выпуска изделий до 2 - 2,5 млрд. рублей в

         производства и испытаний                                                        год <**>

         нового поколения

         телекоммуникационных

         систем и комплексов в

         открытом акционерном

         обществе "Концерн

         "Созвездие", г. Воронеж

   

    197. Реконструкция и                 160              40    40      80               увеличение объема выпуска продукции в 1,4

         техническое перевооружение    ------             --    --      --               - 1,5 раза, повышение качества и

         производства перспективной    80 <*>             20    20      40               конкурентоспособности продукции <**>

         наземной аппаратуры связи

         в открытом акционерном

         обществе "Рязанский

         радиозавод", г. Рязань

   

    198. Реконструкция и                 490                    50      60       380     увеличение объема выпуска продукции в 1,3

         техническое перевооружение    -------                  --      --       ---     - 1,5 раза, повышение качества и

         производства перспективных    245 <*>                  25      30       190     конкурентоспособности продукции <**>

         коротковолновых

         радиостанций в открытом

         акционерном обществе

         "Тамбовский завод

         "Октябрь", г. Тамбов

   

    199. Реконструкция и                 350                                     350     модернизация производства и внедрение

         техническое перевооружение    -------                                   ---     современной технологии с соответствующим

         производства наземной         175 <*>                                   175     переоснащением высокопроизводительным

         аппаратуры подвижной связи                                                      оборудованием <**>

         в открытом акционерном

         обществе "Тамбовский завод

         "Революционный труд", г.

         Тамбов

   

    200. Техническое перевооружение      600              90    50      60       400     ускорение и повышение качества разработки

         и реконструкция               -------            --    --      --       ---     мультисервисных сетей ведомственной и

         производственно-              300 <*>            45    25      30       200     профессиональной связи, ожидаемый

         технологической и                                                               экономический эффект 3 млрд. рублей <**>

         лабораторно-испытательной

         базы в открытом

         акционерном обществе

         "Воронежский научно-

         исследовательский институт

         "Вега", г. Воронеж

   

    201. Техническое перевооружение      220              60    80      80               ускорение и повышение качества разработки

         и реконструкция               -------            --    --      --               перспективных программно реализуемых

         лабораторной и                110 <*>            30    40      40               сетей радиосвязи и серии унифицированных

         производственно-                                                                электронных модулей для построения

         технологической базы                                                            указанных сетей <**>

         нового поколения узлов

         связи в открытом

         акционерном обществе

         "Тамбовский научно-

         исследовательский институт

         радиотехники "Эфир", г.

         Тамбов

   

    202. Техническое перевооружение     1520                                    1520     серийное производство монокристаллических

         производства открытого        -------                                  ----     и мультикристаллических пластин кремния;

         акционерного общества         760 <*>                                   760     производство детекторов на основе новых

         "Богородицкий завод                                                             высокотемпературных кристаллов

         технохимических изделий",                                                       сцинтилляторов <**>

         г. Богородицк, Тульская

         область

   

    203. Создание серийного             1120                                    1120     серийное производство инфракрасных

         производства инфракрасных     -------                                  ----     оптоэлектронных компонентов и комплекса

         оптоэлектронных               560 <*>                                   560     электронных средств для обеспечения

         компонентов в открытом                                                          безопасности промышленных объектов <**>

         акционерном обществе "РЭ

         Комплексные системы",

         г. Санкт-Петербург

   

    204. Техническое перевооружение      320       100   100    120                      увеличение объемов производства в 1,5

         с целью создания              -------     ---   ---    ---                      раза <**>

         производства новых            160 <*>      50    50     60

         электровакуумных приборов

         на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         производственное

         предприятие "Контакт",

         г. Саратов

   

    205. Техническое перевооружение      300       100   100    100                      обеспечение увеличения объема выпуска

         и реконструкция               -------     ---   ---    ---                      продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей в

         производства по выпуску       150 <*>      50    50     50                      год, увеличения ресурса изделий,

         электровакуумных приборов                                                       создания новых приборов <**>

         сверхвысокочастотного

         диапазона и специального

         технологического

         оборудования в открытом

         акционерном обществе

         "Владыкинский механический

         завод", г. Москва

   

    206. Техническое перевооружение      800                                     800     создание сборочного производства с

         для создания сборочного       -------                                   ---     использованием микроминиатюрной

         производства электронных      400 <*>                                   400     элементной базы, в том числе

         модулей с использованием                                                        микропроцессоров и матриц BGA <**>

         новейшей электронной базы

         на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии

         "Электромеханический завод

         "Звезда", г. Сергиев

         Посад, Московская область

   

    207. Реконструкция и                 420                                     420     увеличение объема выпуска продукции до

         техническое перевооружение    -------                                   ---     520 млн. рублей в год <**>

         с целью создания              210 <*>                                   210

         контрактного производства

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Калужский

         завод телеграфной

         аппаратуры", г. Калуга

   

    208. Техническое перевооружение      302                                     302     внедрение современных технологий,

         и реконструкция               -------                                   ---     создание комплекса для проведения

         производства и приборно-      151 <*>                                   151     контроля технологических параметров

         измерительной базы на                                                           и испытаний. Увеличение объема выпуска

         федеральном                                                                     продукции в 1,5 раза <**>

         государственном унитарном

         предприятии "Таганрогский

         научно-исследовательский

         институт связи", г.

         Таганрог

   

    209. Техническое                     480                                     480     производство наногетероструктурных

         перевооружение и              -------                                   ---     сверхвысокочастотных транзисторов и

         реконструкция пилотной        240 <*>                                   240     монолитных интегральных схем для систем

         технологической линии по                                                        связи, измерительной техники,

         изготовлению                                                                    радиолокации и сверхвысокочастотной

         наногетероструктурных                                                           радиометрии <**>

         сверхвысокочастотных

         транзисторов и монолитных

         интегральных схем для

         систем связи,

         измерительной техники,

         радиолокации и

         сверхвысокочастотной

         радиометрии на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Институт

         сверхвысокочастотной

         полупроводниковой

         электроники Российской

         Академии наук",

         г. Москва

   

    210. Техническое перевооружение      300                                     300     производство полного функционального ряда

         и реконструкция               -------                                   ---     массовых отечественных микроминиатюрных

         производства испытательной    150 <*>                                   150     пьезоэлектрических генераторов, фильтров,

         базы нового поколения                                                           резонаторов. Увеличение объема выпуска

         пьезоэлектрических                                                              продукции до 230 - 250 млн. рублей в год

         генераторов, фильтров,                                                          <**>

         резонаторов в открытом

         акционерном обществе

         "Завод "Метеор", г.

         Волжский, Волгоградская

         область

   

    211. Реконструкция и                 400                                     400     расширение производственных площадей

         техническое перевооружение    -------                                   ---     выпуска приемо-передающих модулей на 720

         научно-производственной и     200 <*>                                   200     кв. м <**>

         лабораторной базы на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Ордена

         Трудового Красного Знамени

         федеральный научно-

         производственный центр по

         радиоэлектронным системам

         и информационным

         технологиям имени В.И. Шимко",

         г. Казань

   

    212. Техническое перевооружение      400                                     400     организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------                                   ---     продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     200 <*>                                   200     контрактной продукции в 1,8 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Нижегородский

         завод имени М.В. Фрунзе",

         г. Нижний Новгород

   

    213. Техническое перевооружение      300      120    180                             организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------    ---    ---                             продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     150 <*>     60     90                             контрактной продукции в 2,5 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Омское

         производственное

         объединение "Иртыш",

         г. Омск

   

    214. Техническое перевооружение      300                                     300     организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------                                   ---     продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     150 <*>                                   150     контрактной продукции в 1,5 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей в

         открытом акционерном

         обществе "Авангард",

         г. Санкт-Петербург

   

    215. Техническое перевооружение     1000                                     1000    обеспечение изготовления печатных плат с

         с целью создания              -------                                   ----    новыми финишными покрытиями до 20 000

         контрактного производства     500 <*>                                    500    кв. м в год;

         по изготовлению печатных                                                        обеспечение изготовления унифицированных

         плат выше 5-го класса                                                           электронных модулей на печатных платах в

         точности и унифицированных                                                      количестве до 400 тыс. штук в год <**>

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Пензенское

         производственное

         объединение

         "Электроприбор", г. Пенза

   

    216. Техническое перевооружение      600                                     600     внедрение современной технологии с

         и реконструкция               -------                                   ---     соответствующим переоснащением

         производства электронных      300 <*>                                   300     высокопроизводительным оборудованием.

         сверхвысокочастотных                                                            Увеличение объема выпуска продукции в 1,5

         модулей на федеральном                                                          раза <**>

         государственном унитарном

         предприятии "Нижегородский

         научно-исследовательский

         приборостроительный

         институт "Кварц",

         г. Нижний Новгород

   

    217. Техническое перевооружение      510                                     510     обеспечение разработки, производства и

         и реконструкция               -------                                   ---     аттестации средств комплексов и систем

         производства систем           255 <*>                                   255     защиты информации. Увеличение объема

         комплексов и средств,                                                           выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд.

         защиты информации на                                                            рублей <**>

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         исследовательский институт

         автоматики", г. Москва

   

    218. Техническое перевооружение      300                                     300     обеспечение потребности организаций в

         и реконструкция               -------                                   ---     базовых несущих конструкциях для всех

         регионального производства    150 <*>                                   150     видов радиоэлектронной аппаратуры.

         базовых несущих                                                                 Увеличение объема выпуска продукции в 2

         конструкций (БНК) на                                                            раза <**>

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Всероссийский

         научно-исследовательский

         институт "Градиент",

         г. Ростов-на-Дону

   

    219. Реконструкция и                 360                                     360     обеспечение разработки, производства и

         техническое перевооружение    -------                                   ---     аттестации комплексов средств

         производственно-              180 <*>                                   180     автоматизации информационно-управляющих

         технологической и                                                               систем. Увеличение объема выпуска

         лабораторно-испытательной                                                       продукции до 0,52 млрд. рублей <**>

         базы для создания

         комплексов средств

         автоматизации

         информационно-управляющих

         систем на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Ордена

         Трудового Красного Знамени

         научно-исследовательский

         институт автоматической

         аппаратуры им. академика

         В.С. Семенихина", г. Москва

   

    220. Техническое перевооружение      300                                     300     организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------                                   ---     продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     150 <*>                                   150     контрактной продукции в 1,8 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии

         "Калугаприбор", г. Калуга

   

    221. Техническое перевооружение      300                                     300     организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------                                   ---     продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     150 <*>                                   150     контрактной продукции в 1,7 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Ростовский-

         на-Дону научно-

         исследовательский институт

         радиосвязи",

         г. Ростов-на-Дону

   

    222. Техническое перевооружение      300                                     300     организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------                                   ---     продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     150 <*>                                   150     контрактной продукции в 2,5 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Ордена

         Трудового Красного Знамени

         научно-исследовательский

         институт автоматической

         аппаратуры им. академика

         В.С. Семенихина",

         г. Москва

   

    223. Техническое перевооружение      300                                     300     организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------                                   ---     продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     150 <*>                                   150     контрактной продукции в 2,5 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Курский завод

         "Маяк", г. Курск

   

    224. Техническое перевооружение      400                                     400     организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------                                   ---     продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     200 <*>                                   200     контрактной продукции в 1,8 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         исследовательский институт

         "Полюс" имени

         М.Ф. Стельмаха", г. Москва

   

    225. Техническое перевооружение      300                                     300     организация контрактной сборки массовой

         с целью создания              -------                                   ---     продукции, увеличение объема производства

         контрактного производства     150 <*>                                   150     контрактной продукции в 1,7 раза <**>

         унифицированных

         электронных модулей на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         исследовательский институт

         телевидения",

         г. Санкт-Петербург

   

    226. Техническое перевооружение      240                                     240     увеличение объема производства в 1,5 раза

         с целью создания мощностей    -------                                   ---     <**>

         по выпуску источников         120 <*>                                   120

         вторичного электропитания

         в открытом акционерном

         обществе "Специальное

         конструкторско-

         технологическое бюро по

         релейной технике",

         г. Великий Новгород

   

    227. Реконструкция и                 400                                     400     увеличение объема производства

         техническое перевооружение    -------                                   ---     радиоэлектронных изделий на 170 млн.

         производства и                200 <*>                                   200     рублей <**>

         испытательной базы

         широкополосных

         сверхвысокочастотных

         устройств на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Брянский

         электромеханический

         завод", г. Брянск

   

    228. Техническое перевооружение      100                                     100     увеличение объема выпуска продукции на

         и реконструкция               ------                                    ---     100 млн. рублей, освоение серийного

         производственно-              50 <*>                                     50     производства изделий "Орион-3М", "Орион-

         испытательных мощностей на                                                      3СМ", "Анализ", "Страж-ПМ" и других <**>

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии

         "Государственное

         конструкторское бюро

         аппаратно-программных

         средств "Связь",

         г. Ростов-на-Дону

   

    229. Техническое перевооружение      800                                     800     увеличение объема выпуска продукции до

         и реконструкция научно-       -------                                   ---     1,5 - 2 млрд. рублей в год, снижение

         технического и                400 <*>                                   400     себестоимости продукции <**>

         производственного

         комплексов по выпуску

         электровакуумных приборов

         сверхвысокочастотного

         диапазона на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         производственное

         предприятие "Торий", г.

         Москва

   

    230. Техническое перевооружение      300       200   100                             увеличение объема выпуска продукции

         и реконструкция               -------     ---   ---                             в 2 раза <**>

         регионального производства    150 <*>     100    50

         базовых несущих

         конструкций на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         производственное

         предприятие "Полет",

         г. Нижний Новгород

   

    231. Техническое перевооружение      480                                     480     организация производства базисных

         и реконструкция               -------                                   ---     материалов и элементов для разработки

         производства,                 240 <*>                                   240     приборов и устройств контроля сверхмалых

         метрологической и                                                               количеств химических и биологических

         стендовой базы для                                                              веществ с использованием

         наноструктурированных                                                           наноструктурированных материалов,

         материалов, слоистых                                                            слоистых структур и композитов на их

         структур и композитов на                                                        основе <**>

         их основе в открытом

         акционерном обществе

         "Центральный научно-

         исследовательский

         технологический институт

         "Техномаш", г. Москва

   

    232. Реконструкция и                 400                                     400     увеличение объема производства изделий до

         техническое перевооружение    -------                                   ---     1,9 млн. штук и 650 млн. рублей <**>

         испытательного центра для     200 <*>                                   200

         обеспечения комплекса

         работ по корпусированию и

         испытаниям

         сложнофункциональных

         интегральных схем в

         открытом акционерном

         обществе "Российский

         научно-исследовательский

         институт

         "Электронстандарт",

         г. Санкт-Петербург

   

    233. Реконструкция и                 700                                     700     увеличение объема выпуска продукции на 2

         техническое перевооружение    -------                                   ---     млрд. рублей <**>

         технологической линии по      350 <*>                                   350

         производству прецизионных

         многослойных печатных плат

         на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Омский

         приборостроительный ордена

         Трудового Красного Знамени

         завод им. Н.Г. Козицкого",

         г. Омск

   

    234. Реконструкция и                 806       220   176    190    220               создание конкурентоспособных изделий

         техническое перевооружение    -------     ---   ---    ---    ---               мирового уровня. Разработка технологий

         производственно-              403 <*>     110    88     95    110               двойного назначения. Увеличение объема

         технологической и                                                               производства в 1,5 раза <**>

         лабораторно-испытательной

         базы на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         исследовательский институт

         "Экран", г. Самара

   

    235. Реконструкция и                 720                                     720     создание комплексов конкурентоспособной

         техническое перевооружение    -------                                   ---     аппаратуры специальной радиосвязи и

         производственно-              360 <*>                                   360     управления. Увеличение объема выпуска

         технологической и                                                               продукции в 1,5 раза <**>

         лабораторной базы для

         комплексов специальной

         радиосвязи и управления на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Омский

         научно-исследовательский

         институт приборостроения",

         г. Омск

   

    236. Реконструкция и                 280                                     280     повышение конкурентоспособности, снижение

         техническое перевооружение    -------                                   ---     сроков разработки на 4 - 5 месяцев.

         моделирующего центра в        140 <*>                                   140     Создание поведенческих моделей систем

         открытом акционерном                                                            реального времени, использование систем

         обществе "Научно-                                                               поддержки принятия решений, проведение и

         исследовательский институт                                                      анализ полунатурных испытаний, отработка

         вычислительных комплексов                                                       алгоритмов искусственного интеллекта.

         им. М.А. Карцева", г.                                                           Сокращение сроков испытания в 1,5 - 2

         Москва                                                                          раза. Применение CALS-технологий с целью

                                                                                         сокращения затрат и поддержки жизненного

                                                                                         цикла разрабатываемых систем <**>

   

    237. Техническое перевооружение      560                                     560     увеличение объема выпуска продукции до

         и реконструкция               -------                                   ---     421,5 млн. рублей <**>

         производственно-              280 <*>                                   280

         технологической и

         лабораторно-испытательной

         базы по созданию

         модернизированной системы

         идентификации на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Пензенское

         производственное

         объединение электронной

         вычислительной техники",

         г. Пенза

   

    238. Техническое перевооружение      600                                     600     создание метрологической, испытательной

         и реконструкция               -------                                   ---     базы для разработки и производства

         метрологической,              300 <*>                                   300     контрольно-измерительной аппаратуры

         испытательной базы и                                                            миллиметрового диапазона длин волн.

         производства оптических                                                         Увеличение объема производства квантовых

         изделий на федеральном                                                          рубидиевых стандартов частоты в 3 раза

         государственном унитарном                                                       <**>

         предприятии "Нижегородский

         научно-исследовательский

         приборостроительный

         институт "Кварц", г.

         Нижний Новгород

   

    239. Техническое перевооружение      180                                     180     создание сверхширокополосных

         и реконструкция стендовой     ------                                    ---     измерительных комплексов для измерения

         и испытательной базы          90 <*>                                     90     параметров одиночных антенн и линейных,

         сложных радиоэлектронных                                                        плоских и объемных решеток систем

         систем и комплексов в                                                           навигации, посадки и радиолокации в

         открытом акционерном                                                            ближней и дальней зонах (до 1000 м) и

         обществе "Производственное                                                      модернизация существующей в

         объединение "Азимут",                                                           организации испытательной базы для

         г. Махачкала                                                                    проведения научно-исследовательских и

                                                                                         опытно-конструкторских работ <**>

   

    240. Реконструкция и                 570                            70       500     увеличение объема выпуска продукции до 3

         техническое перевооружение    -------                          --       ---     - 3,5 млрд. рублей в год <**>

         производственно-              285 <*>                          35       250

         технологической и

         лабораторно-испытательной

         базы в открытом

         акционерном обществе

         "Научно-исследовательский

         институт полупроводниковых

         приборов", г. Томск

   

    241. Техническое перевооружение     1160                            60       1100    увеличение объема производства монолитно-

         и реконструкция               -------                          --       ----    интегральных и гибридно-монолитных

         производства                  580 <*>                          30        550    приборов и электронных компонентов (в том

         сверхвысокочастотной                                                            числе импортозамещающих) до 250 тыс. штук

         техники на федеральном                                                          в год, электровакуумных и вакуумно-

         государственном унитарном                                                       твердотельных модулей (в том числе на

         предприятии "Научно-                                                            основе микроминиатюрных ламп бегущей

         производственное                                                                волны) до 1 тыс. штук в год,

         предприятие "Салют",                                                            унифицированных приемо-передающих модулей

         г. Нижний Новгород                                                              (в диапазоне частот 20 - 150 ГГц) до 1,5

                                                                                         тыс. штук в год <**>

   

    242. Реконструкция и                 224                                     224     увеличение объема выпуска продукции до

         техническое перевооружение    -------                                   ---     761,5 млн. рублей в год. Серийный выпуск

         для выпуска теплоотводящих    112 <*>                                   112     электронных компонентов, керамических

         керамических подложек для                                                       подложек, керамических корпусов,

         твердотельных                                                                   обеспечивающих увеличение объемов

         сверхвысокочастотных                                                            производства в различных отраслях

         устройств и IGBT-модулей в                                                      промышленности, сверхвысокочастотной

         открытом акционерном                                                            техники и силовой полупроводниковой

         обществе "Холдинговая                                                           электроники <**>

         компания "Новосибирский

         электровакуумный завод -

         Союз", г. Новосибирск

   

    243. Техническое перевооружение      640                                     640     реконструкция опытного производства с

         и реконструкция опытного      -------                                   ---     учетом реализации новых технологий по

         приборного производства в     320 <*>                                   320     изготовлению интегральных сборок,

         открытом акционерном                                                            датчиков на пьезопленках и других <**>

         обществе "Концерн

         "Океанприбор",

         г. Санкт-Петербург

   

    244. Реконструкция и                 832                           140       692     комплексное дооснащение базовых

         техническое перевооружение    -------                         ---       ---     технологий производства электронных

         организации для               416 <*>                          70       346     средств вычислительной техники с целью

         совершенствования судовой                                                       импортозамещения и повышения

         электротехнической                                                              конкурентоспособности;

         продукции в открытом                                                                  создание экспериментально-

         акционерном обществе                                                            лабораторного комплекса для проведения

         "Научно-производственное                                                        контроля технологических параметров и

         объединение "Марс",                                                             испытаний <**>

         г. Ульяновск

   

    245. Реконструкция и                 240                                     240     техническое перевооружение обеспечит:

         техническое перевооружение    -------                                   ---           внедрение современных технологий

         опытно-экспериментального     120 <*>                                   120     производства модулей функциональной

         производства модулей                                                            микроэлектроники;

         функциональной                                                                        рост объема производства

         микроэлектроники в                                                              функциональных модулей в 2 - 2,5 раза;

         открытом акционерном                                                                  расширение номенклатуры без

         обществе "Концерн "Гранит-                                                      существенных затрат на подготовку

         Электрон", г. Санкт-                                                            производства;

         Петербург                                                                             промышленное освоение технологий

                                                                                         влагозащиты и электроизоляции модулей

                                                                                         <**>

   

    246. Создание производственного     1100                                     1100    создание участков по производству

         комплекса для массового       -------                                   ----    кремниевых датчиков, многослойных плат,

         производства компонентов      550 <*>                                    550    сборке и корпусированию инерциальных

         инерциальных                                                                    микромеханических изделий <**>

         микромеханических датчиков

         двойного назначения на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Центральный

         научно-исследовательский

         институт "Электроприбор",

         г. Санкт-Петербург

   

    247. Реконструкция инженерно-        620                           100       520     внедрение современных базовых технологий

         испытательного корпуса в      -------                         ---       ---     производства электронных модулей цифровой

         открытом акционерном          310 <*>                          50       260     и цифроаналоговой вычислительной техники;

         обществе                                                                        обеспечение разработки и производства

         "Концерн "Гранит-                                                               базовых унифицированных электронных

         Электрон", г. Санкт-                                                            модулей. Увеличение объема поставок до

         Петербург                                                                       10000 штук <**>

   

    248. Техническое перевооружение      460                           160       300     создание новой оптической элементной базы

         производственно-              -------                         ---       ---     перспективных оптико-электронных систем,

         технологического комплекса    230 <*>                          80       150     обеспечивающей предельно возможные

         по созданию оптико-                                                             технические параметры систем, в том числе

         электронной компонентной                                                        комплексированных и многоспектральных

         базы на федеральном                                                             оптических каналов <**>

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         производственное

         объединение

         "Государственный институт

         прикладной оптики", г.

         Казань

   

    249. Реконструкция                   640                                     640     разработка, испытания, опытные поставки и

         производственно-              -------                                   ---     серийное производство новых видов оптико-

         испытательного комплекса      320 <*>                                   320     электронных систем, обеспечивающих

         федерального                                                                    предельно возможные технические параметры

         государственного                                                                изделий <**>

         унитарного предприятия

         "Научно-производственная

         корпорация

         "Государственный

         оптический институт имени

         С.И. Вавилова", г. Санкт-

         Петербург

   

    250. Реконструкция корпуса 2Ж        700                                     700     создание единого аналитического центра по

         для создания лабораторно-     -------                                   ---     исследованиям и сертификации важнейших

         аналитического центра         350 <*>                                   350     материалов и компонентов инфракрасной

         инфракрасной фото- и                                                            фотоэлектроники <**>

         оптоэлектроники на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "НПО "Орион",

         г. Москва

   

    251. Техническое перевооружение     3720                                    3720     создание производственно-технологического

         производственно-             --------                                  ----     комплекса, который обеспечит промышленный

         технологического комплекса   1860 <*>                                  1860     выпуск изделий компонентной базы 2-го и

         по созданию                                                                     3-го поколений и оптико-электронных

         оптоэлектронной                                                                 систем на их основе с параметрами,

         компонентной базы на                                                            превышающими современный и прогнозируемый

         федеральном                                                                     мировой уровень <**>

         государственном унитарном

         предприятии "НПО "Орион",

         г. Москва

   

    252. Техническое перевооружение      600                                     600     создание инфракрасных матричных

         производственно-              -------                                   ---     фотоприемных устройств нового поколения и

         технологической базы в        300 <*>                                   300     организация на их основе производства

         открытом акционерном                                                            тепловизионной аппаратуры широкого

         обществе "Московский завод                                                      применения <**>

         "Сапфир", г. Москва

   

    253. Модернизация стендово-          420                           140       280     обеспечение возможности проведения

         экспериментальной базы на     -------                         ---       ---     испытаний опытных образцов источников

         федеральном                   210 <*>                          70       140     электроэнергии, статических

         государственном унитарном                                                       преобразователей и аппаратуры защиты и

         предприятии "Научно-                                                            коммутации для проекта "полностью

         исследовательский институт                                                      электрический самолет" <**>

         авиационного

         оборудования",

         г. Жуковский, Московская

         область

   

    254. Техническое перевооружение      520                                     520     изготовление конкурентоспособных изделий

         производственной базы,        -------                                   ---     авиационной техники, соответствующих

         освоение инновационных        260 <*>                                   260     современным и перспективным международным

         технологий для                                                                  стандартам <**>

         изготовления

         радиоэлектронных изделий

         авиационной техники с

         использованием новых

         уровней технологий на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         исследовательский

         институт авиационного

         оборудования",

         г. Жуковский, Московская

         область

   

    255. Реконструкция и                 376                           100       276     создание производственных мощностей по

         техническое перевооружение    -------                         ---       ---     производству современной

         экспериментально-             188 <*>                          50       138     микроэлектронной аппаратуры <**>

         технологической базы для

         производства

         микроэлектронных изделий

         на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Казанское

         приборостроительное

         конструкторское бюро", г.

         Казань

   

    256. Реконструкция и                 230                                     230     производство конкурентоспособной

         техническое перевооружение    -------                                   ---     продукции, обладающей современными

         цеха по производству          115 <*>                                   115     показателями по надежности,

         первичных преобразователей                                                      быстродействию и массогабаритным

         и вторичной аппаратуры на                                                       характеристикам <**>

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Казанское

         приборостроительное

         конструкторское бюро", г.

         Казань

   

    257. Реконструкция и                 458                           160       298     серийное производство широкой

         техническое перевооружение    -------                         ---       ---     номенклатуры статических

         производства электронных      229 <*>                          80       149     преобразователей напряжения авиационных

         систем самолетного                                                              перспективных объектов (проект

         энергоснабжения в открытом                                                      "полностью электрический самолет",

         акционерном обществе                                                            истребитель 5-го поколения, программа

         "Агрегатное                                                                     развития гражданской авиационной техники)

         конструкторское бюро                                                            <**>

         "Якорь", г. Москва

   

    258. Создание электронного          1070                                     1070    полигон позволит проводить работы с

         полигона по исследованиям,    -------                                   ----    радиоэлектронной аппаратурой в условиях

         отработке и сертификации      535 <*>                                    535    реального полета с учетом информационного

         бортового авиационного                                                          взаимодействия с наземными и самолетными

         радиоэлектронного                                                               системами обеспечения воздушного движения

         оборудования на                                                                 в реальных условиях естественных и

         федеральном                                                                     промышленных помех <**>

         государственном унитарном

         предприятии "Летно-

         испытательный институт

         имени М.М. Громова",

         г. Жуковский, Московская

         область

   

    259. Создание центра                 400                                     400     создание новой позиции для проведения

         сертификации аппаратных       -------                                   ---     сертификации аппаратных модулей бортовой

         средств бортовой              200 <*>                                   200     вычислительной техники, включающей:

         вычислительной техники на                                                             аппаратное и программное оснащение

         федеральном                                                                     центра сертификации;

         государственном унитарном                                                             создание и освоение базовых

         предприятии                                                                     инженерных методик проведения

         "Государственный научно-                                                        сертификации;

         исследовательский                                                                     акты ввода в эксплуатацию центра

         институт авиационных                                                            сертификации <**>

         систем", г. Москва

   

    260. Создание распределенной         500                                     500     создание распределенной информационно-

         отраслевой стендово-          -------                                   ---     связанной сети стендов, на которой будут

         имитационной среды            250 <*>                                   250     проводиться исследования архитектур и

         исследований, отработки                                                         информационных потоков, соответствующих

         прикладного                                                                     различным условиям полета, интерфейсов,

         математического                                                                 отработка системного и функционального

         обеспечения, отладки и                                                          математического обеспечения, отладка

         испытаний систем и                                                              прикладного математического обеспечения и

         комплексов авиационного                                                         радиоэлектронной бортовой аппаратуры,

         бортового                                                                       наземные сертификационные испытания

         радиоэлектронного                                                               радиоэлектронных систем и комплексов <**>

         оборудования на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии

         "Государственный научно-

         исследовательский

         институт авиационных

         систем", г. Москва

   

    261. Техническое перевооружение     1040                                     1040    освоение:

         производства в открытом       -------                                   ----          базовой конструкции

         акционерном обществе          520 <*>                                    520    фоточувствительных приборов с матричными

         "Научно-производственный                                                        приемниками высокого разрешения для

         комплекс "Технокомплекс",                                                       видимого и ближнего инфракрасного

         г. Раменское,                                                                   диапазона на основе применения

         Московская область                                                              отечественной электронной компонентной

                                                                                         базы;

                                                                                               технологии создания

                                                                                         фоточувствительных приборов с матричными

                                                                                         приемниками высокого разрешения для

                                                                                         видимого и ближнего инфракрасного

                                                                                         диапазона на основе применения

                                                                                         отечественной электронной компонентной

                                                                                         базы <**>

   

    262. Техническое перевооружение      296                                     296     ввод в эксплуатацию производственных

         участков монтажа              -------                                   ---     линий с высокой степенью автоматизации

         электронных систем и          148 <*>                                   148     производства современной авиационной

         электронно-оптических                                                           радиоэлектронной и оптико-электронной

         модулей на федеральном                                                          аппаратуры для коммерческой и военной

         государственном унитарном                                                       авиации <**>

         предприятии Санкт-

         Петербургское особое

         конструкторское бюро

         "Электроавтоматика",

         г. Санкт-Петербург

   

                                            2. Реконструкция и техническое перевооружение

                                       для создания базовых центров системного проектирования

   

    263. Реконструкция и                 160                    60     100               создание межотраслевого базового центра

         техническое перевооружение    ------                   --     ---               системного проектирования площадью 800

         федерального                  80 <*>                   30      50               кв. м <**>

         государственного

         унитарного предприятия

         "Научно-исследовательский

         институт микроэлектронной

         аппаратуры "Прогресс", г.

         Москва, для создания

         межотраслевого центра

         проектирования

   

    264. Реконструкция и                 120       120                                   создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------      ---                                   проектирования производительностью 40

         открытого акционерного        60 <*>       60                                   аппаратно-программных комплексов в год

         общества "Информационные                                                        <**>

         телекоммуникационные

         технологии", г. Санкт-

         Петербург, для создания

         базового центра полного

         цикла проектирования и

         производства аппаратно-

         программных комплексов

   

    265. Реконструкция и                 120                    120                      создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------                   ---                      проектирования площадью 500 кв. м <**>

         открытого акционерного        60 <*>                    60

         общества "Московский

         научно-исследовательский

         институт "Агат", г.

         Жуковский, Московская

         область, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    266. Реконструкция и                 80               30            50               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------             --            --               проектирования площадью 400 кв. м <**>

         открытого акционерного        40 <*>             15            25

         общества "Всероссийский

         научно-исследовательский

         институт радиотехники", г.

         Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    267. Реконструкция и                 460              60    140    260               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------            --    ---    ---               проектирования площадью 1000 кв. м <**>

         открытого акционерного        230 <*>            30     70    130

         общества "НИИ молекулярной

         электроники и завод

         "Микрон", г. Москва, для

         создания базового центра

         проектирования

   

    268. Реконструкция и                 60               60                             создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------             --                             проектирования площадью 250 кв. м <**>

         федерального                  30 <*>             30

         государственного

         унитарного предприятия

         "Научно-исследовательский

         институт автоматики", г.

         Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    269. Реконструкция и                 140                           140               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------                          ---               проектирования площадью 600 кв. м <**>

         федерального                  70 <*>                           70

         государственного

         унитарного предприятия

         "Научно-производственное

         предприятие "Восток", г.

         Новосибирск, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    270. Реконструкция и                 200                    80     120               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                  --     ---               проектирования площадью 700 кв. м <**>

         открытого акционерного        100 <*>                  40      60

         общества "Концерн

         "Созвездие", г. Воронеж,

         для создания базового

         центра проектирования

   

    271. Реконструкция и                 200                    80     120               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                  --     ---               проектирования площадью 700 кв. м <**>

         открытого акционерного        100 <*>                  40      60

         общества "Концерн

         радиостроения "Вега", г.

         Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    272. Реконструкция и                 120                    120                      создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------                   ---                      проектирования площадью 500 кв. м <**>

         федерального                  60 <*>                    60

         государственного

         унитарного предприятия

         "Ростовский-на-Дону

         научно-исследовательский

         институт радиосвязи",

         г. Ростов-на-Дону, для

         создания базового центра

         проектирования

   

    273. Реконструкция и                 34        34                                    создание базового центра системного

         техническое перевооружение      --        --                                    проектирования площадью 500 кв. м <**>

         действующего предприятия        17        17

         федеральное

         государственное унитарное

         предприятие "Омский

         научно-исследовательский

         институт приборостроения",

         г. Омск (развитие базового

         центра системного

         проектирования СБИС)

   

    274. Реконструкция и                 120                           120               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------                          ---               проектирования площадью 500 кв. м <**>

         открытого акционерного        60 <*>                           60

         общества "Российский

         институт радионавигации и

         времени", г. Санкт-

         Петербург, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    275. Реконструкция и                 232                                     232     создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     проектирования площадью 800 кв. м <**>

         открытого акционерного        116 <*>                                   116

         общества "Светлана", г.

         Санкт-Петербург, для

         создания базового центра

         проектирования

   

    276. Реконструкция и                 360                    160    200               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                  ---    ---               проектирования площадью 800 кв. м <**>

         открытого акционерного        180 <*>                   80    100

         общества "Центральный

         научно-исследовательский

         институт "Циклон",

         г. Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    277. Реконструкция и                 120       120                                   создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------      ---                                   проектирования площадью 500 кв. м <**>

         федерального                  60 <*>       60

         государственного

         унитарного предприятия

         "Научно-исследовательский

         институт "Аргон", г.

         Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    278. Реконструкция и                 30                             30               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------                           --               проектирования площадью 500 кв. м <**>

         федерального                  15 <*>                           15

         государственного

         унитарного предприятия

         "НПО "Орион", г. Москва,

         для создания базового

         центра проектирования

   

    279. Реконструкция и                 120             120                             создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------            ---                             проектирования площадью 500 кв. м <**>

         федерального                  60 <*>             60

         государственного

         унитарного предприятия

         "Новосибирский завод

         полупроводниковых приборов

         с ОКБ", г. Новосибирск,

         для создания базового

         центра проектирования

   

    280. Реконструкция и                 160       160                                   создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------      ---                                   проектирования площадью 600 кв. м <**>

         федерального                  80 <*>       80

         государственного

         унитарного предприятия

         "Научно-исследовательский

         институт телевидения",

         г. Санкт-Петербург, для

         создания базового центра

         проектирования

   

    281. Реконструкция и                 140                           140               создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------                          ---               проектирования площадью 600 кв. м <**>

         открытого акционерного        70 <*>                           70

         общества "Концерн

         "Океанприбор", г. Санкт-

         Петербург, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    282. Реконструкция и                 180       180                                   создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------      ---                                   проектирования площадью 650 кв. м <**>

         федерального                  90 <*>       90

         государственного

         унитарного предприятия

         "Нижегородский научно-

         исследовательский

         приборостроительный

         институт "Кварц", г.

         Нижний Новгород, для

         создания базового центра

         проектирования

   

    283. Реконструкция и                 160       160                                   создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------      ---                                   проектирования площадью 650 кв. м <**>

         открытого акционерного        80 <*>       80

         общества "Корпорация

         "Тактическое ракетное

         вооружение", г. Королев,

         Московская область, для

         создания базового центра

         проектирования

   

    284. Реконструкция и                 120       120                                   создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------      ---                                   проектирования площадью 500 кв. м <**>

         федерального                  60 <*>       60

         государственного

         унитарного предприятия

         "Государственный научно-

         исследовательский институт

         авиационных систем", г.

         Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    285. Создание базового центра        500                                     500     создание базового центра по

         проектирования на базе        -------                                   ---     проектированию, моделированию,

         федерального                  250 <*>                                   250     изготовлению, тестированию и сертификации

         государственного                                                                перспективных оптических систем и оптико-

         унитарного предприятия                                                          электронного оборудования <**>

         "Научно-производственная

         корпорация

         "Государственный

         оптический институт имени

         С.И. Вавилова",

         г. Санкт-Петербург

   

    286. Реконструкция и                2200                                     2200    повышение качества и надежности систем

         техническое перевооружение   --------                                   ----    цифровой обработки, систем твердотельных

         открытого акционерного       1100 <*>                                   1100    передающих и приемных систем, приемо-

         общества "Концерн ПВО                                                           передающих модулей активных фазированных

         "Алмаз-Антей",                                                                  системных решеток С-диапазона для

         г. Москва, для создания                                                         перспективных средств связи, управления

         базового центра                                                                 воздушным движением и формирования

         проектирования систем                                                           сигналов на кристалле для

         цифровой обработки,                                                             радиолокационных станций различного

         твердотельных передающих и                                                      применения <**>

         приемных систем, приемо-

         передающих модулей

   

    287. Реконструкция и                 500                                     500     создание базового центра проектирования

         техническое перевооружение    -------                                   ---     сложных функциональных блоков и

         для создания базового         250 <*>                                   250     сверхбольших интегральных схем типа

         центра проектирования в                                                         "система на кристалле" для нового

         открытом акционерном                                                            поколения аппаратуры и мобильных

         обществе "Концерн                                                               телекоммуникационных систем;

         "Созвездие", г. Воронеж                                                         создание конкурентоспособных изделий для

                                                                                         нового поколения мобильных

                                                                                         телекоммуникационных систем гражданского

                                                                                         и двойного назначения <**>

   

    288. Создание базового центра        440                           440               обеспечение производства комплексных

         системного проектирования     -------                         ---               средств автоматизации для управления

         (дизайн-центра)               220 <*>                         220               автомобильным и железнодорожным

         радиоэлектронных модулей и                                                      транспортом, объектами топливно-

         узлов стационарных и                                                            энергетического комплекса <**>

         мобильных средств

         автоматизации в открытом

         акционерном обществе

         "Научно-производственное

         предприятие "Рубин",

         г. Пенза

   

    289. Создание базового центра        200                           200               обеспечение возможности изготовления

         системного проектирования     -------                         ---               разработанных электронных модулей по

         унифицированных               100 <*>                         100               современным технологиям;

         электронных модулей на                                                          повышение надежности и качества и

         основе современной                                                              ускорение разработки конкурентоспособных

         электронной компонентной                                                        изделий мирового уровня;

         базы в открытом                                                                 разработка технологий двойного назначения

         акционерном обществе                                                            <**>

         "Челябинский радиозавод

         "Полет",

         г. Челябинск

   

    290. Создание базового центра        200                    200                      обеспечение возможности изготовления

         системного проектирования     -------                  ---                      разработанных электронных модулей по

         унифицированных               100 <*>                  100                      современным технологиям;

         электронных модулей на                                                          разработка технологий двойного назначения

         основе современной                                                              <**>

         электронной компонентной

         базы в открытом

         акционерном обществе

         "Рыбинский завод

         приборостроения",

         г. Рыбинск, Ярославская

         область

   

    291. Создание базового центра        180                    180                      обеспечение проектирования, производства,

         системного проектирования     ------                   ---                      испытаний, контроля, тестирования и

         микроэлектронных модулей      90 <*>                    90                      сертификации перспективных изделий,

         нового поколения на основе                                                      включая климатические, механические,

         технологии "систем в                                                            надежностные и другие специализированные

         модуле" двойного и                                                              испытания, а также сертификации

         специального применения в                                                       выпускаемых изделий по требованиям

         открытом акционерном                                                            различных категорий заказчиков и

         обществе "Всероссийский                                                         производств <**>

         научно-исследовательский

         институт "Эталон",

         г. Москва

   

    292. Создание базового центра        180                    180                      обеспечение проектирования, производства,

         системного проектирования     ------                   ---                      испытаний, контроля, тестирования и

         микроэлектронных модулей      90 <*>                    90                      сертификации перспективных изделий,

         нового поколения на основе                                                      включая климатические, механические,

         технологии "систем в                                                            надежностные и другие специализированные

         модуле" двойного и                                                              испытания, а также сертификации

         специального применения в                                                       выпускаемых изделий по требованиям

         открытом акционерном                                                            различных категорий заказчиков и

         обществе "Московский                                                            производств <**>

         научно-исследовательский

         институт связи",

         г. Москва

   

    293. Расширение базового центра      320                                     320     расширение возможностей и объемов

         системного проектирования     -------                                   ---     базового центра системного

         по проектированию             160 <*>                                   160     проектирования, перевод ключевых

         радиоэлектронной                                                                проектов, выполняемых концерном,

         аппаратуры на базе                                                              на использование технологии современного

         сверхбольших интегральных                                                       системного проектирования.

         схем "система на                                                                Ускорение процесса получения готовых

         кристалле" в открытом                                                           проектов не менее чем в 2 раза <**>

         акционерном обществе

         "Концерн радиостроения

         "Вега", г. Москва

   

    294. Создание базового центра        210                           210               обеспечение проектирования, производства

         системного проектирования     -------                         ---               высокоплотных электронных узлов на основе

         высокоплотных электронных     105 <*>                         105               технологии многокристальных модулей как

         узлов на основе технологии                                                      ключевой технологии достижения высоких

         многокристальных модулей в                                                      технических характеристик разрабатываемых

         открытом акционерном                                                            и производимых изделий. Планируемый объем

         обществе "Научно-                                                               выпуска многокристальных модулей - до 3,5

         исследовательский институт                                                      тысяч штук в год <**>

         "Кулон",

         г. Москва

   

    295. Создание базового центра        210                           210               обеспечение проектирования, производства

         системного проектирования     -------                         ---               высокоплотных электронных узлов на основе

         высокоплотных электронных     105 <*>                         105               технологии многокристальных модулей как

         узлов на основе технологии                                                      ключевой технологии достижения высоких

         многокристальных модулей в                                                      технических характеристик разрабатываемых

         открытом акционерном                                                            и производимых изделий. Планируемый объем

         обществе "Конструкторское                                                       выпуска многокристальных модулей - до 3,5

         бюро "Луч", г. Рыбинск,                                                         тысяч штук <**>

         Ярославская область

   

    296. Реконструкция и                 500                                     500     создание базового центра проектирования и

         техническое перевооружение    -------                                   ---     разработки высокопроизводительных

         федерального                  250 <*>                                   250     сверхбольших интегральных схем и

         государственного                                                                микропроцессорной техники, оснащенного

         унитарного предприятия                                                          современными средствами проектирования,

         "Московский ордена                                                              разработки и отладки сверхбольших

         Трудового Красного Знамени                                                      интегральных схем типа "система на

         научно-исследовательский                                                        кристалле", а также матричных корпусов

         радиотехнический                                                                для сверхбольших интегральных схем с

         институт", г. Москва, для                                                       большим количеством выводов, контроллеров

         создания базового центра                                                        перспективных периферийных интерфейсов

         проектирования                                                                  для разработки на их базе перспективных

         универсальных цифровых                                                          сложнофункциональных блоков и

         устройств, комплексов и                                                         радиоэлектронной аппаратуры для систем и

         систем на базе современных                                                      средств связи двойного и гражданского

         лицензионных систем                                                             применения <**>

         автоматизированного

         проектирования и

         технических средств

   

    297. Создание базового центра        370             120    100    150               создание базового центра разработки

         проектирования                -------           ---    ---    ---               высокопроизводительной микропроцессорной

         универсальных                 185 <*>            60     50     75               техники двойного назначения, оснащенного

         микропроцессоров, систем                                                        современной технологией разработки

         на кристалле, цифровых                                                          многоядерных систем на кристалле,

         приборов обработки                                                              матричных корпусов для сверхбольших

         сигналов и других цифровых                                                      интегральных схем с большим количеством

         устройств, комплексов и                                                         выводов, контроллеров перспективных

         систем на базе современных                                                      периферийных интерфейсов для разработки

         лицензионных систем                                                             на их базе высокопроизводительных

         автоматизированного                                                             вычислительных систем широкого применения

         проектирования и                                                                <**>

         технических средств

         открытого акционерного

         общества "Институт

         электронных управляющих

         машин",

         г. Москва

   

    298. Техническое перевооружение      840                                     840     ускорение проектирования и отработки

         и реконструкция базового      -------                                   ---     технологии производства перспективных

         регионального научно-         420 <*>                                   420     устройств микросистемотехники для

         технологического центра по                                                      комплектования аппаратуры управления,

         микросистемотехнике                                                             средств телекоммуникации и связи,

         федерального                                                                    высокоточного оружия, робототехнических

         государственного                                                                комплексов, мониторинга окружающей среды,

         унитарного предприятия                                                          зданий и сооружений, систем

         "Омский научно-                                                                 трубопроводов, водо- и газоснабжения,

         исследовательский институт                                                      цифровых и аналоговых устройств средств

         приборостроения",                                                               контроля, учета и дистанционного

         г. Омск                                                                         управления подачей энергоресурсов.

                                                                                         Ожидаемый экономический эффект составит

                                                                                         1500 млн. рублей <**>

   

    299. Реконструкция и                 490                                     490     создание конкурентоспособных изделий

         техническое перевооружение    -------                                   ---     мирового уровня для комплексов аппаратуры

         центра системного             245 <*>                                   245     спутниковой связи. Разработка технологий

         проектирования и                                                                двойного назначения <**>

         производства

         радиоэлектронных средств

         спутниковой связи

         федерального

         государственного

         унитарного предприятия

         "Научно-производственный

         центр "Вигстар", г. Москва

   

    300. Реконструкция и                1080                                     1080    создание дизайн-центра площадью 2000

         техническое перевооружение    -------                                   ----    кв. м и увеличение выпуска продукции на

         федерального                  540 <*>                                    540    500 млн. рублей в год <**>

         государственного

         унитарного предприятия

         "Научно-производственное

         предприятие "Алмаз",

         г. Саратов, с целью

         создания дизайн-центра и

         производства

         сверхвысокочастотных и

         силовых устройств

   

    301. Техническое перевооружение      90        90                                    создание конкурентоспособной технологии

         для создания центра           ------      --                                    автоматизированного проектирования

         проектирования                45 <*>      45                                    кристаллов сверхбольших интегральных схем

         перспективной электронной                                                       и систем на кристалле с проектными

         компонентной базы на                                                            нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью

         федеральном                                                                     интеграции до 100 млн. вентилей на

         государственном унитарном                                                       кристалле, что позволит обеспечить

         предприятии "Научно-                                                            ускоренную разработку

         исследовательский институт                                                      сложнофункциональных блоков, сверхбольших

         электронной техники", г.                                                        интегральных схем и систем на кристалле,

         Воронеж                                                                         соответствующих по техническим

                                                                                         характеристикам современным мировым

                                                                                         образцам <**>

   

    302. Создание отраслевого            340                                     340     организация современного центра

         центра системного уровня      -------                                   ---     системного уровня проектирования на

         проектирования                170 <*>                                   170     основе отечественной электронной

         интеллектуальных датчиков                                                       компонентной базы:

         различного назначения на                                                                микромеханических датчиков;

         федеральном                                                                             датчиков акустического давления;

         государственном унитарном                                                               датчиков угловых перемещений и

         предприятии "Центральный                                                        других <**>

         научно-исследовательский

         институт "Электроприбор",

         г. Санкт-Петербург

   

    303. Создание отраслевого            360                                     360     создание отраслевого центра

         центра проектирования         -------                                   ---     проектирования (дизайн-центра) сложных

         сложных функциональных        180 <*>                                   180     функциональных блоков и

         блоков и сверхбольших                                                           сверхбольших интегральных схем

         интегральных схем типа                                                          типа "система на кристалле" для

         "система на кристалле" в                                                        обеспечения новейшей цифровой техникой

         открытом акционерном                                                            приборостроительных организаций

         обществе "Концерн                                                               судостроительной отрасли <**>

         "Моринформсистема-Агат",

         г. Москва

   

          3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания

                           межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

   

    304. Реконструкция и                1306       156   830    320                      создание межотраслевого центра

         техническое перевооружение    -------     ---   ---    ---                      проектирования, каталогизации и

         открытого акционерного        653 <*>      78   415    160                      изготовления фотошаблонов с объемом

         общества "Российская                                                            производства не менее 1200 штук в год

         электроника", г. Москва                                                         <**>

         (включая приобретение

         программно-технических

         средств) с целью создания

         межотраслевого центра

         проектирования,

         каталогизации и

         изготовления фотошаблонов

   

         Итого по Минпромторгу России   75600     2790   3740  4340    5740     58990

                                        -----     ----   ----  ----    ----     -----

                                        37800     1395   1870  2170    2870     29495

   (в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

   

                                ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ" (ГОСКОРПОРАЦИЯ "РОСАТОМ")

                                        (в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

   

                       1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

   

    305. Техническое перевооружение      140                     80     60               создание технологического комплекса для

         федерального                  ------                    --     --               производства сверхвысокочастотных

         государственного              70 <*>                    40     30               монолитных интегральных схем на

         унитарного предприятия                                                          широкозонных полупроводниковых материалах

         "Федеральный научно-                                                            <**>

         производственный центр

         Научно-исследовательский

         институт измерительных

         систем имени

         Ю.Е. Седакова",

         г. Нижний Новгород

   

    306. Техническое перевооружение      440                                     440     создание производственно-технологического

         и реконструкция с целью       -------                                   ---     участка в межведомственном центре по

         производства структур         220 <*>                                   220     разработке и производству радиационно

         "кремний на сапфире" для                                                        стойкой электронной компонентной базы

         субмикронных радиационно                                                        <**>

         стойких сверхбольших

         интегральных схем на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Федеральный

         научно-производственный

         центр Научно-

         исследовательский институт

         измерительных систем имени

         Ю.Е. Седакова",

         г. Нижний Новгород

   

    307. Техническое перевооружение      420                                     420     создание производственно-технологического

         и реконструкция с целью       -------                                   ---     участка в межведомственном центре по

         производства фотошаблонов     210 <*>                                   210     разработке и производству радиационно

         субмикронных радиационно                                                        стойкой электронной компонентной базы

         стойких сверхбольших                                                            <**>

         интегральных схем на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Федеральный

         научно-производственный

         центр Научно-

         исследовательский

         институт измерительных

         систем имени

         Ю.Е. Седакова", г. Нижний

         Новгород

   

    308. Техническое перевооружение      380                                     380     создание производственно-технологического

         и реконструкция с целью       -------                                   ---     участка в межведомственном центре по

         производства структур         190 <*>                                   190     разработке и производству радиационно

         "кремний на сапфире" с                                                          стойкой электронной компонентной базы

         ультратонким приборным                                                          <**>

         слоем для субмикронных

         радиационно стойких

         сверхбольших интегральных

         схем на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Федеральный

         научно-производственный

         центр Научно-

         исследовательский

         институт измерительных

         систем имени

         Ю.Е. Седакова", г. Нижний

         Новгород

   

    309. Техническое перевооружение      400                                     400     создание производственно-технологического

         и реконструкция с целью       -------                                   ---     участка изготовления изделий

         производства радиационно      200 <*>                                   200     микроэлектроники для систем автоматики

         стойких изделий                                                                 специзделий <**>

         микроэлектроники с

         применением методов

         нанотехнологий на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Всероссийский

         научно-исследовательский

         институт автоматики", г.

         Москва

   

    310. Техническое перевооружение     1060                                     1060    создание производственно-технологического

         и реконструкция с целью       -------                                   ----    участка в межведомственном центре по

         производства                  530 <*>                                    530    разработке и производству радиационно

         быстродействующих                                                               стойкой электронной компонентной базы

         радиационно стойких                                                             <**>

         монолитных интегральных

         схем на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии

         "Федеральный научно-

         производственный центр

         Научно-исследовательский

         институт измерительных

         систем имени

         Ю.Е. Седакова", г. Нижний

         Новгород

   

    311. Техническое перевооружение      500                                     500     создание производственно-технологического

         и реконструкция с целью       -------                                   ---     участка в межведомственном центре по

         производства радиационно      250 <*>                                   250     разработке и производству радиационно

         стойких изделий                                                                 стойкой электронной компонентной базы

         оптоэлектроники на                                                              <**>

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Федеральный

         научно-производственный

         центр Научно-

         исследовательский институт

         измерительных систем имени

         Ю.Е. Седакова", г. Нижний

         Новгород

   

    312. Техническое перевооружение      780                                     780     создание производственно-технологического

         и реконструкция с целью       -------                                   ---     участка в межведомственном центре по

         производства радиационно      390 <*>                                   390     разработке и производству радиационно

         стойких изделий                                                                 стойкой электронной компонентной базы

         микросистемотехники на                                                          <**>

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии

         "Федеральный научно-

         производственный центр

         Научно-исследовательский

         институт измерительных

         систем имени

         Ю.Е. Седакова", г. Нижний

         Новгород

   

    313. Техническое перевооружение      820                                     820     реконструкция производственно-

         и реконструкция с целью       -------                                   ---     технологических участков по изготовлению

         производства радиационно      410 <*>                                   410     радиационно стойких изделий

         стойких изделий                                                                 микроэлектроники <**>

         микроэлектроники на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Российский

         федеральный ядерный центр

         - Всероссийский научно-

         исследовательский

         институт экспериментальной

         физики", г. Саров,

         Нижегородская область

   

                2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

   

    314. Реконструкция дизайн-           200       80     80            40               реконструкция дизайн-центра <**>

         центра радиационно стойкой    -------     --     --            --

         электронной компонентной      100 <*>     40     40            20

         базы на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Федеральный

         научно-производственный

         центр Научно-

         исследовательский институт

         измерительных систем имени

         Ю.Е. Седакова", г. Нижний

         Новгород

   

    315. Реконструкция дизайн-           80                                       80     реконструкция дизайн-центра <**>

         центра радиационно стойкой    ------                                     --

         электронной компонентной      40 <*>                                     40

         базы на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Всероссийский

         научно-исследовательский

         институт автоматики", г.

         Москва

   

    316. Реконструкция дизайн-           80                                       80     реконструкция дизайн-центра <**>

         центра радиационно стойкой    ------                                     --

         электронной компонентной      40 <*>                                     40

         базы на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Российский

         федеральный ядерный центр

         - Всероссийский научно-

         исследовательский институт

         экспериментальной физики",

         г. Саров, Нижегородская

         область

   

    317. Реконструкция дизайн-           100                                     100     реконструкция дизайн-центра <**>

         центра радиационно стойкой    ------                                    ---

         электронной компонентной      50 <*>                                     50

         базы на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Российский

         федеральный ядерный центр

         - Всероссийский научно-

         исследовательский институт

         технической физики имени

         академика Е.И.

         Забабахина", г. Снежинск,

         Челябинская область

   

   

         Итого по Госкорпорации                  5400       80     80    80     100      5060

         "Росатом"                               ----       --     --    --     ---      ----

                                                 2700       40     40    40      50      2530

   (в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

   

                                            ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)

   

                       1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

   

    318. Реконструкция и                 320                                     320     переоснащенное производство

         техническое перевооружение    -------                                   ---     многокристальных систем в корпусе, микро-

         федерального                  160 <*>                                   160     и радиоэлектронных модулей, в том числе

         государственного                                                                на основе устройств микросистемной

         унитарного предприятия                                                          техники;

         "Российский научно-                                                                  оснащенное отраслевое

         исследовательский институт                                                      автоматизированное хранилище производимых

         космического                                                                    и приобретаемых электронных компонентов

         приборостроения",                                                               со встроенной системой мониторинга и

         г. Москва, с целью                                                              прогнозирования состояния хранимой

         создания производства                                                           продукции <**>

         многокристальных систем в

         корпусе, микро- и

         радиоэлектронных модулей,

         в том числе на основе

         устройств микросистемной

         техники

   

    319. Реконструкция и                 600                                     600     переоснащение производства по выпуску:

         техническое перевооружение    -------                                   ---          параметрического ряда модулей

         федерального                  300 <*>                                   300     сверхвысокочастотных устройств;

         государственного                                                                     узлов и крупноблочных

         унитарного предприятия                                                          радиоэлектронных функциональных модулей

         "Научно-исследовательский                                                       приемо-передающей аппаратуры.

         институт точных приборов",                                                           Реализация указанных мероприятий

         г. Москва, для создания                                                         обеспечивает:

         производства модулей                                                                 сокращение сроков изготовления

         сверхвысокочастотных                                                            изделий радиолокационной техники и

         устройств для особо                                                             техники связи в 2 - 3 раза;

         жестких условий                                                                      расширение номенклатуры

         эксплуатации                                                                    сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза

                                                                                         <**>

   

    320. Реконструкция и                 160                                     160     переоснащение производственной линии для

         техническое перевооружение     ------                                   ---     выпуска облегченных сверхвысокочастотных

         федерального                   80 <*>                                    80     волноводов;

         государственного                                                                     увеличение производства

         унитарного предприятия                                                          сверхвысокочастотных волноводов с низким

         "Научно-производственное                                                        уровнем потерь и улучшенными массовыми

         объединение прикладной                                                          характеристиками;

         механики имени академика                                                             оснащение отраслевого

         М.Ф. Решетнева",                                                                автоматизированного хранилища для модулей

         г. Железногорск,                                                                радиоэлектронных и навигационных систем

         Красноярский край, с целью                                                      со встроенной системой мониторинга и

         создания производственной                                                       прогнозирования состояния хранимой

         линии для изготовления                                                          продукции <**>

         облегченных

         сверхвысокочастотных

         волноводов миллиметрового

         диапазона

   

    321. Реконструкция и                 200                                     200     дооснащение производства

         техническое перевооружение    -------                                   ---     электромеханических и радиоэлектронных

         федерального                  100 <*>                                   100     компонентов для микромодульных средств

         государственного                                                                автономного управления и контроля;

         унитарного предприятия                                                               увеличение производства изделий

         "Научно-производственное                                                        бортовой и промышленной радиоэлектроники

         объединение автоматики                                                          на 35 процентов и более;

         имени академика                                                                      оснащение отраслевого

         Н.А. Семихатова",                                                               автоматизированного хранилища для

         г. Екатеринбург, для                                                            радиоэлектронных модулей со встроенной

         создания производства                                                           системой мониторинга и прогнозирования

         электромеханических и                                                           состояния хранимой продукции <**>

         радиоэлектронных

         компонентов микромодульных

         средств автономного

         управления и контроля

   

    322. Реконструкция и                 200                                     200     переоснащение производства модульных

         техническое перевооружение    -------                                   ---     лазерных средств высокоточных измерений,

         федерального                  100 <*>                                   100     дальнометрии и передачи информации в

         государственного                                                                бортовых и промышленных системах

         унитарного предприятия                                                          различного назначения <**>

         "Научно-исследовательский

         институт прецизионного

         приборостроения",

         г. Москва, для создания

         производства лазерных

         средств высокоточных

         измерений

   

    323. Реконструкция и                 200                                     200     создание межотраслевой лаборатории

         техническое перевооружение    -------                                   ---     контроля стойкости электронной

         федерального                  100 <*>                                   100     компонентной базы для специальной

         государственного                                                                радиоэлектронной аппаратуры в условиях

         унитарного предприятия                                                          космического пространства, что обеспечит:

         "Российский научно-                                                                  внедрение технологических процессов

         исследовательский институт                                                      прямого (в том числе неразрушающего)

         космического                                                                    контроля стойкости электронной

         приборостроения", г.                                                            компонентной базы и экспериментально-

         Москва, для создания                                                            аналитического прогноза деградации

         отраслевой лаборатории                                                          характеристик электронной компонентной

         контроля стойкости                                                              базы и радиоэлектронной аппаратуры;

         электронной компонентной                                                             определение характеристик стойкости

         базы радиоэлектронной                                                           к условиям открытого космического

         аппаратуры к                                                                    пространства;

         дестабилизирующим факторам                                                           увеличение сроков активного

         космического пространства                                                       функционирования аппаратуры до 20 лет

                                                                                         <**>

   

    324. Реконструкция и                 200                                     200     перевооружение производственных линий для

         техническое перевооружение    -------                                   ---     изготовления встроенных модульных

         федерального                  100 <*>                                   100     пассивных радиоэлементов для систем

         государственного                                                                бортовой и промышленной радиоэлектроники

         унитарного предприятия                                                          и вторичных источников питания с

         "Научно-производственный                                                        совмещенными линиями передачи данных и

         центр "Полюс", г. Томск,                                                        электропитания;

         для технического                                                                     расширение номенклатуры и увеличение

         перевооружения                                                                  производства встроенных вторичных

         действующего производства                                                       источников питания с совмещенными линиями

                                                                                         передачи данных и электропитания для

                                                                                         средств бортовой и промышленной

                                                                                         электроники на 70 процентов и более <**>

   

    325. Реконструкция и                 200                                     200     переоснащение производства матричных

         техническое перевооружение    -------                                   ---     оптико-электронных модулей для работы в

         федерального                  100 <*>                                   100     составе оптико-электронных

         государственного                                                                преобразователей высокого разрешения и

         унитарного предприятия                                                          матричных сверхвысокочастотных приборов

         "Научно-исследовательский                                                       для модулей фазированных антенных

         институт микроприборов -                                                        решеток, что позволит:

         К", г. Москва, для                                                                   расширить номенклатуру выпускаемой

         создания матричных оптико-                                                      мелкосерийной продукции в 2 раза;

         электронных модулей на                                                               увеличить объем выпускаемых

         основе кремниевых мембран                                                       дискретных и модульных элементов в 10 раз

         и гетеропереходов на                                                            <**>

         основе арсенида галлия и

         нитрида галлия

   

                2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

   

    326. Реконструкция и                 610                    60      60       490     создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                  --      --       ---     проектирования площадью 500 кв. м <**>

         федерального                  305 <*>                  30      30       245

         государственного

         унитарного предприятия

         "Российский научно-

         исследовательский институт

         космического

         приборостроения", г.

         Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    327. Реконструкция и                 550       120   120    60      60       190     создание отраслевого центра

         техническое перевооружение    -------     ---   ---    --      --       ---     автоматизированного проектирования и

         для создания отраслевого      275 <*>      60    60    30      30        95     функциональной поддержки процессов

         центра автоматизированного                                                      изготовления и эксплуатации

         проектирования гибридных                                                        параметрических рядов

         микро- и наноэлектронных                                                        сверхвысокочастотных модулей

         модулей                                                                         унифицированных сверхвысокочастотных

         сверхвысокочастотных                                                            трактов, базовых несущих конструкций

         устройств со встроенными                                                        активных фазированных антенных

         пассивными и активными                                                          решеток, радиолокационных и

         элементами на федеральном                                                       связных модульных приборов площадью 500

         государственном унитарном                                                       кв. м <**>

         предприятии "Научно-

         исследовательский институт

         точных приборов", г.

         Москва

   

    328. Реконструкция и                 600                            40       560     создание базового координационного центра

         техническое перевооружение    -------                          --       ---     площадью 300 кв. м для системного

         для создания базового         300 <*>                          20       280     проектирования стандартных наборов

         координационного центра                                                         конструктивных элементов для создания

         системного проектирования                                                       унифицированных электронных модулей

         унифицированных                                                                 субминиатюрных адаптивных и

         электронных модулей на                                                          самообучающихся информационно-управляющих

         федеральном                                                                     вычислительных систем и управляющих

         государственном унитарном                                                       многопроцессорных больших цифровых

         предприятии "Центральный                                                        вычислительных машин с элементами

         научно-исследовательский                                                        искусственного интеллекта <**>

         институт машиностроения",

         г. Королев, Московская

         область

   

    329. Реконструкция и                 280                                     280     создание центра проектирования

         техническое перевооружение    -------                                   ---     унифицированных микроэлектронных датчиков

         для создания центра           140 <*>                                   140     площадью 380 кв. м для проектирования

         проектирования                                                                  унифицированных полупроводниковых

         унифицированных                                                                 микродатчиков и преобразователей

         микроэлектронных датчиков                                                       физических величин в системах управления,

         для работы в особо жестких                                                      контроля и диагностики динамических

         условиях эксплуатации на                                                        объектов <**>

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         исследовательский

         институт физических

         измерений", г. Пенза

   

    330. Реконструкция и                 200                                     200     создание базового центра площадью

         техническое перевооружение    -------                                   ---     350 кв. м для системного проектирования с

         для создания базового         100 <*>                                   100     полным циклом проектирования и

         центра системного                                                               производства параметрического ряда

         проектирования                                                                  интегральных микроэлектронных датчиков и

         интегральных                                                                    нанодатчиков для контрольной аппаратуры

         микроэлектронных датчиков                                                       на основе специализированных электронных

         и датчикопреобразующей                                                          узлов по технологии "кремний на

         аппаратуры для особо                                                            изоляторе" для особо жестких условий

         жестких условий                                                                 эксплуатации <**>

         эксплуатации на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         производственное

         объединение измерительной

         техники", г. Королев,

         Московская область

   

    331. Реконструкция и                 420                                     420     создание базового центра сквозного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     системного проектирования и

         для создания базового         210 <*>                                   210     функциональной поддержки

         центра сквозного                                                                радиоэлектронных средств с улучшенной

         системного проектирования                                                       электромагнитной совместимостью площадью

         на федеральном                                                                  450 кв. м (в том числе для

         государственном унитарном                                                       создания встроенных

         предприятии "Научно-                                                            бесконтактных систем управления

         производственное                                                                электродвигателями и приводами,

         предприятие Всероссийский                                                       оптоэлектронных

         научно-исследовательский                                                        и радиотехнических приборов) <**>

         институт электромеханики с

         заводом имени

         А.Г. Иосифьяна",

         г. Москва

   

    332. Реконструкция и                 260                                     260     создание центра проектирования

         техническое перевооружение    -------                                   ---     интегральных сверхвысокочастотных модулей

         для создания центра           130 <*>                                   130     специального и промышленного применения

         проектирования на                                                               для унифицированных приемо-передающих

         федеральном                                                                     радиоэлектронных трактов площадью

         государственном унитарном                                                       340 кв. м

         предприятии "Центральный                                                        (в том числе для создания испытательного

         научно-исследовательский                                                        центра радиоэлектронной аппаратуры

         радиотехнический институт                                                       космического и промышленного назначения)

         имени академика                                                                 <**>

         А.И. Берга", г. Москва

   

    333. Реконструкция и                 200                                     200     создание центра площадью 220 кв. м для

         техническое перевооружение    -------                                   ---     системного проектирования матричных

         для создания центра           100 <*>                                   100     преобразователей и микроэлектронных

         проектирования матричных                                                        сигнальных процессоров высокоточных

         преобразователей и                                                              навигационных приборов бортового и

         микроэлектронных                                                                промышленного назначения <**>

         сигнальных процессоров на

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         производственный центр

         автоматики и

         приборостроения имени

         академика Н.А. Пилюгина",

         г. Москва

   

    334. Реконструкция и                 200                                     200     создание дизайн-центра площадью

         техническое перевооружение    -------                                   ---     370 кв. м для системного проектирования

         для создания центра           100 <*>                                   100     радиационно стойкой, помехоустойчивой

         проектирования особо                                                            электронной компонентной базы, в том

         стойкого модульного ядра                                                        числе изделий "система на кристалле" для

         отказоустойчивой                                                                построения особо стойкого модульного ядра

         радиоэлектронной                                                                радиоэлектронной аппаратуры с особо

         аппаратуры с особо                                                              жесткими условиями эксплуатации, в том

         жесткими условиями                                                              числе для космического, авиационного и

         эксплуатации на                                                                 промышленного применения <**>

         федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Центральный

         научно-исследовательский

         институт "Комета",

         г. Москва

   

    335. Реконструкция и                 200                                     200     создание базового центра сквозного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     системного проектирования и

         для создания базового         100 <*>                                   100     функциональной поддержки в процессе

         центра системного                                                               эксплуатации аппаратуры модульных

         проектирования и                                                                средств связи и навигации для бортовых

         технического                                                                    и промышленных систем площадью 300 кв. м

         перевооружения                                                                  <**>

         действующего производства

         на федеральном

         государственном унитарном

         предприятии "Научно-

         производственное

         объединение прикладной

         механики имени академика

         М.Ф. Решетнева",

         г. Железногорск,

         Красноярский край

   

    336. Реконструкция и                 200                                     200     создание базового центра сквозного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     системного проектирования и

         для создания базового         100 <*>                                   100     функциональной поддержки в процессе

         центра сквозного                                                                эксплуатации площадью 350 кв. м (в том

         системного проектирования                                                       числе для радиоэлектронных

         на федеральном                                                                  функциональных модулей роботизированных

         государственном унитарном                                                       транспортных средств повышенной

         предприятии "Научно-                                                            живучести) <**>

         производственное

         объединение имени

         С.А. Лавочкина",

         г. Москва

   

         Итого по Роскосмосу            5800       120   120    120    160      5280

                                        ----       ---   ---    ---    ---      ----

                                        2900        60    60     60     80      2640

   

   ------------------------------------------------------------------

       --> примечание.

       В  соответствии  с  Указом  Президента  РФ от 04.03.2010 № 271

   Федеральное  агентство  по  образованию  упразднено.  Его  функции

   переданы  Министерству  образования  и  науки РФ, которое является

   правопреемником  Рособразования,  в  том  числе по обязательствам,

   возникшим в результате исполнения судебных решений.

   ------------------------------------------------------------------

                                        ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ (РОСОБРАЗОВАНИЕ)

   

                  Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

   

    337. Реконструкция и                 120              60    60                       создание базового центра системного

         техническое перевооружение    ------             --    --                       проектирования площадью 500 кв. м <**>

         государственного              60 <*>             30    30

         образовательного

         учреждения "Московский

         государственный институт

         электронной техники"

         (технический университет),

         г. Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    338. Реконструкция и                 50        50                                    создание базового центра системного

         техническое перевооружение      --        --                                    проектирования площадью 500 кв. м

         государственного                25        25

         образовательного

         учреждения высшего

         профессионального

         образования "Московский

         государственный институт

         радиотехники, электроники

         и автоматики" (технический

         университет), г. Москва,

         для создания базового

         центра проектирования

   

    339. Реконструкция и                 200                                     200     создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     проектирования площадью 400 кв. м <**>

         государственного              100 <*>                                   100

         образовательного

         учреждения высшего

         профессионального

         образования "Томский

         государственный

         университет", г. Томск,

         для создания базового

         центра проектирования

   

    340. Реконструкция и                 200                                     200     создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     проектирования площадью 400 кв. м <**>

         государственного              100 <*>                                   100

         образовательного

         учреждения высшего

         профессионального

         образования "Московский

         государственный

         технический университет

         имени Н.Э. Баумана",

         г. Москва, для создания

         базового центра

         проектирования

   

    341. Реконструкция и                 200                                     200     создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     проектирования площадью 400 кв. м <**>

         федерального                  100 <*>                                   100

         государственного

         учреждения высшего

         профессионального

         образования "Южный

         федеральный университет",

         г. Ростов-на-Дону, для

         создания базового центра

         проектирования

   

    342. Реконструкция и                 200                                     200     создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     проектирования площадью 400 кв. м <**>

         государственного              100 <*>                                   100

         образовательного

         учреждения высшего

         профессионального

         образования "Новосибирский

         государственный

         университет",

         г. Новосибирск, для

         создания базового центра

         проектирования

   

    343. Реконструкция и                 230                                     230     создание базового центра системного

         техническое перевооружение    -------                                   ---     проектирования площадью 600 кв. м <**>

         федерального                  115 <*>                                   115

         государственного

         образовательного

         учреждения высшего

         профессионального

         образования "Санкт-

         Петербургский

         государственный

         университет", г. Санкт-

         Петербург, для создания

         базового центра

         проектирования

   

         Итого по Рособразованию        1200       50     60    60              1030

                                        ----       --     --    --              ----

                                         600       25     30    30               515

   

         Всего по Программе             88000     3040   4000  4600    6000     70360

                                        -----     ----   ----  ----    ----     -----

                                        44000     1520   2000  2300    3000     35180

   --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

   

   В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.

   --------------------------------

   <*> Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

   <**> Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

   

   Примечание. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.

   

   

   

   

   

   Приложение № 3

   к федеральной целевой программе

   "Развитие электронной компонентной

   базы и радиоэлектроники"

   на 2008 - 2015 годы

   

   РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЪЕМОВ ФИНАНСИРОВАНИЯ

   ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА ПО ГОСУДАРСТВЕННЫМ

   ЗАКАЗЧИКАМ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ

   ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

   НА 2008 - 2015 ГОДЫ

   

   (в ред. Постановления Правительства РФ от 25.02.2009 № 168)

   

   (млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

   -------------------------------------------T------T------------------------------------

                                              ¦2008 -¦           В том числе

                                              ¦ 2015 +-----T-----T-----T-----T------------

                                              ¦ годы ¦ 2008¦ 2009¦2010 ¦ 2011¦2012 - 2015

                                              ¦      ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦   годы

   -------------------------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------------

    Всего по Программе                         110000  5500  6800 7400  13000    77300

   

      из них:

   

        Министерство промышленности и           94500  4885  6040 6530  12010    65035

        торговли Российской Федерации

   

        Федеральное космическое агентство       7200   290   320   360   430     5800

   

        Государственная корпорация по атомной   6600   240   290   340   400     5330

        энергии "Росатом"

   

        Федеральное агентство по науке и        1100    60   120   140   160      620

        инновациям

   

   ------------------------------------------------------------------

       --> примечание.

       В  соответствии  с  Указом  Президента  РФ от 04.03.2010 № 271

   Федеральное  агентство  по  образованию  упразднено.  Его  функции

   переданы  Министерству  образования  и  науки РФ, которое является

   правопреемником  Рособразования,  в  том  числе по обязательствам,

   возникшим в результате исполнения судебных решений.

   ------------------------------------------------------------------

        Федеральное агентство по образованию     600    25    30   30     -       515

   

    Капитальные вложения - всего                44000  1520  2000 2300   3000    35180

   

      из них:

   

        Министерство промышленности и           37800  1395  1870 2170   2870    29495

        торговли Российской Федерации

   

        Федеральное космическое агентство       2900    60    60   60     80     2640

   

        Государственная корпорация по атомной   2700    40    40   40     50     2530

        энергии "Росатом"

   

        Федеральное агентство по науке и          -     -     -     -     -        -

        инновациям

   

   ------------------------------------------------------------------

       --> примечание.

       В  соответствии  с  Указом  Президента  РФ от 04.03.2010 № 271

   Федеральное  агентство  по  образованию и Федеральное агентство по

   науке  и  инновациям  упразднены. Их функции переданы Министерству

   образования   и   науки   РФ,   которое  является  правопреемником

   Рособразования   и   Роснауки,  в  том  числе  по  обязательствам,

   возникшим в результате исполнения судебных решений.

   ------------------------------------------------------------------

        Федеральное агентство по образованию     600    25    30   30     -       515

   

    Научно-исследовательские и опытно-          66000  3980  4800 5100  10000    42120

    конструкторские работы - всего

   

      из них:

   

        Министерство промышленности и           56700  3490  4170 4360   9140    35540

        торговли Российской Федерации

   

        Федеральное космическое агентство       4300   230   260   300   350     3160

   

        Государственная корпорация по атомной   3900   200   250   300   350     2800

        энергии "Росатом"

   

        Федеральное агентство по науке и        1100    60   120   140   160      620

        инновациям

   

        Федеральное агентство по образованию      -     -     -     -     -        -

   ---------------------------------------------------------------------------------------

   

   

   

   

   

   Приложение № 4

   к федеральной целевой программе

   "Развитие электронной компонентной

   базы и радиоэлектроники"

   на 2008 - 2015 годы

   

   ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ

   ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ

   КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ

   ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА

   И ВНЕБЮДЖЕТНЫХ ИСТОЧНИКОВ

   

   (млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

   -----------------------------------T------------T-------------------------------------------

                                      ¦2008 - 2015 ¦                В том числе

                                      ¦годы - всего+-------T------T------T-------T-------------

                                      ¦            ¦ 2008  ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011  ¦ 2012 - 2015

                                      ¦            ¦  год  ¦ год  ¦ год  ¦  год  ¦    годы

   -----------------------------------+------------+-------+------+------+-------+-------------

    Всего по Программе                    187000      9010  11200  12250   21000     133540

   

          в том числе:

   

               федеральный бюджет         110000      5500   6800   7400   13000     77300

   

               внебюджетные средства       77000      3510   4400   4850   8000      56240

   

    Капитальные вложения - всего           88000      3040   4000   4600   6000      70360

   

          в том числе:

   

               федеральный бюджет          44000      1520   2000   2300   3000      35180

   

               внебюджетные средства       44000      1520   2000   2300   3000      35180

   

    Научно-исследовательские и опытно-     99000      5970   7200   7650   15000     63180

    конструкторские работы - всего

   

          в том числе:

   

                федеральный бюджет         66000      3980   4800   5100   10000     42120

   

                внебюджетные средства      33000      1990   2400   2550   5000      21060

   --------------------------------------------------------------------------------------------

   

   

   

   

   

   Приложение № 5

   к федеральной целевой программе

   "Развитие электронной компонентной

   базы и радиоэлектроники"

   на 2008 - 2015 годы

   

   РАСЧЕТ

   ПОКАЗАТЕЛЕЙ СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ

   РЕАЛИЗАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ

   ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

   НА 2008 - 2015 ГОДЫ

   

   Расчеты коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (далее - Программа) базировались на ориентировочных данных о бюджетных и внебюджетных ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения и ожидаемых объемах производства высокотехнологичной наукоемкой продукции по годам расчетного периода (2008 - 2015 годы).

   Эффективность реализации Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом реализации Программы вплоть до максимального уровня освоения введенных новых мощностей.

   За начальный год расчетного периода принимается первый год осуществления инвестиций или первый год разработки приоритетных образцов продукции (в данном случае это 2008 год).

   Конечный год расчетного периода определяется полным освоением в серийном производстве разработанной в период реализации Программы (2008 - 2015 годы) продукции на созданных в этот период мощностях.

   Учитывая, что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего периода действия Программы и завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей составит 1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода принят 2017 год.

   Исходная информация по годовым объемам производства продукции была определена на основе прогнозных оценок. При этом объемы производства на первой стадии финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ достигнуты за счет реализации программных мероприятий прошлых лет и составляют в 2008 году 60 процентов объема выпускаемой продукции отрасли, в 2009 году - 65 процентов, в 2010 году - 70 процентов, в 2011 году - 90 процентов.

   Капитальные вложения на реализацию Программы предусматривают прежде всего техническое перевооружение производства и строительство уникальных объектов.

   Коммерческая и бюджетная эффективность Программы определялась с учетом следующих условий:

   данные об ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения, а также об объемах производства приведены в ценах соответствующих лет;

   расчеты произведены с учетом фактора времени, т.е. приведения (дисконтирования) будущих затрат и результатов к расчетному году с помощью коэффициента дисконтирования (E = 0,1);

   размер всех налогов и отчислений, поступающих в бюджет и внебюджетные фонды, определен в соответствии с Налоговым кодексом Российской Федерации;

   расчеты всех экономических показателей произведены в ценах соответствующих лет с учетом индексов-дефляторов, установленных Министерством экономического развития и торговли Российской Федерации до 2009 года с последующей экстраполяцией их до 2017 года (на период 2008 - 2015 годов индекс-дефлятор для продукции радиоэлектронной промышленности составляет 1,05).

   Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации Программы, приведены в таблице 1. Результаты расчетов приведены в таблице 2.

   Экономическая эффективность реализации Программы в отрасли характеризуется следующими показателями.

   При общей сумме инвестиций 187000 млн. рублей, включая 110000 млн. рублей бюджетных ассигнований на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения и 77000 млн. рублей внебюджетных ассигнований, реализация Программы позволит получить в сфере производства за расчетный период (2008 - 2015 годы) чистый дисконтированный доход в размере 64374,4 млн. рублей, а чистый дисконтированный доход государства (бюджетный эффект) составит 125045,9 млн. рублей.

   Всего налоговых поступлений от реализации Программы ожидается в размере 198577,2 млн. рублей.

   Срок окупаемости всех инвестиций (бюджетных и внебюджетных ассигнований) за счет чистой прибыли и амортизации составит 8,1 года, а бюджетных ассигнований за счет налоговых поступлений - 1 год.

   Соответственно, индексы доходности (рентабельности) составят для всех инвестиций - 1,52, для бюджетных ассигнований - 2,7.

   Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что свидетельствует о высокой эффективности и степени устойчивости Программы к возможным отклонениям от условий ее реализации.

   Итоговые показатели эффективности реализации Программы приведены в таблице 3.

   

   Таблица 1

   

   Исходные данные, принятые для расчета

   коммерческой и бюджетной эффективности реализации

   федеральной целевой программы "Развитие электронной

   компонентной базы и радиоэлектроники"

   на 2008 - 2015 годы

   

   (в ценах соответствующих лет, млн. рублей)

   -------------------------------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-------T-----------

              Показатели          ¦ 2008  ¦ 2009  ¦ 2010  ¦ 2011  ¦ 2012  ¦ 2013  ¦ 2014  ¦ 2015  ¦ 2016  ¦ 2017  ¦    За

                                  ¦  год  ¦  год  ¦  год  ¦  год  ¦  год  ¦  год  ¦  год  ¦  год  ¦  год  ¦  год  ¦ расчетный

                                  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦  период

   -------------------------------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-------+-----------

    Условно-переменная часть

    текущих издержек производства

    (себестоимости), процентов       62      62      62      62      62      62      62      62      62      62

   

    Годовой объем реализуемой

    продукции отрасли (объем

    продаж)                         58000   70000   95000  130000  170000  210000  250000  300000  370000  450000

   

    Инвестиции из всех источников

    финансирования по Программе     9010    11200   12250   21000   29640   35200   34750   33950                    187000

   

             в том числе:

         средства федерального

         бюджета на научно-

         исследовательские и

         опытно-конструкторские

         работы, капитальные

         вложения и прочие нужды    5500    6800    7400    13000   18000   20800   19500   19000                    110000

   

               из них:

    капитальные вложения            1520    2000    2300    3000    5280    8000    11000   10900                    44000

   

         внебюджетные средства на

         научно-исследовательские

         и опытно-конструкторские

         работы и капитальные

         вложения (собственные,

         заемные и пр.)             3510    4400    4850    8000    11640   14400   15250   14950                    77000

   

         налогооблагаемая база

         налога на имущество

         (среднегодовая стоимость

         основных промышленно-

         производственных фондов

         отрасли по остаточной

         стоимости)                 33000   35000   37000   40000   44000   50000   58000   65000   67000   68000

   

    Рентабельность реализованной

    продукции, процентов             10      10      12      14      16      18      20      20      20      20

   

    Амортизационные отчисления,

    процентов себестоимости          3,5     3,8      4      4,5      5      5,5      6      6,5      7      7,5

   

    Материалы, процентов

    себестоимости                    50      50      50      50      50      50      50      50      50      50

   

    Фонд оплаты труда, процентов

    себестоимости                    25      25      25      25      25      25      25      25      25      25

   

    Налог на имущество, процентов     2       2       2       2       2       2       2       2       2       2

   

    Налог на прибыль, процентов      24      24      24      24      24      24      24      24      24      24

   

    Подоходный налог, процентов      13      13      13      13      13      13      13      13      13      13

   

    Единый социальный налог,

    процентов                        26      26      26      26      26      26      26      26      26      26

   

    Налог на добавленную

    стоимость, процентов             18      18      18      18      18      18      18      18      18      18

   

    Налог с продаж, процентов         -       -       -       -       -       -       -       -       -       -

   

    Норма дисконта (средняя за

    расчетный период), процентов                                                                                      0,1

   ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

   

   Таблица 2

   

   Расчет

   коммерческой и бюджетной эффективности реализации

   федеральной целевой программы "Развитие электронной

   компонентной базы и радиоэлектроники"

   на 2008 - 2015 годы

   

   (в ценах соответствующих лет, млн. рублей)

   --------------------------T------------------------------------------------------------------------------------------T----------

    Наименование показателей ¦                                     Расчетный период                                     ¦   За

                             +--------T--------T--------T--------T--------T---------T--------T--------T-------T---------+расчетный

                             ¦  2008  ¦  2009  ¦  2010  ¦  2011  ¦  2012  ¦  2013   ¦  2014  ¦  2015  ¦ 2016  ¦  2017   ¦ период

                             +--------+--------+--------+--------+--------+---------+--------+--------+-------+---------+

                             ¦                                  номер шага (m)                                ¦         ¦

                             +--------T--------T--------T--------T--------T---------T--------T--------T-------+---------+

                             ¦   0    ¦   1    ¦   2    ¦   3    ¦   4    ¦    5    ¦   6    ¦   7    ¦   8   ¦    9    ¦

   --------------------------+--------+--------+--------+--------+--------+---------+--------+--------+-------+---------+----------

                                              Операционная и инвестиционная деятельность

                                                     (коммерческая эффективность)

   

    Годовой объем

    реализованной продукции

    отрасли без налога на

    добавленную стоимость      58000    70000    95000    130000   170000   210000    250000   300000   370000   450000

   

    Себестоимость годового

    объема реализованной

    продукции отрасли          52727    63636    84821    114035   146552   177966    208333   25000    308333   375000

   

    Прибыль от реализации

    продукции                   5273     6364    10179    15965    23448     32034    41667    50000    61667    75000

   

    Налогооблагаемая база

    налога на имущество

    (среднегодовая стоимость

    основных промышленно-

    производственных фондов

    отрасли по остаточной

    стоимости)                 33000    35000    37000    40000    44000     50000    58000    65000    67000    68000

   

    Налог на имущество          660      700      740      800      880      1000      1160     1300     1340     1360

   

    Налогооблагаемая прибыль   4587,3   5727,3   9466,1  15166,7  22744,8   31072,9  40416,7   48500   59816,7   72750

   

    Налог на прибыль           1100,9   1374,5   2271,9    3640    5458,8   7457,5     9700    11640    14356    17460

Связаться с автором сайта: scomm@mail.ru